半导体激光器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法，目的在于得到一种对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化的制造方法。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。

Semiconductor laser and manufacturing method thereof

The invention relates to a semiconductor laser and its manufacturing method, suitable for semiconductor laser for laser and its manufacturing method of communication, to obtain a semiconductor laser with a groove structure for the manufacturing process of simple manufacturing method. A: the film process on the insulating film on the surface of a semiconductor substrate having a groove on the surface; the opening of the groove surface plug the insulating film adhered to the insulating film, insulating layer is formed over the semiconductor substrate; the electrode position corresponding to the semi conducting the bulk substrate exposed way of insulating layer first opening opening is formed in the process; and in the first opening of the buried layer, formed on surface of electrode process in the insulation.

【技术实现步骤摘要】
半导体激光器及其制造方法
本专利技术涉及半导体激光器及其制造方法，涉及适于通信用激光器的半导体激光器及其制造方法。
技术介绍
在专利文献1中公开了在半导体衬底具有槽的半导体激光器及其制造方法。在该半导体激光器中，电极穿过槽的上部而进行配线。在形成电极时，首先用抗蚀层将槽掩埋。接下来，在抗蚀层的上表面形成电极。然后，将抗蚀层去除。专利文献1：日本特开2010－135731号公报在专利文献1公开的制造方法中，为了将电极在槽的上部进行配线，暂时用抗蚀层将槽掩埋。因此，制造工艺复杂化。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述的问题而提出的，其第1目的在于得到一种制造方法，该制造方法对于具有槽构造的半导体激光器而使制造工艺简单化。第2目的在于得到一种半导体激光器，该半导体激光器具有能够使制造工艺简单化的构造。具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。具有：半导体衬底，其具有槽；绝缘层，其形成在所述半导体衬底的上部；第1开口，其以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式设置在所述绝缘层；以及电极，其在所述绝缘层的上表面以将所述第1开口掩埋的方式形成，所述绝缘层具有：绝缘膜，其形成在所述半导体衬底的表面；以及绝缘薄膜，其在所述绝缘膜的上部，以将所述槽的开口面封堵的方式设置。专利技术的效果在本专利技术的半导体激光器的制造方法中，以将半导体衬底所具有的槽的开口面封堵的方式粘贴绝缘薄膜。其结果，在半导体衬底之上形成绝缘层。电极设置在绝缘层的上表面。因此，不需要用抗蚀层将槽掩埋的工序。因此，制造工艺简单化。另外，关于本专利技术的半导体激光器，在槽的开口面处，在电极的下表面配置有绝缘薄膜。在该构造中，在形成电极时，能够在绝缘薄膜的上表面形成电极。绝缘薄膜能够跨越槽而形成，而没有用抗蚀层将槽掩埋。因此，不需要用抗蚀层将槽掩埋的工序。因此，制造工艺简单化。另外，在槽的开口面处，通过干膜而将电极加强。因此，电极的强度提高。附图说明图1是表示在本专利技术的实施方式1中，在半导体衬底的上表面设置有绝缘膜的状态的剖视图。图2是表示在本专利技术的实施方式1中，在图1之上粘贴了绝缘薄膜的状态的剖视图。图3是表示在本专利技术的实施方式1中，在图2之上涂敷了光致抗蚀层的状态的剖视图。图4是表示在本专利技术的实施方式1中，在图3设置了开口的状态的剖视图。图5是表示在本专利技术的实施方式1中，从图4将光致抗蚀层去除后的状态的剖视图。图6是表示在本专利技术的实施方式1中，在图5设置了电极的状态的剖视图。图7是表示在本专利技术的实施方式2中，在图2之上形成了硬掩模的状态的剖视图。图8是表示在本专利技术的实施方式2中，在图7设置了开口的状态的剖视图。图9是表示在本专利技术的实施方式2中，在图8设置了电极的状态的剖视图。图10是表示在本专利技术的实施方式3中，在图1之上设置了永久抗蚀层的状态的剖视图。图11是表示在本专利技术的实施方式3中，在图10设置了开口的状态的剖视图。图12是表示在本专利技术的实施方式4中，在图5还设置了第2开口的状态的剖视图。图13是表示在本专利技术的实施方式4中，在图12设置了电极的状态的剖视图。图14是表示在本专利技术的实施方式4中，在图13设置了键合线的状态的剖视图。标号的说明10半导体激光器，12半导体衬底，13开口面，14槽，15中空部，16绝缘膜，18电极对应部位，19键合对应部位，20绝缘薄膜，30干膜，36永久抗蚀层，40光致抗蚀层，45硬掩模，50、52、54电极，51金属层，60、62、64、66第1开口，70第2开口，80键合线，120、124、128、130绝缘层具体实施方式参照附图对本专利技术的实施方式所涉及的半导体激光器10及其制造方法进行说明。对相同或对应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复说明。实施方式1.图1～图6是表示实施方式1所涉及的半导体激光器10的制造方法的剖视图。在图1中，半导体衬底12具有槽14及台面部17，该台面部17的两侧被槽14夹着。另外，半导体衬底12在台面部17的上表面具有电极对应部位18。图1所示的构造能够通过下述的工序形成。首先，在半导体衬底12的表面对绝缘膜16进行成膜(步骤1)。接下来，按下述的顺序在绝缘膜16设置开口。首先在绝缘膜16的上表面涂敷抗蚀层(步骤2)。接下来，通过光刻对抗蚀层进行图案化(步骤3)。接下来，将图案化后的抗蚀层作为蚀刻掩模而对绝缘膜16进行蚀刻(步骤4)。接下来将抗蚀层去除(步骤5)。其结果，如图1所示在绝缘膜16设置开口，电极对应部位18露出。接下来，如图2所示，在绝缘膜16的上表面粘贴绝缘薄膜20(步骤6)。绝缘薄膜20以将槽14的开口面13的一部分封堵的方式进行粘贴。由此，在槽14和绝缘薄膜20之间形成中空部15。其结果，在半导体衬底12的上表面形成绝缘层120。绝缘层120具有绝缘膜16、绝缘薄膜20及中空部15。绝缘薄膜20是使用半导体用贴膜机进行粘贴的。此外，绝缘薄膜20能够跨越槽而形成，而没有用抗蚀层将槽掩埋。另外，在绝缘膜16和绝缘薄膜20之间，设置有用于粘接绝缘薄膜20的粘接层。在本实施方式中，绝缘薄膜20是干膜30。此外，干膜30使用绝缘性、耐湿性及强度高的聚酰亚胺薄膜或者由丙烯酸类树脂、环氧类树脂构成的薄膜。干膜30的厚度优选为1～10微米。接下来，按下述的顺序，在设置于绝缘膜16的开口的上部，在干膜30设置开口。首先，如图3所示，在干膜30的上表面涂敷光致抗蚀层40(步骤7)。接下来，形成图4所示的构造。首先，通过光刻对光致抗蚀层40进行图案化(步骤8)。接下来，将图案化后的光致抗蚀层40作为蚀刻掩模而对干膜30进行蚀刻(步骤9)。其结果，在干膜30形成开口。接下来，如图5所示，将光致抗蚀层40去除(步骤10)。因此，通过步骤2～5及步骤7～10，以使电极对应部位18露出的方式在绝缘层120形成第1开口60。在本实施方式中，步骤2～5及步骤7～10构成开口形成工序。接下来，如图6所示，以将第1开口60掩埋的方式在绝缘层120的上表面形成电极50。电极50通过下面所示的剥离工艺而形成。首先，在绝缘层120的上表面涂敷抗蚀层(步骤11)。接下来，通过光刻对抗蚀层进行图案化(步骤12)。接下来，在绝缘层120及图案化后的抗蚀层的表面对金属层51进行成膜(步骤13)。此时，金属层51以将第1开口60掩埋的方式形成。接下来，将抗蚀层去除(步骤14)。其结果，抗蚀层上部的金属层51被去除，形成电极50。电极50的材料由金、镍、钛、铂、钼、金合金或者它们的多层膜形成。作为在半导体衬底具有槽的半导体激光器对电极进行配线的其他方法，想到暂时用抗蚀层将槽掩埋的方法。在该方法中，首先用抗蚀层将槽掩埋，进行平坦化。接下来，在抗蚀层的上表面形成电极。接下来将抗蚀层去除。在该方法中，由于用抗蚀层将槽掩埋，因此制造的工序增加，制造工艺复杂化。与此相对，在通过本实施方式得到的半导体激光器10中，在绝缘层120的上表面形成电极50。因此，不需要用抗蚀层将槽1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面的至少一部分封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。

【技术特征摘要】
2015.11.09 JP 2015-2191621.一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，具有：在具有槽的半导体衬底的表面对绝缘膜进行成膜的工序；以将所述槽的开口面的至少一部分封堵的方式将绝缘薄膜粘贴至所述绝缘膜的上表面，在所述半导体衬底之上形成绝缘层的工序；以使所述半导体衬底的电极对应部位露出的方式在所述绝缘层设置第1开口的开口形成工序；以及以将所述第1开口掩埋的方式，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序。2.根据权利要求1所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述绝缘薄膜是干膜，所述开口形成工序包含：在所述绝缘薄膜的上表面涂敷光致抗蚀层的工序；通过光刻对所述光致抗蚀层进行图案化的工序；以及将图案化后的光致抗蚀层作为蚀刻掩模而对所述干膜进行蚀刻的工序。3.根据权利要求1所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述绝缘薄膜是永久抗蚀层，所述开口形成工序具有通过光刻对所述永久抗蚀层进行图案化的工序。4.根据权利要求1所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，形成所述绝缘层的工序包含在所述绝缘薄膜的上表面对硬掩模进行成膜的工序，所述开口形成工序包含：通过蚀刻对所述硬掩模进行图案化的工序；以及将图案化后的硬掩模作为蚀刻掩模而对所述绝缘薄膜进行蚀刻的工序。5.根据权利要求4所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，所述绝缘薄膜是干膜。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体激光器的制造方法，其特征在于，在所述绝缘层的上表面形成电极的工序包含：在所述绝缘层的上表面涂敷抗蚀层的工序；通过光刻对所述抗蚀层进行图案化的工序；在所述绝缘层及图案化后的抗蚀层的上表面以将所述第1开口掩埋的方式对金属层进行成膜的工序；以及通过将所述抗蚀层去除...

【专利技术属性】
技术研发人员：南政史，玉田尚久，上野贵宽，北川宽士，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP