A kind of CdSe quantum dot sensitized polycrystalline silicon solar cell material preparation method, (1) is composed of CdSe quantum dots and polycrystalline silicon, polycrystalline silicon material in the preparation of CdSe quantum dots doped process, the mass ratio of 100:1; (2) CdSe quantum dot doped 3~5nm (3) method; the preparation of high purity silicon, using silane as silicon source, purified silicon by vapor deposition method; (4) using N
【技术实现步骤摘要】
一种CdSe量子点敏化多晶硅太阳能电池材料的制备方法
本专利技术涉及一种敏化太阳能电池材料的制备方法,尤其涉及一种CdSe量子点敏化多晶硅太阳能电池材料的制备方法。
技术介绍
随着人类面临的环境与能源问题的持续恶化,加强环境保护和开发清洁能源是人类高度关注的焦点。因此,近年来人们对太阳能开发和利用的研究进展极为迅速。作为一种重要的光电能量转换器件,太阳能电池的研究一直受到人们的热切关注。目前市场上主流的太阳能电池是单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池。太阳能电池利用“带隙”把太阳的光能转换成电能。带隙是指半导体中“价带”与“导带”的能量差,其数值因半导体的种类而异。由硅等半导体制成的太阳能电池板在受到光线照射后,低能级p型半导体“价带”中的电子将吸收光能,向高能级n型半导体的“导带”移动。此时产生的电压差就作为电力输出。在阳光之中,从长波长的红外线到短波长的紫外线,包含的光线波长各异。光的能量因波长而异,波长越短的光线能量越大。对于晶体硅太阳能电池,长波长的红外线光能过低,因此,价带中的电子无法跃迁到导带。也就是说,红外线不转换为电能。其中能够作为电力输出的能量仅限于带隙部分。在照射能量高于带隙的紫外线时,其差值将以热量的形式逸散。也就是说,越缩小带隙,转换效率越低。这就是晶体硅太阳能电池的能量转换效率上限停滞在30%的原因。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供高光电转化效率的一种CdSe量子点敏化多晶硅太阳能电池材料的制备方法。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案为:一种CdSe量子点敏化多晶硅太阳能电池材料的制备方法,其特征在于:(1)由CdSe量子点 ...
【技术保护点】
一种CdSe量子点敏化多晶硅太阳能电池材料的制备方法,其特征在于:(1)由CdSe量子点和多晶硅材料组成,在多晶硅材料的制备过程中掺入CdSe量子点,其质量比为100:1;(2)掺杂的CdSe量子点尺寸为3~5nm;(3)高纯硅的制备方法中,以硅烷为硅源,通过热分解炉,在1500℃条件下利用气相沉积法制备纯度较高的层状多晶硅;(4)将制得的10g多晶硅薄膜置于1500℃高温下煅烧、融解,称取0.1gCdSe量子点粉末置于其中,混合均匀后以N
【技术特征摘要】
1.一种CdSe量子点敏化多晶硅太阳能电池材料的制备方法,其特征在于:(1)由CdSe量子点和多晶硅材料组成,在多晶硅材料的制备过程中掺入CdSe量子点,其质量比为100:1;(2)掺杂的CdSe量子点尺寸为3~5nm;(3)高纯硅的制备方法中,以硅烷为硅源,通过热分解炉,在1500℃条件下利用气相沉积法制备纯度较高的层状...
【专利技术属性】
技术研发人员:关成善,宗继月,孟博,孙启壮,
申请(专利权)人:山东精工电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:山东,37
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