用于除去光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物制造技术

本发明专利技术提供用于除去半导体电路元件的制作工序中产生的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物以及使用该组合物的除去方法。用于除去光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物，其特征在于，包含糖精和水，pH在9.7以下。

Composition for removing photoresist residue and / or polymer residue

The present invention provides a composition for removing photoresist residues and / or polymer residues in a manufacturing process of a semiconductor circuit element, and a method of removing the composition using the composition. A composition for removing photoresist residues and / or polymer residues characterized by saccharin and water comprising pH below 9.7.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于除去光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物
本专利技术涉及用于除去具有金属布线的半导体电路元件的制作工序中干法蚀刻或药液蚀刻后或者灰化后残留的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物以及使用该组合物的残渣的除去方法。
技术介绍
用于除去具有金属布线的半导体电路元件的制作工序中干法蚀刻或药液蚀刻后或者灰化后残留的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物使用以无机碱、有机碱、无机酸、有机酸、无机酸盐湖、有机酸盐等作为主要材料并与水、水溶性溶剂、配合剂、螯合剂、表面活性剂混合而得的组合物。用于除去干法蚀刻或药液蚀刻后或者灰化后残留的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物大多采用包含胺类化合物的组合物。但是，如果胺类化合物或水的含量多，则存在容易基板上的铝、钨等的金属布线或金属薄膜等发生腐蚀而金属表面腐蚀的问题。此外，如果药液处理后立即进行水洗，则由于胺类化合物和水的作用而呈强碱性，可能会腐蚀金属布线材料。可以通过在水洗前用异丙醇等进行中间清洗来应对，但作业工序增加而变得复杂。作为解决这些缺点的组合物，专利文献1中报道了将烷醇胺与有机酸混合而得的水溶液的组合物，专利文献2中报道了包含磷酸和伯胺、仲胺、叔胺或季胺的水溶液的组合物，专利文献3和4中报道了包含具有螯合效果的胺与酸及其盐的水溶液的组合物，专利文献5中报道了包含哌嗪的组合物。除此之外，专利文献6中报道了包含选自脂肪族多羧酸及其盐以及氨基多羧酸及其盐的1种以上的水溶液的组合物，专利文献7中报道了包含多元羧酸盐和二醇醚的水溶液的组合物，专利文献8中报道了包含有机酸和/或其盐与有机溶剂的水溶液的组合物。专利文献9中报道了包含磷酸铵的水溶液的组合物。包含氢氟酸或氟化铵等氟化物的组合物的含金属氧化物的残渣的除去性良好。对于包含氟化物的组合物，专利文献10中报道了包含氟化铵、极性溶剂、酸性化合物的防蚀剂的水溶液的组合物，专利文献11中报道了包含氟化合物和醚溶剂的组合物，专利文献12中报道了由氟化合物、羟基羧酸酯、水形成的组合物。另一方面，专利文献13中记载了包含糖精作为液浴稳定剂的pH超过11.5的高碱性的微电子基板清洗用组合物。此外，专利文献14和15中记载了包含氟化物的半导体基板清洗液，作为可包含的促进金属残渣溶解的螯合剂的一例记载了葡萄糖二酸。专利文献16中记载了以铵及季铵离子中的至少一种以及次磷酸和亚磷酸离子为必需成分的微电子清洗液，作为防蚀剂的一例记载了葡萄糖二酸。然而，这些文献均未对包含葡萄糖二酸的组合物进行具体的探讨。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特开平11-174690号公报专利文献2:日本专利特开2002-176041号公报专利文献3:日本专利特开2003-223010号公报专利文献4:日本专利特开2001-51429号公报专利文献5:日本专利特开2004-205674号公报专利文献6:日本专利特开平11-316464号公报专利文献7:日本专利特开2004-94034号公报专利文献8:日本专利特开2000-206709号公报专利文献9:日本专利特开2000-232063号公报专利文献10:日本专利特开2000-260761号公报专利文献11:日本专利特开2001-100436号公报专利文献12:日本专利特开2004-239966号公报专利文献13:日本专利特开2014-84464号公报专利文献14:日本专利特表2004-511917号公报专利文献15:日本专利特开2008-198994号公报专利文献16:日本专利特表2007-503115号公报专利技术的概要专利技术所要解决的技术问题上述现有技术中，存在残渣除去性不足的情况和腐蚀金属布线的问题，如果着眼于残渣除去性和各材料的防蚀性，仍未获得令人满意的组合物。例如，专利文献1中记载的组合物的金属布线的防蚀性不足，专利文献2～5中记载的组合物的残渣除去性和金属布线的防蚀性不足，专利文献6～8中记载的组合物的残渣除去性不足。专利文献9中记载的组合物不含有毒物、剧毒物，也不属于危险品，所以作业方面理想，但如果着眼于残渣除去性和金属布线的防蚀性，其特性不足。专利文献10～12中记载的组合物也在金属布线的防蚀性方面无法令人满意。因此，本专利技术的目的在于解决上述的问题，提供用于除去具有金属布线的半导体电路元件的制作工序中产生的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物以及使用该组合物的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的除去方法、包含使用该除去方法的工序的具有金属布线的半导体电路元件的制造方法及通过该制造方法制成的半导体电路元件。解决技术问题所采用的技术方案为了解决上述课题而进行认真研究的过程中，本专利技术人遇到了对于各种金属的布线形成后残留的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的除去，将水、水溶性溶剂、酸、离解性的含氮化合物适当组合的组合物有效，但不足的残渣除去性和金属布线材料的腐蚀等问题。对于这一点，本专利技术人发现通过使溶液含有糖精，特别是以pH9.7以下的条件含有糖精，可在不腐蚀金属布线材料的情况下显著提高光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的除去性，进一步进行研究后，完成了本专利技术。即，本专利技术涉及以下内容。[1]用于除去光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物，其特征在于，包含糖精和水，pH在9.7以下。[2]如上述[1]所述的组合物，其中，还包含选自(A)水溶性溶剂、(B)酸和(C)离解性的含氮化合物的1种或2种以上的物质。[3]如上述[1]或[2]所述的组合物，其中，糖精的含量在0.01质量％以上。[4]除去光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的方法，其中，使用上述[1]～[3]中的任一项所述的组合物。[5]具有金属布线的半导体电路元件的制造方法，其中，包括使用上述[1]～[3]中的任一项所述的组合物，除去残存于用于形成金属布线的结构体的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的工序。[6]半导体电路元件，其中，该元件通过上述[5]所述的制造方法制造。专利技术的效果如果采用本专利技术，通过使用于除去光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物含有糖精，特别是以pH9.7以下的条件含有糖精，干法蚀刻或药液蚀刻后的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的除去性飞跃性地提高，残渣除去与金属布线材料的蚀刻之间的选择性提高。即，糖精不仅具有作为有效成分包含聚合物成分的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的除去性，而且抑制残渣除去时的Al-Cu等的腐蚀，改善Al-Cu等的状态。通过使用本专利技术所述的包含糖精的组合物进行药液处理，可在不腐蚀金属布线材料的情况下，容易地除去基板上的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣。附图的简单说明图1是Al-Cu的布线的一部分的剖面的模式图。实施专利技术的方式以下，基于本专利技术的优选实施方式对本专利技术进行详细说明。本申请说明书中，用于除去光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物可用于除去具有金属布线的半导体电路元件的制作工序中以光致抗蚀剂为掩模进行蚀刻，再进行灰化后的残存于半导体基板的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣以及以无机材料为掩模进行干法蚀刻或药液蚀刻后的残留于半导体基板等的光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣。本专利技术中，“光致抗蚀剂残渣”表示包含来源于以光致抗蚀剂为掩模的光刻处理、蚀刻处理和采用灰化等的光致抗蚀剂掩模的剥离处理后残存的光致抗蚀剂的成分的残渣本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于除去光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物，其特征在于，包含糖精和水，pH在9.7以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.31 JP 2014-2236421.用于除去光致抗蚀剂残渣和/或聚合物残渣的组合物，其特征在于，包含糖精和水，pH在9.7以下。2.如权利要求1所述的组合物，其中，还包含选自(A)水溶性溶剂、(B)酸和(C)离解性的含氮化合物的1种或2种以上的物质。3.如权利要求1或2所述的组合物，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：清野康之，
申请(专利权)人：关东化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP