The invention discloses a chip of a light-emitting diode and a manufacturing method thereof, belonging to the field of semiconductor technology. The chip includes a sapphire substrate, and sequentially stacked N type GaN layer on the sapphire substrate, the light emitting layer, P GaN layer, transparent conductive film, N type welding plate is provided in the N GaN layer, P type welding plate is provided in the P GaN layer, P type electrode is arranged in the transparent conductive line film and P type pad extend P type electrode line, transparent conductive film and a N type GaN layer are arranged on the passivation layer, N type and P type pad pad is composed of a first material layer, P type electrode line is composed of the first layer and the second layer, the first layer of material including Cr layer, Al layer, Ti layer, Au layer, Pt layer, Ni layer, one or more of the second material layer is NiPt layer, Ni layer and Pt layer are alternately stacked to form a superlattice layer or TiW layer. The invention can avoid electromigration phenomenon in the Al layer.
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管的芯片及其制作方法
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种发光二极管的芯片及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode,简称LED)是一种半导体发光器件,被广泛用于指示灯、显示屏等领域。白光LED是继白炽灯和日光灯之后的第三代电光源,能耗仅为白炽灯的八分之一,荧光灯的二分之一,寿命长达十万小时,对于普通家庭照明可谓“一劳永逸”。传统的LED芯片一般采用Al作为电极材料,可适用于大多数情况,但是在大电流下,静电电场驱动电子高速运动,与Al原子发生猛烈碰撞,导致电极线中局部区域出现空洞而发生断路,产生电迁移现象。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题,本专利技术实施例提供了一种发光二极管的芯片及其制作方法。所述技术方案如下:一方面,本专利技术实施例提供了一种发光二极管的芯片,所述芯片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层、透明导电薄膜,所述P型GaN层上开设有延伸至所述N型GaN层的凹槽,N型焊盘设置在所述N型GaN层上,P型焊盘设置在所述P型GaN层上,P型电极线设置在所述透明导电薄膜上且自所述P型焊盘向外延伸,所述P型电极线、所述透明导电薄膜、所述凹槽的侧壁和所述N型GaN层上均设有钝化层,所述N型焊盘和所述P型焊盘均由第一材料层组成,所述P型电极线由第一材料层和层叠在所述第一材料层上的第二材料层组成,所述第一材料层包括以下各层中的一种或多种:Cr层、Al层、Ti层、Au层、Pt层、Ni层,所述第二材料层为以下各层中的一种:NiPt层、Ni层和Pt层交替层叠形成的超晶格 ...
【技术保护点】
一种发光二极管的芯片,所述芯片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层、透明导电薄膜,所述P型GaN层上开设有延伸至所述N型GaN层的凹槽,N型焊盘设置在所述N型GaN层上,P型焊盘设置在所述P型GaN层上,P型电极线设置在所述透明导电薄膜上且自所述P型焊盘向外延伸,所述P型电极线、所述透明导电薄膜、所述凹槽的侧壁和所述N型GaN层上均设有钝化层,其特征在于,所述N型焊盘和所述P型焊盘均由第一材料层组成,所述P型电极线由第一材料层和层叠在所述第一材料层上的第二材料层组成,所述第一材料层包括以下各层中的一种或多种:Cr层、Al层、Ti层、Au层、Pt层、Ni层,所述第二材料层为以下各层中的一种:NiPt层、Ni层和Pt层交替层叠形成的超晶格层、TiW层。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的芯片,所述芯片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层、透明导电薄膜,所述P型GaN层上开设有延伸至所述N型GaN层的凹槽,N型焊盘设置在所述N型GaN层上,P型焊盘设置在所述P型GaN层上,P型电极线设置在所述透明导电薄膜上且自所述P型焊盘向外延伸,所述P型电极线、所述透明导电薄膜、所述凹槽的侧壁和所述N型GaN层上均设有钝化层,其特征在于,所述N型焊盘和所述P型焊盘均由第一材料层组成,所述P型电极线由第一材料层和层叠在所述第一材料层上的第二材料层组成,所述第一材料层包括以下各层中的一种或多种:Cr层、Al层、Ti层、Au层、Pt层、Ni层,所述第二材料层为以下各层中的一种:NiPt层、Ni层和Pt层交替层叠形成的超晶格层、TiW层。2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述第一材料层的厚度为0.5~5μm。3.根据权利要求1或2所述的芯片,其特征在于,所述第二材料层的厚度为0.5~5μm。4.根据权利要求1或2所述的芯片,其特征在于,所述透明导电薄膜的材料为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃、镓掺杂的氧化锌透明导电玻璃、氧化锌中的一种。5.根据权利要求1或2所述的芯片,其特征在于,所述钝化层的材料为SiO2或者Si3N4,所述钝化层的厚度为50~5000nm。6.一种发光二极管的芯片的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:在蓝宝石衬底上依次...
【专利技术属性】
技术研发人员:尹灵峰,王江波,
申请(专利权)人:华灿光电浙江有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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