熔线元件、熔断器件、和发热体内置式熔断器件制造技术

技术编号:15397117 阅读:381 留言:0更新日期:2017-05-19 11:36
本发明专利技术提供即使对于实现了小型化的熔断器件,其快速熔断性和熔断后的绝缘性也优异的熔断器件和熔线元件。熔线元件(5)为,构成熔断器件(1)的通电路径、通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断的熔线元件(5),相比于通电方向的全长L,与通电方向正交的宽度方向的长度W更大。尤其是,熔线元件(5)具有低熔点金属层(5a)和在低熔点金属层(5a)的上下的高熔点金属层(5b),低熔点金属层(5a)在通电时侵蚀高熔点金属层(5b)从而熔断。

Fuse element, fuse element, and heat in body mounted fuse

The present invention provides fuse devices and fuse elements, even for compact devices having a fast fusing and a good insulation after fusing. Fuse element (5), a fuse (1) conduction path, current flows through the weld line exceeds the rated self heating to fuse element (5), compared to the full L direction of electricity, electricity and the width direction orthogonal to the direction of the length of the larger W. In particular, the fuse element (5) has a low melting point metal layer (5a) and a high melting point metal layer (5b) that is up and down at a low melting point metal layer (5a), and a low melting metal layer (5a) attacks a high melting metal layer (5b) when energized, thereby fusing.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】熔线元件、熔断器件、和发热体内置式熔断器件
本专利技术涉及安装到电流路径中的、在流过超过额定的电流时因自身发热而熔断从而阻断该电流路径的熔线元件和具有这样的熔线元件的熔断器件以及发热体内置式熔断器件,尤其是,涉及快速熔断性优异、熔断后的绝缘性优异的熔线元件、熔断器件和发热体内置式熔断器件。本申请以在2014年9月26日在日本提出申请的日本专利申请特愿2014-197630为基础主张优先权,通过参照该申请以引用于本申请中。
技术介绍
以往,使用在流过超过额定的电流时因自身发热而熔断,从而阻断该电流路径的熔线元件。作为熔线元件,例如大多使用将软钎料封入玻璃管的夹具固定型保险丝、在陶瓷基板表面印刷Ag电极而成的晶片保险丝、将铜电极的一部分变细来组装到塑料盒中的螺旋夹型或插入型保险丝等。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2011-82064号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是,在上述现有的熔线元件中,被指出有无法通过回流来表面安装、额定电流低、另外由于大型化而提高额定时快速熔断性差这样的问题。此外,在假定用于回流安装的快速熔断的熔断器件时,一般对于熔线元件,在熔断特性上优选熔点为300℃以上的加入有Pb的高熔点软钎料,以使得不会因回流的热而熔融。但是,在RoHS指令等中尽可能地限制含Pb软钎料的使用,今后,据认为无Pb化的要求会越来越强烈。即,作为熔线元件,要求:通过回流来表面安装成为可能且对熔断器件的安装性优异、能够提高额定来应对大电流、具有在流过超过额定的过电流时快速地阻断电流路径的快速熔断性。这里,本专利技术的目的在于提供一种即使对于实现了小型化的熔断器件,快速熔断性和熔断后的绝缘性也优异的熔断器件和熔线元件。用于解决课题的方法为了解决上述课题,本专利技术所涉及的熔线元件是构成熔断器件的通电路径,通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断的熔线元件,与通电方向上的长度相比,宽度方向上的长度更大。此外,为了解决上述课题,本专利技术所涉及的熔线元件通过具有凹陷或贯通孔,从而将通电路径分段。为了解决上述课题,本专利技术所涉及的熔断器件是具有构成通电路径,通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断的熔线元件的熔断器件,对于熔线元件,与通电方向上的长度相比,宽度方向上的长度更大。此外,为了解决上述课题,本专利技术所涉及的熔断器件通过在熔线元件中具有凹陷或贯通孔,从而将通电路径分段。为了解决上述课题,本专利技术所涉及的发热体内置式熔断器件是具有构成通电路径,通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断的熔线元件、和加热熔线元件并使之熔断的发热体的发热体内置式熔断器件,对于熔线元件,与通电方向上的长度相比,宽度方向上的长度更大。此外,为了解决上述课题,本专利技术所涉及的发热体内置式熔断器件通过在熔线元件中具有凹陷或贯通孔,从而将通电路径分段。专利技术的效果根据本专利技术,与熔线元件的通电方向上的长度相比,宽度方向上的长度更大,因而在宽度方向上变得更容易设置多个凹部或贯通孔,此外,通过设置凹部或贯通孔而将通电路径分段,因而因凹部或贯通孔而形成的窄幅部分依次熔断,从而能够抑制因自身发热而熔融、膨胀所引起的熔线元件爆发性的飞散等的发生。由此,使得通过回流来表面安装成为可能,能够通过提高额定来应对大电流,并且,在流过超过额定的过电流时使得到快速地阻断电流路径的快速熔断性成为可能。附图说明[图1]图1是显示本专利技术所应用的熔断器件一例的截面图。[图2]图2是显示熔线元件一例的立体图。[图3]图3是显示熔线元件一例的平面图。[图4]图4是显示本专利技术所应用的其他熔线元件的在低熔点金属层的上下交替地层叠多个高熔点金属层的例子的截面图。[图5]图5是显示本专利技术所应用的其他熔线元件的在低熔点金属层的上下设置高熔点金属层、进而在其上下设置抗氧化膜的例子的截面图。[图6]图6是显示本专利技术所应用的其他熔线元件的在低熔点金属层的上下设置高熔点金属层的配置了贯通孔的例子的立体图。[图7]图7是显示本专利技术所应用的其他熔线元件的在低熔点金属层的上下以及保险丝的宽度方向侧面设置高熔点金属层的例子的立体图。[图8]图8是显示形成了保护部件的熔线元件的立体图。[图9]图9是显示将第1实施方式中的熔线元件的端部弯折而形成端子部的状态的立体图。[图10]图10是显示在将第1实施方式中的熔线元件的端部弯折而形成端子部状态下设置在绝缘基板上的状态的立体图。[图11]图11是显示将第1实施方式中的熔线元件的端部弯折而形成端子部的熔断器件一例的截面图。[图12]图12是显示第2实施方式所涉及的熔线元件一例的平面图。[图13]图13是显示第2实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。[图14]图14是显示第3实施方式所涉及的熔线元件一例的平面图。[图15]图15是显示第3实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。[图16]图16是显示第4实施方式所涉及的熔线元件一例的平面图。[图17]图17是显示第4实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。[图18]图18是显示第5实施方式所涉及的熔线元件一例的平面图。[图19]图19是显示第5实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。[图20]图20是显示第6实施方式所涉及的熔线元件一例的平面图。[图21]图21是显示第6实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。[图22]图22是显示第7实施方式所涉及的熔线元件一例的截面图。[图23]图23是显示第7实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。[图24]图24是显示第8实施方式所涉及的熔线元件一例的截面图。[图25]图25是显示第8实施方式所涉及的熔线元件一例的立体图。[图26]图26是显示第8实施方式所涉及的熔线元件的其他例的立体图。[图27]图27是显示第9实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件一例的截面图。[图28]图28是显示第10实施方式所涉及的熔断器件一例的分解立体图。[图29]图29是显示第10实施方式所涉及的熔断器件一例的立体图。[图30]图30是显示第10实施方式所涉及的熔断器件一例的截面图。[图31]图31是显示第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的制造工序的立体图。[图32]图32是显示第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的制造工序的立体图。[图33]图33是显示第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的制造工序的立体图。[图34]图34是显示从表面侧观察第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的立体图。[图35]图35是显示从背面侧观察第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的立体图。[图36]图36是显示改变第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的熔线元件的例子的立体图。[图37]图37是显示改变第11实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的熔线元件的例子的平面图。[图38]图38是显示第12实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的制造工序的立体图。[图39]图39是显示第12实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的制造工序的立体图。[图40]图40是显示从表面侧观察第12实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的立体图。[图41]图41是显示从背面侧观察第12实施方式所涉及的发热体内置式熔断器件的立体图。[图42]图42是显示从表面观察第13实施方式所涉及的倒装芯片型的发热体内置式熔断器件的立体图本文档来自技高网...
熔线元件、熔断器件、和发热体内置式熔断器件

【技术保护点】
一种熔线元件,其构成熔断器件的通电路径并通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断,与通电方向的全长相比,与通电方向正交的宽度方向上的长度更大。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.26 JP 2014-1976301.一种熔线元件,其构成熔断器件的通电路径并通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断,与通电方向的全长相比,与通电方向正交的宽度方向上的长度更大。2.如权利要求1所述的熔线元件,具有低熔点金属层,和在所述低熔点金属层上层叠的高熔点金属层。3.如权利要求2所述的熔线元件,在所述低熔点金属层的上下具有所述高熔点金属层。4.如权利要求3所述的熔线元件,所述低熔点金属层在通电方向的两侧面具有高熔点金属层。5.如权利要求1~4的任一项所述的熔线元件,具有凹陷或贯通孔。6.如权利要求5所述的熔线元件,相对于该熔线元件的通电方向的全长L,所述凹陷或贯通孔的通电方向的最大长度L0小于(1/2)L。7.如权利要求5所述的熔线元件,所述凹陷或贯通孔设置成,该凹陷或贯通孔距通电方向的两个端部的距离分别为L1、L2时,在L1大于(1/4)L、L2大于(1/4)L的位置上。8.如权利要求5所述的熔线元件,所述凹陷或贯通孔在宽度方向上并列多个。9.如权利要求6所述的熔线元件,所述凹陷或贯通孔在宽度方向上并列多个。10.如权利要求7所述的熔线元件,所述凹陷或贯通孔在宽度方向上并列多个。11.如权利要求5所述的熔线元件,所述凹陷或贯通孔为圆形、矩形或菱型中的任一种。12.如权利要求6所述的熔线元件,所述凹陷或贯通孔为圆形、矩形或菱型中的任一种。13.如权利要求7所述的熔线元件,所述凹陷或贯通孔为圆形、矩形或菱型中的任一种。14.如权利要求2~4中任一项所述的熔线元件,所述低熔点金属层为软钎料,所述高熔点金属层为Ag、Cu或以Ag或Cu为主成分的合金。15.如权利要求5所述的熔线元件,所述低熔点金属层为软钎料,所述高熔点金属层为Ag、Cu或以Ag或Cu为主成分的合金。16.如权利要求6所述的熔线元件,所述低熔点金属层为软钎料,所述高熔点金属层为Ag、Cu或以Ag或Cu为主成分的合金。17.如权利要求7所述的熔线元件,所述低熔点金属层为软钎料,所述高熔点金属层为Ag、Cu或以Ag或Cu为主成分的合金。18.如权利要求2~4中任一项所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层相比,体积更大。19.如权利要求5所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层相比,体积更大。20.如权利要求6所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层相比,体积更大。21.如权利要求7所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层相比,体积更大。22.如权利要求2~4中任一项所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层的膜厚比为低熔点金属层:高熔点金属层=2:1~100:1。23.如权利要求5所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层的膜厚比为低熔点金属层:高熔点金属层=2:1~100:1。24.如权利要求6所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层的膜厚比为低熔点金属层:高熔点金属层=2:1~100:1。25.如权利要求7所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层的膜厚比为低熔点金属层:高熔点金属层=2:1~100:1。26.如权利要求22所述的熔线元件,所述低熔点金属层的膜厚为30μm以上,所述高熔点金属层的膜厚为3μm以上。27.如权利要求23所述的熔线元件,所述低熔点金属层的膜厚为30μm以上,所述高熔点金属层的膜厚为3μm以上。28.如权利要求24所述的熔线元件,所述低熔点金属层的膜厚为30μm以上,所述高熔点金属层的膜厚为3μm以上。29.如权利要求25所述的熔线元件,所述低熔点金属层的膜厚为30μm以上,所述高熔点金属层的膜厚为3μm以上。30.如权利要求2~4中任一项所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面实施镀敷来形成。31.如权利要求5所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面实施镀敷来形成。32.如权利要求6所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面实施镀敷来形成。33.如权利要求7所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面实施镀敷来形成。34.如权利要求2~4中任一项所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面贴附金属箔来形成。35.如权利要求5所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面贴附金属箔来形成。36.如权利要求6所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面贴附金属箔来形成。37.如权利要求7所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过在所述低熔点金属层的表面贴附金属箔来形成。38.如权利要求2~4中任一项所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过薄膜形成工序在所述低熔点金属层的表面形成。39.如权利要求5所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过薄膜形成工序在所述低熔点金属层的表面形成。40.如权利要求6所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过薄膜形成工序在所述低熔点金属层的表面形成。41.如权利要求7所述的熔线元件,所述高熔点金属层通过薄膜形成工序在所述低熔点金属层的表面形成。42.如权利要求2~4中任一项所述的熔线元件,在所述高熔点金属层的表面进一步形成抗氧化膜。43.如权利要求5所述的熔线元件,在所述高熔点金属层的表面进一步形成抗氧化膜。44.如权利要求6所述的熔线元件,在所述高熔点金属层的表面进一步形成抗氧化膜。45.如权利要求7所述的熔线元件,在所述高熔点金属层的表面进一步形成抗氧化膜。46.如权利要求2~4中任一项所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层交替地层叠成多个层。47.如权利要求5所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层交替地层叠成多个层。48.如权利要求6所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层交替地层叠成多个层。49.如权利要求7所述的熔线元件,所述低熔点金属层与所述高熔点金属层交替地层叠成多个层。50.如权利要求2~4中任一项所述的熔线元件,所述低熔点金属层的除了相对的2个端面之外的外周部被所述高熔点金属层被覆。51.如权利要求5所述的熔线元件,所述低熔点金属层的除了相对的2个端面之外的外周部被所述高熔点金属层被覆。52.如权利要求6所述的熔线元件,所述低熔点金属层的除了相对的2个端面之外的外周部被所述高熔点金属层被覆。53.如权利要求7所述的熔线元件,所述低熔点金属层的除了相对的2个端面之外的外周部被所述高熔点金属层被覆。54.如权利要求2~4中任一项所述的熔线元件,外周的至少一部分被保护部件保护。55.如权利要求5所述的熔线元件,外周的至少一部分被保护部件保护。56.如权利要求6所述的熔线元件,外周的至少一部分被保护部件保护。57.如权利要求7所述的熔线元件,外周的至少一部分被保护部件保护。58.如权利要求5所述的熔线元件,通过所述凹陷或贯通孔,具有并列的多个窄幅部分,所述多个窄幅部分通过超过额定电流的通电而自身发热从而熔断。59.如权利要求6所述的熔线元件,通过所述凹陷或贯通孔,具有并列的多个窄幅部分,所述多个窄幅部分通过超过额定电流的通电而自身发热从而熔断。60.如权利要求7所述的熔线元件,通过所述凹陷或贯通孔,具有并列的多个窄幅部分,所述多个窄幅部分通过超过额定电流的通电而自身发热从而熔断。61.如权利要求58所述的熔线元件,所述多个窄幅部分依次熔断。62.如权利要求59所述的熔线元件,所述多个窄幅部分依次熔断。63.如权利要求60所述的熔线元件,所述多个窄幅部分依次熔断。64.如权利要求58所述的熔线元件,一个所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于其他窄幅部分的截面积。65.如权利要求59所述的熔线元件,一个所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于其他窄幅部分的截面积。66.如权利要求60所述的熔线元件,一个所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于其他窄幅部分的截面积。67.如权利要求61所述的熔线元件,一个所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于其他窄幅部分的截面积。68.如权利要求62所述的熔线元件,一个所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于其他窄幅部分的截面积。69.如权利要求63所述的熔线元件,一个所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于其他窄幅部分的截面积。70.如权利要求58所述的熔线元件,并列3个所述窄幅部分,中间的所述窄幅部分最后熔断。71.如权利要求59所述的熔线元件,并列3个所述窄幅部分,中间的所述窄幅部分最后熔断。72.如权利要求60所述的熔线元件,并列3个所述窄幅部分,中间的所述窄幅部分最后熔断。73.如权利要求61所述的熔线元件,并列3个所述窄幅部分,中间的所述窄幅部分最后熔断。74.如权利要求62所述的熔线元件,并列3个所述窄幅部分,中间的所述窄幅部分最后熔断。75.如权利要求63所述的熔线元件,并列3个所述窄幅部分,中间的所述窄幅部分最后熔断。76.如权利要求70所述的熔线元件,中间的所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于两侧的窄幅部分的截面积。77.如权利要求71所述的熔线元件,中间的所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于两侧的窄幅部分的截面积。78.如权利要求72所述的熔线元件,中间的所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于两侧的窄幅部分的截面积。79.如权利要求73所述的熔线元件,中间的所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于两侧的窄幅部分的截面积。80.如权利要求74所述的熔线元件,中间的所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于两侧的窄幅部分的截面积。81.如权利要求75所述的熔线元件,中间的所述窄幅部分的一部分截面积或全部截面积小于两侧的窄幅部分的截面积。82.如权利要求1~4中任一项所述的熔线元件,形成有作为所述熔断器件的外部连接端子的端子部。83.如权利要求5所述的熔线元件,形成有作为所述熔断器件的外部连接端子的端子部。84.如权利要求6所述的熔线元件,形成有作为所述熔断器件的外部连接端子的端子部。85.如权利要求7所述的熔线元件,形成有作为所述熔断器件的外部连接端子的端子部。86.如权利要求26所述的熔线元件,所述高熔点金属层的膜厚为0.5μm以上。87.如权利要求27所述的熔线元件,所述高熔点金属层的膜厚为0.5μm以上。88.如权利要求28所述的熔线元件,所述高熔点金属层的膜厚为0.5μm以上。89.如权利要求29所述的熔线元件,所述高熔点金属层的膜厚为0.5μm以上。90.如权利要求1~4中任一项所述的熔线元件,该熔线元件的厚度t为与通电方向正交的宽度方向的长度W的1/30以下。91.如权利要求5所述的熔线元件,该熔线元件的厚度t为与通电方向正交的宽度方向的长度W的1/30以下。92.如权利要求6所述的熔线元件,该熔线元件的厚度t为与通电方向正交的宽度方向的长度W的1/30以下。93.如权利要求7所述的熔线元件,该熔线元件的厚度t为与通电方向正交的宽度方向的长度W的1/30以下。94.如权利要求90所述的熔线元件,该熔线元件的厚度t为与通电方向正交的宽度方向的长度W的1/60以下。95.如权利要求91所述的熔线元件,该熔线元件的厚度t为与通电方向正交的宽度方向的长度W的1/60以下。96.如权利要求92所述的熔线元件,该熔线元件的厚度t为与通电方向正交的宽度方向的长度W的1/60以下。97.如权利要求93所述的熔线元件,该熔线元件的厚度t为与通电方向正交的宽度方向的长度W的1/60以下。98.一种熔断器件,其具有构成通电路径并通过流过超过额定的电流而自身发热从而熔断的熔线元件,所述熔线元件,其与通电方向正交的宽度方向上的长度比通电方向的全长更长。99.如权利要求98所述的熔断器件,具有低熔点金属层,和在所述低熔点金属层上层叠的高熔点金属层。100.如权利要求99所述的熔断器件,所述熔线元件在所述低熔点金属层的上下具有所述高熔点金属层。101.如权利要求100所述的熔断器件,所述低熔点金属层在通电方向的两侧面具有高熔点金属层。102.如权利要求98~101中任一项所述的熔断器件,所述熔线元件具有凹陷或贯通孔。103.如权利要求102所述的熔断器件,相对于所述熔线元件中的通电方向的全长L,所述凹陷或贯通孔的通电方向的最大长度L0小于(1/2)L。104.如权利要求102所述的熔断器件,所述凹陷或贯通孔设置成,该凹陷或贯通孔距通电方向的两个端部的距离分别为L1、L2时,在L1大于(1/4)L、L2大于(1/4)L的位置上。105.如权利要求102所述的熔断器件,所述凹陷或贯通孔在宽度方向上并列多个。106.如权利要求103所述的熔断器件,所述凹陷或贯通孔在宽度方向上并列多个。107.如权利要求104所述的熔断器件,所述凹陷或贯通孔在宽度方向上并列多个。108.如权利要求102所述的熔断器件,所述凹陷或贯通孔为圆形、矩形或菱型中的任一种。109.如权利要求103所述的熔断器件,所述凹陷或贯通孔为圆形、矩形或菱型中的任一种。110.如权利要求104所述的熔断器件,所述凹陷或贯通孔为圆形、矩形或菱型中的任一种。111.如权利要求98~101中任一项所述的熔断器件,具有在绝缘基板上设置的第1和第2电极,所述熔线元件安装到所述第1和第2电极之间。112.如权利要求102所述的熔断器件,具有在绝缘基板上设置的第1和第2电极,所述熔线元件安装到所述第1和第2电极之间。113.如权利要求103所述的熔断器件,具有在绝缘基板上设置的第1和第2电极,所述熔线元件安装到所述第1和第2电极之间。114.如权利要求104所述的熔断器件,具有在绝缘基板上设置的第1和第2电极,所述熔线元件安装到所述第1和第2电极之间。115.如权利要求111所述的熔断器件,所述熔线元件与所述第1和第2电极由Sn或以Sn为主体的软钎料连接。116.如权利要求112所述的熔断器件,所述熔线元件与所述第1和第2电极由Sn或以Sn为主体的软钎料连接。117.如权利要求113所述的熔断器件,所述熔线元件与所述第1和第2电极由Sn或以Sn为主体的软钎料连接。118.如权利要求114所述的熔断器件,所述熔线元件与所述第1和第2电极由Sn或以Sn为主体的软钎料连接。119.如权利要求111所述的熔断器件,所述熔线元件与所述第1和第2电极通过超声波焊接来连接。120.如权利要求112所述的熔断器件,所述熔线元件与所述第1和第2电极通过超声波焊接来连接。121.如权利要求113所述的熔断器件,所述熔线元件与所述第1和第2电极通过超声波焊接来连接。122.如权利要求114所述的熔断器件,所述熔线元件与所述第1和第2电极通过超声波焊接来连接。123.如权利要求98~101中任一项所述的熔断器件,将所述熔线元件与绝缘基板分隔开来安装。124.如权利要求102所述的熔断器件,将所述熔线元件与绝缘基板分隔开来安装。125.如权利要求103所述的熔断器件,将所述熔线元件与绝缘基板分隔开来安装。126.如权利要求104所述的熔断器件,将所述熔线元件与绝缘基板分隔开来安装。127.如权利要求98~101中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员:米田吉弘
申请(专利权)人:迪睿合株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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