In at least one embodiment of the method, the method is configured for the manufacture of optoelectronic semiconductor chips (10), in particular light-emitting diodes. The method comprises the following steps: providing a growth substrate (1); with the help of sputtering in the growth substrate (1) formed on the III nitride nucleation layer (3); and the nucleation layer (3) or in the core layer (3) above the growth of the active layer (2a) of the III group a nitride semiconductor layer sequence (2), wherein the growth substrate (1) of the material and the nucleation layer (3) and / or the semiconductor layer sequence (2) of different materials.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法以及一种光电子半导体芯片。
技术实现思路
待实现的目的在于,提出一种用于有效地制造光电子半导体芯片的方法。根据该方法的至少一个实施形式,所述方法包括在生长衬底上方生成III族氮化物成核层的步骤。借助于溅镀实现成核层的生成。因此,成核层不经由气相外延如金属有机气相外延生成,英文是MetalOrganicChemicalVaporPhaseEpitaxy,简称MOVPE。根据该方法的至少一个实施形式,在成核层上方生长具有有源层的III族氮化物半导体层序列。半导体层序列的有源层设立为在半导体芯片运行时用于产生电磁辐射、尤其是在紫外的或可见的光谱范围中的电磁辐射。特别地,所产生的辐射的波长在430nm和680nm之间,其中包含边界值。有源层优选包括一个或多个pn结或者一个或多个量子阱结构。半导体材料优选是氮化物化合物半导体材料如AlnIn1-n-mGamN,其中0≤n≤1,0≤m≤1并且n+m≤1。在此,半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而,为了简单性,仅给出半导体层序列的晶格的主要组成部分,即Al、Ga、In以及N,即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。根据该方法的至少一个实施形式,适用的是:0≤n≤0.3和/或0.35≤m≤0.95和/或0<1-n,m≤0.5。所提及的用于n和m的值域优选适用于半导体层序列的所有子层,其中不包括掺杂物。然而在此可能的是,半导体层序列具有一个或多个中间层,对于所述中间层,不同于所提及的用于n ...
【技术保护点】
一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法,具有下述步骤:‑提供生长衬底(1);‑借助于溅镀在所述生长衬底(1)上生成III族氮化物成核层(3),其中所述生长衬底(1)的材料不同于所述成核层(3)的材料;以及‑使具有有源层(2a)的III族氮化物半导体层序列(2)生长到所述成核层(3)上,其中对所述成核层(3)添加氧并且所述成核层(3)中的氧份额沿远离所述生长衬底(1)的方向单调地减少。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.30 DE 102011114671.01.一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法,具有下述步骤:-提供生长衬底(1);-借助于溅镀在所述生长衬底(1)上生成III族氮化物成核层(3),其中所述生长衬底(1)的材料不同于所述成核层(3)的材料;以及-使具有有源层(2a)的III族氮化物半导体层序列(2)生长到所述成核层(3)上,其中对所述成核层(3)添加氧并且所述成核层(3)中的氧份额沿远离所述生长衬底(1)的方向单调地减少。2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述成核层(3)和所述生长衬底(1)之间生成牺牲层(31),其中所述牺牲层(31)包括氧化铝并且所述牺牲层(31)在所述生长衬底(1)与所述半导体层序列(2)分离时至少部分地湿化学地分解。3.根据权利要求2所述的方法,其中所述生长衬底(1)在从所述半导体层序列(2)剥离时在朝向所述半导体层序列(2)的侧上不被损坏。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述成核层(3)具有在10nm和1000nm之间且包含边界值的厚度,其中所述成核层(3)基于AlN并且直接施加到所述生长衬底(1)上。5.根据权利要求4所述的方法,其中所述成核层(3)具有在50nm和200nm之间且包含边界值的厚度。6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中将载体衬底(11)安置到所述半导体层序列(2)的背离所述生长衬底(1)的侧上,并且随后借助于激光剥离法去除所述生长衬底(1)。7.根据权利要求5所述的方法,其中所述生长衬底(1)和所述成核层(3)对于在剥离法中所使用的激光辐射是能穿透的,其中通过所述激光辐射在所述成核层(3)和所述半导体层序列(2)和/或生长层(8)之间的边界层上进行材料分解。8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中氧的重量份额在0.1%和10%之间,其中包含边界值。9.根据权利要求8所述的方法,其中所述成核层(3)中的氧份额沿远离所述生长衬底(1)的方向严格单调地减少。10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中借助于溅镀或借助于气相外延直接在所述成核层(3)上施加所述生长层(8),其中所述生长层(8)基于GaN。11.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中直接彼此相继地并且以给出的顺序在所述生长层(8)上产生下述层:-掩膜层(6),基于氮化硅、氧化硅或氧化镁,其中所述掩膜层(6)以在50%和90...
【专利技术属性】
技术研发人员:约阿希姆·赫特功,卡尔·恩格尔,贝特霍尔德·哈恩,安德烈亚斯·魏玛,
申请(专利权)人:欧司朗光电半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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