The invention discloses a surface texturing method of a polysilicon film, the first second corrosion and corrosion on the polysilicon after cleaning successively complete texturing, first corrosion, the cleaned diamond cut silicon first immersed in corrosion solution corrosion, corrosion second, after polysilicon the first time after corrosion by atomizing second corrosion solution forming fog corrosion. The method of the invention is simple, low cost, no need to use any precious metals, without the use of large equipment is expensive, and the method can cut down the polysilicon film surface texturing in diamond wire, the diamond wire cutting surface reflectivity of polycrystalline silicon solar cell is the lowest under 10%. The method has the advantages of simple method, low cost, no need to use any precious metal, no need for expensive large equipment, and strong commercial application prospect.
【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅片的表面制绒方法
本专利技术属于太阳能电池制造
,具体涉及一种多晶硅片的表面制绒方法。
技术介绍
目前,晶体硅是最重要的太阳电池材料,占据了90%以上的市场份额。晶体硅主要分为单晶硅和多晶硅。由于多晶硅的成本更低,其市场份额一直超越单晶硅占光伏市场的主导。对于多晶硅太阳电池来讲,如何提高电池效率同时降低成本是目前的研究热点。在硅片上制备绒面能够有效降低光反射率,增加光吸收,从而提高太阳电池的效率。金刚线切割多晶硅片具有切割速度快、精度高、原材料损耗小等优点,但是其绒面制备是摆在众多研究者面前的难题。不同于砂浆线切割的多晶硅片,金刚线切割多晶硅片难以使用传统的酸制绒工艺制备出较好的绒面。利用反应离子刻蚀(RIE)、激光刻槽等干法刻蚀法虽然可以制备出较为均匀、反射率较低的绒面,但是这些方法的成本很高且设备昂贵,硅片表面也会形成较为严重的机械损伤。利用金属辅助催化腐蚀法制备绒面,其成本较高,同时,含贵金属的废液处理也是需要注意的问题,工业化生产较为困难。因而,如何低成本制备出减反射效果较好的金刚线切割多晶硅片的绒面是目前的难点。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种多晶硅片的表面制绒方法,该方法适用于在金刚线切割多晶硅的表面制备绒面,能够有效降低硅片反射率,提高太阳电池效率,且该方法较现有的金刚线切割多晶硅表面制绒方法,成本更加低廉。本专利技术的一种多晶硅片的表面制绒方法,依次对清洗后的多晶硅片进行第一次腐蚀和第二次腐蚀即完成制绒,第一次腐蚀时,将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀溶液中腐蚀,第二次腐蚀时,将经过第一次腐蚀后的 ...
【技术保护点】
一种多晶硅片的表面制绒方法,其特征在于,依次对清洗后的多晶硅片进行第一次腐蚀和第二次腐蚀即完成制绒,第一次腐蚀时,将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀溶液中腐蚀,第二次腐蚀时,将经过第一次腐蚀后的多晶硅片置于由第二腐蚀溶液的雾化形成的雾中进行腐蚀。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅片的表面制绒方法,其特征在于,依次对清洗后的多晶硅片进行第一次腐蚀和第二次腐蚀即完成制绒,第一次腐蚀时,将清洗后的金刚线切割多晶硅片浸没于第一腐蚀溶液中腐蚀,第二次腐蚀时,将经过第一次腐蚀后的多晶硅片置于由第二腐蚀溶液的雾化形成的雾中进行腐蚀。2.如权利要求1所述的多晶硅片的表面制绒方法,其特征在于,所述多晶硅片为金刚线切割的多晶硅片。3.如权利要求1或2所述的多晶硅片的表面制绒方法,其特征在于,第一腐蚀溶液为HF,HNO3和去离子水的混合溶液。4.如权利要求3所述的多晶硅片的表面制绒方法,其特征在于,所述第一腐蚀溶液中各组分体积比为:HF:HNO3:DI=1:(0.5~6):(1.5~7),其中,HF表示浓度为49%的氢氟酸,HNO3表示浓度为65%的硝酸DI表示去离...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪雷,张军娜,唐勋,刘友博,蔡辉,杨德仁,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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