当前位置: 首页 > 专利查询>清华大学专利>正文

耳机制造技术

技术编号:15398296 阅读:415 留言:0更新日期:2017-05-22 14:00
本发明专利技术涉及一种耳机,包括:一壳体,该壳体具有一收容空间;以及一热致发声扬声器设置于所述壳体收容空间内,其中,所述热致发声扬声器进一步包括:一基底,该基底具有相对的一第一表面以及一第二表面,所述基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽,所述凹槽的深度为100微米至200微米,所述凹槽的宽度大于等于0.2毫米且小于1毫米;一热致发声元件设置于所述基底的第一表面并与所述基底绝缘设置,所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构,该碳纳米管层状结构在所述凹槽处悬空设置;以及至少一第一电极和至少一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接。

Headset

The invention relates to a headset, comprises a shell, wherein the shell is provided with a containing space; and a thermal sounding loudspeaker is arranged on the housing accommodating space, wherein the thermoacoustic loudspeaker further includes: a substrate, the substrate has a first surface and a second surface opposite, there are many grooves are parallel and spaced to form a first surface of the substrate, the groove depth of 100 microns to 200 microns, the width of the groove is greater than or equal to 0.2 mm and less than 1 mm; a thermal sounding element is arranged on the first surface of the substrate and insulated from the base set, the the thermal sounding element as a layered structure of carbon nanotubes, the layered structure of carbon nanotubes suspended in the groove; and at least one first electrode and at least one of second electrodes arranged at intervals and with The heat generating acoustic element is electrically connected.

【技术实现步骤摘要】
耳机
本专利技术涉及一种耳机,尤其涉及一种基于热致发声的耳机。
技术介绍
发声装置一般由信号输入装置和发声元件组成,通过信号输入装置输入信号到该发声元件,进而发出声音。耳机为发声装置中的一种,其为基于热声效应的一种发声装置,该耳机通过向一导体中通入交流电来实现发声。该导体具有较小的热容(Heatcapacity),较薄的厚度,且可将其内部产生的热量迅速传导给周围气体介质的特点。当交流电通过导体时,随交流电电流强度的变化,导体迅速升降温,而和周围气体介质迅速发生热交换,促使周围气体介质分子运动,气体介质密度随之发生变化,进而发出声波。2008年10月29日,范守善等人公开了一种热致发声装置,请参见文献“Flexible,Stretchable,TransparentCarbonNanotubeThinFilmLoudspeakers”,ShouShanFan,etal.,NanoLetters,Vol.8(12),4539-4545(2008)。该热致发声装置采用碳纳米管膜作为一热致发声元件,该碳纳米管膜通过热致发声原理进行发声。然而,如何将碳纳米管膜用于耳机,既确保碳纳米管膜不易损坏,又使碳纳米管膜的发声效果良好是使上述耳机能够实现产业化及实际应用的关键。
技术实现思路
有鉴于此,确有必要提供一种既确保碳纳米管膜不易损坏,又使碳纳米管膜的发声效果良好的耳机。一种耳机,包括:一壳体,该壳体具有一收容空间;以及一热致发声扬声器设置于所述壳体收容空间内,其中,所述热致发声扬声器进一步包括:一基底,该基底具有相对的一第一表面以及一第二表面,所述基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽,所述凹槽的深度为100微米至200微米,所述凹槽的宽度大于等于0.2毫米且小于1毫米;一热致发声元件设置于所述基底的第一表面并与所述基底绝缘设置,所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构,该碳纳米管层状结构在所述凹槽处悬空设置;以及至少一第一电极和至少一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接。一种耳机,包括:一壳体,该壳体具有一收容空间;以及一热致发声扬声器设置于所述壳体收容空间内,其中,所述热致发声扬声器进一步包括:一基底,该基底的一表面设置有多个间隔设置的凹部;一热致发声元件,设置于所述基底的该表面并与所述基底绝缘设置,所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构,该碳纳米管层状结构通过所述凹部槽部分悬空设置;以及至少一第一电极和至少一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接,相邻的第一电极和第二电极之间的基底表面具有至少一凹部。与现有技术相比较,本专利技术所述耳机具有以下优点:首先,所述基底的设置多个凹部以及相邻凹部形成的凸部,能够有效的保护碳纳米管层状结构,且不影响发声效果;其次,所述基底101的凹部108的深度为100微米~200微米,以确保所述热致发声元件102的第一区域1020与所述凹部108的底面之间形成一定的间距,防止间距过低时工作时产生的热量直接被基底101吸收而无法完全实现与周围介质热交换造成音量降低,以及避免间距过高时发出的声波出现相互干涉而抵消的情形。附图说明图1是本专利技术第一实施例提供的耳机的分解图。图2是图1所述的耳机沿I-I方向的剖面图。图3是本专利技术第一实施例提供的耳机中的热致发声扬声器的立体图。图4是本专利技术第一实施例提供的耳机中的热致发声扬声器的剖面图。图5是本专利技术耳机中碳纳米管膜的结构示意图。图6是本专利技术耳机中非扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。图7是本专利技术耳机中扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。图8为本专利技术第二实施例提供的耳机中的热致发声扬声器的剖面图。图9为本专利技术第二实施例提供的热致发声装置中声压级-频率的曲线图。图10为本专利技术第二实施例提供的耳机的发声效果测试图。图11为本专利技术第三实施例提供的耳机中的热致发声扬声器的剖面图。图12为本专利技术第四实施例提供的耳机中的热致发声扬声器的剖面图。主要元件符号说明耳机10,20,30,40热致发声扬声器100,200,300,400基底101热致发声元件102绝缘层103第一电极104第二电极105第一表面106第二表面107凹部108凸部109第一区域1020第二区域1021壳体110前半外壳单元112后半外壳单元114通孔116保护罩118凸起结构120引线130集成电路芯片201散热元件202基座2020散热鳍片2021如下具体实施例将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式以下将结合附图详细说明本专利技术实施例的耳机及其制备方法。请一并参阅图1、图2、图3及图4,本专利技术第一实施例提供一种耳机10,其包括一壳体110及一热致发声扬声器100。所述壳体110为具有一收容空间的中空结构,该热致发声扬声器100设置于该壳体110的收容空间内。所述壳体110的具体结构不限,也可一体成型或采用其他方式,只需具有一收容空间即可。本实施例中,所述壳体110包括一前半外壳单元112、一后半外壳单元114以及一形成于前半外壳单元112的至少一通孔116。所述前半外壳单元112和后半外壳单元114通过一卡扣结构(图未示)相互对接并紧密结合而构成所述壳体110。所述热致发声扬声器100的固定位置不限,只需固定设置在壳体110内且与通孔116相对设置即可。所述“与通孔116相对设置”是指所述热致发声扬声器100中的热致发声元件与通孔116正对。本实施例中,所述热致发声扬声器100固定于所述壳体110的后半外壳单元114,并与所述壳体110的前半外壳单元112间隔设置。所述热致发声扬声器100正对所述前半外壳单元112上的通孔116,并与所述通孔116间隔并相对设置,从而所述热致发声扬声器100发出的声音可以通过通孔116传出耳机10外部。所述壳体110的材料为质量较轻并具有一定强度的材料,如:塑料或树脂等。所述壳体110的大小以及形状根据实际情况而定。所述壳体110可与人耳大小相当或者覆盖人耳。可以理解,所述壳体110也可采用其他符合人体工程学的结构设计。所述壳体110还可进一步包括一保护罩118设置于所述壳体110的前半外壳单元112与所述热致发声扬声器100之间。所述保护罩118与所述热致发声扬声器100间隔设置。该保护罩118通过一固定元件(图未示)与所述壳体110的前半外壳单元112连接。所述保护罩118包括多个开口(图未标),所述保护罩118的材料不限,可为塑料或金属等。所述保护罩118主要起到保护热致发声扬声器100及防尘的作用。可以理解,所述保护罩118为一可选择的结构,在实际应用中,也可不设置保护罩118。进一步地,所述耳机10可包括至少一引线130穿过壳体110内部与所述热致发声扬声器100电连接,并将音频电信号传导至该热致发声扬声器100。所述热致发声扬声器100包括一基底101、一热致发声元件102、一绝缘层103、一第一电极104以及一第二电极105。该第一电极104及第二电极105间隔设置并与该热致发声元件102电连接。该基底101包括相对的一第一表面106以及一第二表面107。所述第一表面106具有多个凹部108,两个相邻的所述凹部108之间形成一凸部109。所述绝缘层103设置于所述基底101的第一表面106,该热致发声元件102设置于所述第本文档来自技高网...
耳机

【技术保护点】
一种耳机,包括:一壳体,该壳体具有一收容空间;以及一热致发声扬声器设置于所述壳体收容空间内,所述热致发声扬声器进一步包括:一基底,该基底具有相对的一第一表面以及一第二表面;一集成电路芯片,该集成电路芯片直接集成于所述基底上;一热致发声元件,设置于所述基底的第一表面并与所述基底绝缘设置;以及至少一第一电极和至少一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接;其特征在于,所述基底为一硅基底,所述基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽,所述凹槽的深度为100微米至200微米,所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构,该碳纳米管层状结构在所述凹槽处悬空设置。

【技术特征摘要】
1.一种耳机,包括:一壳体,该壳体具有一收容空间;以及一热致发声扬声器设置于所述壳体收容空间内,所述热致发声扬声器进一步包括:一基底,该基底具有相对的一第一表面以及一第二表面;一集成电路芯片,该集成电路芯片直接集成于所述基底上;一热致发声元件,设置于所述基底的第一表面并与所述基底绝缘设置;以及至少一第一电极和至少一第二电极间隔设置并与所述热致发声元件电连接;其特征在于,所述基底为一硅基底,所述基底的第一表面形成有多个相互平行且间隔设置的凹槽,所述凹槽的深度为100微米至200微米,所述热致发声元件为一碳纳米管层状结构,该碳纳米管层状结构在所述凹槽处悬空设置。2.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述壳体包括至少一个通孔,所述热致发声扬声器与该通孔相对设置。3.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述热致发声扬声器通过粘结剂、卡槽或钉扎结构固定于所述壳体内部。4.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述耳机进一步包括一引线,所述引线通过壳体内部与所述热致发声扬声器电连接。5.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述凹槽的宽度大于等于0.2毫米且小于1毫米。6.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述热致发声扬声器进一步包括一绝缘层仅设置于相邻两个所述凹槽之间的基底表面。7.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述热致发声扬声器进一步包括一连续的绝缘层设置于所述热致发声元件与所述基底表面之间,对应凸部位置处的部分贴附于所述相邻两个凹槽之间的基底表面,对应凹部位置处的部分贴附于所述凹部的底面及侧面。8.如权利要求1所述的耳机,其特征在于,所述层状碳纳米管结构由多个碳纳米管组成,该多个碳纳米管沿同一方向延伸,且所述多个碳纳米管的延伸方向与所述凹槽的延伸方向形成一夹角,该夹角大于0度小于等于90度。9.如权利要求8所述的耳机,其特征在于,所述层状碳纳米管结构包括一碳纳米管膜,所述碳纳米管膜由多个沿同一方向择优取向延伸的碳纳米管组成,该多个碳纳米管平行于所述基底的第一表面。10.如权利要求8所述的耳...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏洋林晓阳姜开利范守善
申请(专利权)人:清华大学鸿富锦精密工业深圳有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1