The invention relates to a nitride semiconductor device, a nitride semiconductor wafer, and a method of forming a nitride semiconductor layer. According to one embodiment, a nitride semiconductor device includes a laminate and a functional layer. The laminate comprises a Al
【技术实现步骤摘要】
氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法相关申请的交叉参考本申请基于并主张2012年11月21日提交的编号为2012-255290的先前日本专利申请的优先权益,该申请的内容在此全部引用作为参考。
本专利技术一般地涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。
技术介绍
作为使用氮化物半导体的半导体发光器件的实例,发光二极管(LED)例如用于显示设备、照明等。使用氮化物半导体的电子器件用于高速电子设备和电源设备。为了在此类氮化物半导体器件中提供高性能,减少氮化物半导体层内的缺陷非常重要。需要一种技术来制造具有极少位错的氮化物半导体晶体。
技术实现思路
根据一个实施例,一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。层叠体包括由AlxGa1-xN(0<x≤1)构成的AlGaN层、第一含Si层、第一GaN层、第二含Si层和第二GaN层。第一含Si层与AlGaN层的上表面接触。第一含Si层包含浓度不小于7×1019/cm3且不大于4×1020/cm3的Si。第一GaN层在第一含Si层上提供。第一GaN层包括突出,所述突出具有相对于上表面倾斜的倾斜表面。第二含Si层在第一GaN层上提供。第二含Si层包含Si。第二GaN层在第二含Si层上提供。功能层在层叠体上提供。功能层包括氮化物半导体。根据一个实施例,一种氮化物半导体晶片包括衬底、缓冲层和层叠体。缓冲层在衬底上提供。缓冲层包括氮化物半导体。层叠体在缓冲层上提供。层叠体包括由AlxGa1-xN(0<x≤1)构成的AlGaN层、第一含Si层、第一GaN层、第二含Si层和第二GaN ...
【技术保护点】
一种氮化物半导体器件,包括:层叠体,包括:由Al
【技术特征摘要】
2012.11.21 JP 255290/20121.一种氮化物半导体器件,包括:层叠体,包括:由AlxGa1-xN构成的AlGaN层,其中,0<x≤1,与所述AlGaN层的上表面接触的第一含Si层,所述第一含Si层包含浓度不小于7×1019/cm3且不大于4×1020/cm3的Si,在所述第一含Si层上提供的第一GaN层,所述第一GaN层包括突出,所述突出具有相对于所述上表面倾斜的倾斜表面,在所述第一GaN层上提供的第二含Si层,所述第二含Si层包含Si,以及在所述第二含Si层上提供的第二GaN层,所述第二含Si层的凹凸的凹陷被所述第二GaN层填充;以及在所述层叠体上提供的功能层,所述功能层包括氮化物半导体。2.根据权利要求1的器件,其中所述第一GaN层具有在所述突出内与所述倾斜表面相连的多个第一位错,并且所述第二GaN层内通过所述第二含Si层与所述第一位错连续的位错的数量小于所述多个第一位错的数量。3.根据权利要求1的器件,其中所述突出的高度不小于100nm且不大于1000nm。4.根据权利要求1的器件,其中:所述第一含Si层的上表面包括第一区域和第二区域,所述第一GaN层在所述第一区域上提供,以及所述第二含Si层的一部分接触所述第二区域中的所述第一含Si层。5.根据权利要求1的器件,其中所述层叠体的Si浓度分布具有:具有第一浓度的第一部分,所述第一浓度的Si浓度不小于7×1019/cm3且不大于4×1020/cm3,具有第二浓度的第二部分,所述第二浓度的Si浓度低于所述第一浓度,在所述第一部分与所述第二部分之间提供的第三部分,所述第三部分具有第三浓度,所述第三浓度的Si浓度介于所述第一浓度与所述第二浓度之间,在所述第三部分与所述第二部分之间提供的第四部分,所述第四部分具有第四浓度,所述第四浓度的Si浓度介于所述第三浓度与所述第二浓度之间,在所述第一部分与所述第三部分之间提供的第五部分,所述第五部分的每厚度Si浓度变化高于所述第三部分的每厚度Si浓度变化,在所述第三部分与所述第四部分之间提供的第六部分,所述第六部分的每厚度Si浓度变化高于所述第三部分的每厚度Si浓度变化并且高于所述第四部分的每厚度Si浓度变化,以及在所述第四部分与所述第二部分之间提供的第七部分,所述第七部分的每厚度Si浓度变化高于所述第四部分的每厚度Si浓度变化并且高于所述第二部分的每厚度Si浓度变化。6.根据权利要求5的器件,其中所述第三部分的所述第三浓度不小于3×1018/cm3且不大于5×1019/cm3。7.根据权利要求5的器件,其中:所述第一部分的厚度不小于1nm且不大于200nm,所述第三部分的厚度不小于100nm且不大于1000nm,以及所述第四部分的厚度不小于300nm且不大于2500nm。8.根据权利要求1的器件,进一步包括包含所述氮化物半导体的缓冲层,在所述缓冲层上提供所述层叠体。9.根据权利要求8的器件,进一步包括在所述缓冲层与所述层叠体之间提供的层叠中间层,所述层叠中间层包括:GaN中间层;在所述GaN中间层上提供的AlN中间层;以及在所述AlN中间层上提供的AlGaN中间层。10.根据权利要求8的器件,进一步包括衬底,所述缓冲层被设置在所述衬底与所述层叠体之间。11.根据权利要求10的器件,其中所述衬底为硅衬底。12.一种氮化物半导体器件,包括:层叠体,包括:由AlxGa1-xN构成的AlGaN层,其中,0<x≤1,与所述AlGaN层的上表面接触的第一含Si层,所述第一含Si层包含浓度不小于7×1019/cm3且不大于4×1020/cm3的Si,在所述第一含Si层上提供的第一GaN层,所述第一GaN层包括突出,所述突出具有相对于所述上表面倾斜的倾斜表面,在所述第一GaN层上提供的第二含Si层,所述第二含Si层包含Si,以及在所述第二含Si层上提供的第二GaN层;以及在所述层...
【专利技术属性】
技术研发人员:彦坂年辉,原田佳幸,吉田学史,杉山直治,布上真也,
申请(专利权)人:株式会社东芝,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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