A silicon based laser induced waveguide grating based on the carrier, and relates to the technical field of optoelectronic devices, the main purpose is to solve the output laser wavelength tuning process in the prior cavity grating structure is complex, the tuning speed, large structure size, high production costs and difficult and silicon-based devices integration and other issues. Including the substrate are sequentially arranged from the bottom of the buffer layer (1), (2), optical packet layer (3) and lower barrier layer (4), an active layer (7), on the barrier layer (8), (9) on the cladding layer and an ohmic contact layer (10), (under the barrier layer 4) is also arranged on the active layer (7) are located on both sides of the first grating (5) and second (6) grating.
【技术实现步骤摘要】
一种基于载流子诱导波导光栅的硅基可调谐激光器
本专利技术属于光电子器件
,具体涉及一种基于载流子诱导波导光栅的硅基可调谐激光器。
技术介绍
随着人们对大容量、高速和低成本的信息传播的要求越来越迫切,制作高密度集成、低成本、超快传输速率和高抗干扰性的器件成为科研人员长期奋斗的目标。由于硅与传统的CMOS工艺兼容性很好,利于集成;其在地壳中含量高,能有效降低器件成本;同时硅对通信波段透明,光学损耗较低;此外硅折射率大,具有优秀的波导性能;特别是绝缘体上硅(SOI)具有高折射率差,能使器件结构紧凑,有效减小器件尺寸等优势,硅材料被广泛应用于制作各种半导体集成器件。虽然近年来硅基光电子学得以蓬勃发展,但硅基光源一直没有得到真正的解决,成为制约硅基光电子学发展的瓶颈,由于硅是间接带隙半导体,发光效率不高,使得硅不适合作为发光材料,同时由于III-V族化合物半导体材料制成的光源成本较高,使人们一直没有放弃尝试在硅上制作激光器的努力。目前,已有科学家利用直接分子键合和DVS-BCB粘合等方法,可以将III-V族材料集成到SOI衬底上,在低温情况下,对硅上生长高质量的铟磷层,制备高性能的硅基铟磷激光器,这些研究成果使得硅基光源获得了巨大的进展,使人们对制备成熟大规模应用的硅基激光器具有极大的信心。同时,中国科学院半导体研究所方青等人设计了一种载流子诱导波导光栅,如图2所示,该图为载流子诱导波导光栅结构的俯视图,图中加点区域为掺杂区,周期性分布的P掺杂区形成在波导芯层的一侧,每个掺杂区域相隔间距L,周期性分布的N掺杂区形成在波导芯层的另一侧,与P掺杂区相隔间距为W,其 ...
【技术保护点】
一种基于载流子诱导波导光栅的硅基可调谐激光器,其特征在于:包括从下至上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、下光包层(3)、下势垒层(4)、有源层(7)、上势垒层(8)、上光包层(9)和欧姆接触层(10),下势垒层(4)上还设置有分别位于有源层(7)两侧的第一光栅(5)和第二光栅(6)。
【技术特征摘要】
1.一种基于载流子诱导波导光栅的硅基可调谐激光器,其特征在于:包括从下至上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、下光包层(3)、下势垒层(4)、有源层(7)、上势垒层(8)、上光包层(9)和欧姆接触层(10),下势垒层(4)上还设置有分别位于有源层(7)两侧的第一光栅(5)和第二光栅(6)。2.根据权利要求1所述的基于载流子诱导波导光栅的硅基可调谐激光器,其特征在于:第一光栅(5)和第二光栅(6)为载流子诱导波导光栅结构。3.根据权利要求1所述的基于载流子诱导波导光栅的硅基可调谐激光器,其特征在于:第一光栅(5)和第二光栅(6)具有相同的中心波长,在偏压调节下,第一光栅(5)和第二光栅(6)对中心波长具有高的反射性。4.根据权利要求1所述的基于载流子诱导波导光栅的硅基可调谐激光器,其特征在于:所述衬底(1)为...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆荣国,刘天良,田朝辉,杨忠华,叶胜威,夏瑞杰ManojKumarShah,张尚剑,刘永,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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