一种光电探测器制造技术

一种光电探测器，包括：衬底(11)，所述衬底(11)上方设置体绝缘层(12)、体绝缘层(12)上方设置第一掺杂层(13)，第一掺杂层(13)上方设置第二掺杂层(14)，第二掺杂层(14)上方设置包层绝缘层(17)；第一金属电极(15)一端设置在第一掺杂层内部(13)，第一金属电极(15)另一端穿过包层绝缘层(17)并构成第一电极引线；第二金属电极(16)一端设置在第二掺杂层(14)内部，第二金属电极(16)另一端穿过包层绝缘层(17)并构成第二电极引线；第二掺杂层(14)向外扩展至少一个延伸体(18)，所述至少一个延伸体(18)内嵌于所述第一掺杂层(13)，所述至少一个延伸体(18)和第二掺杂层(14)的材质相同；其中，第一掺杂层(13)为P型掺杂层时，第二掺杂层(14)为N型掺杂层；第一掺杂层(13)为N型掺杂层时，第二掺杂层(14)为P型掺杂层。所述光电探测器提高了光电转换率。

A photoelectric detector

\u4e00\u79cd\u5149\u7535\u63a2\u6d4b\u5668\uff0c\u5305\u62ec\uff1a\u886c\u5e95(11)\uff0c\u6240\u8ff0\u886c\u5e95(11)\u4e0a\u65b9\u8bbe\u7f6e\u4f53\u7edd\u7f18\u5c42(12)\u3001\u4f53\u7edd\u7f18\u5c42(12)\u4e0a\u65b9\u8bbe\u7f6e\u7b2c\u4e00\u63ba\u6742\u5c42(13)\uff0c\u7b2c\u4e00\u63ba\u6742\u5c42(13)\u4e0a\u65b9\u8bbe\u7f6e\u7b2c\u4e8c\u63ba\u6742\u5c42(14)\uff0c\u7b2c\u4e8c\u63ba\u6742\u5c42(14)\u4e0a\u65b9\u8bbe\u7f6e\u5305\u5c42\u7edd\u7f18\u5c42(17)\uff1b\u7b2c\u4e00\u91d1\u5c5e\u7535\u6781(15)\u4e00\u7aef\u8bbe\u7f6e\u5728\u7b2c\u4e00\u63ba\u6742\u5c42\u5185\u90e8(13)\uff0c\u7b2c\u4e00\u91d1\u5c5e\u7535\u6781(15)\u53e6\u4e00\u7aef\u7a7f\u8fc7\u5305\u5c42\u7edd\u7f18\u5c42(17)\u5e76\u6784\u6210\u7b2c\u4e00\u7535\u6781\u5f15\u7ebf\uff1b\u7b2c\u4e8c\u91d1\u5c5e\u7535\u6781(16)\u4e00\u7aef\u8bbe\u7f6e\u5728\u7b2c\u4e8c\u63ba\u6742\u5c42(14)\u5185\u90e8\uff0c\u7b2c\u4e8c\u91d1\u5c5e\u7535\u6781(16)\u53e6\u4e00\u7aef\u7a7f\u8fc7\u5305\u5c42\u7edd\u7f18\u5c42(17)\u5e76\u6784\u6210\u7b2c\u4e8c\u7535\u6781\u5f15\u7ebf\uff1b\u7b2c\u4e8c\u63ba\u6742\u5c42(14)\u5411\u5916\u6269\u5c55\u81f3\u5c11\u4e00\u4e2a\u5ef6\u4f38\u4f53(18)\uff0c\u6240\u8ff0\u81f3\u5c11\u4e00\u4e2a\u5ef6\u4f38\u4f53(18)\u5185\u5d4c\u4e8e\u6240\u8ff0\u7b2c\u4e00\u63ba\u6742\u5c42(13)\uff0c\u6240\u8ff0\u81f3\u5c11\u4e00\u4e2a\u5ef6\u4f38\u4f53(18)\u548c\u7b2c\u4e8c\u63ba\u6742\u5c42(14)\u7684\u6750\u8d28\u76f8\u540c\uff1b Wherein, when the first doped layer (13) is a P type doped layer, the second doped layer (14) is a N type doped layer; the first doped layer (13) is a N type doped layer, and the second doped layer (14) is a P type doped layer. The photoelectric detector improves the photoelectric conversion rate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宝霞，薛海韵，曹彤彤，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44