一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片，属太阳能光伏发电技术领域，包括负电极段层，聚光光伏电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极段层，另一面覆上正电极层，所述负电极段层之外的部分为有效面积该种电池芯片能极大地减少聚光光伏电池基材材料的用量，这样就能减少聚光光伏电池芯片的制作成本，随着透镜聚光倍数的增高，增大电极段宽度的同时，通过调整电极为电极段，保持了受光面积的不变性，达到聚光光伏系统整体的发电效率不减少，通过增大负电极段的长度、宽度和厚度，能保证在增大透镜的放大倍数之后，汇聚光转换为大电流电能能顺利通过负电极段导出来。

Double I section type large current concentrating photovoltaic cell chip

The invention relates to a double I type high current photovoltaic battery chip, belonging to the solar photovoltaic technology field, including a negative electrode layer, a substrate layer concentrating photovoltaic battery, the positive electrode layer and the effective area of the photovoltaic cells on the negative electrode substrate layer overlying a section layer, the other surface is covered on the positive electrode outside layer, the negative electrode section part is the effective area of the battery chip can greatly reduce the amount of base material for photovoltaic cells, which can reduce the production cost of photovoltaic battery chip, with the increase of lens multiples, the increase of electrode width at the same time, by adjusting the electrode electrode, maintain by the invariance of light area, to achieve the overall efficiency of the power generation system of concentrator photovoltaic is not reduced, by length, width and thickness increases the negative charge period, can ensure that the lens increases After the amplification, the collector is converted to a high current, and the energy can be transmitted smoothly through the negative electrode section.

【技术实现步骤摘要】
一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片
本专利技术涉及一种光伏发电部件，具体涉及一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片，属太阳能光伏发电

技术介绍
通常，聚光光伏发电系统所寻求的主要益处是在聚光光伏电池芯片的有效面积上得到从菲涅尔透镜汇聚的高密度太阳光。透镜的倍数越高，得到太阳光的密度越高，相同面积上使用的聚光光伏电池芯片越少，单位面积上的发电成本就越低。目前通常从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑都为正方形，该焦斑的形状和大小也通常和聚光光伏电池芯片的形状和大小一致，从而使菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑可以完全汇聚到聚光光伏电池芯片上。但是在实际应用中，聚光光伏电池芯片上的负电极层总是小于聚光光伏电池基材层，由于聚光光伏电池基材层上的基材材料相对很贵（一个平方厘米大小的基材材料大约在50元人民币左右），这样就极大浪费了聚光光伏电池基材层的基材材料；另外，随着透镜倍数的增高，聚光光伏电池芯片受光面上的电极将会增大，这样就会减小聚光光伏电池芯片的有效受光面积，同时由于透镜的汇聚率不可能达到100%，在有效受光面外面（特别是在聚光光伏电池芯片的电极上的汇聚光）的汇聚光也不能转换为电，这样也会大大降低聚光光伏系统的发电效率,同时随着透镜倍数的增加，汇聚到聚光光伏电池芯片上的太阳光就越多，经过聚光光伏电池芯片转换出来的电能就越多，电能的增加直接导致电流的增加，这样就很容易将聚光光伏电池芯片的负极损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片，该电池芯片在于克服现有技术的不足。为了实现上述技术目的，本专利技术采取的技术方案是：一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片，其特征是，它包括负电极段层，聚光光伏电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极段层，另一面覆上正电极层，所述负电极段层之外的部分为有效面积。所述负电极段层为平整I字形形状，负电极段的长度为1~2毫米，宽度为0.5~1.5毫米，厚度为0.5~1毫米，负电极段层和聚光光伏电池基材层其中两个相对端面完全重合。所述聚光光伏电池基材层为GaInP（磷化铟嫁）/GaAs（砷化镓）/Ge（锗）三层组合体。所述正电极层为一完全密封的平面，正电极层面积形状和聚光光伏电池基材层面积形状完全一样。所述有效面积为正方形形状。本专利技术的优点和积极效果是：1、该种电池芯片能极大地减少聚光光伏电池基材材料的用量，这样就能减少聚光光伏电池芯片的制作成本，2、随着透镜聚光倍数的增高，增大电极段宽度的同时，通过调整电极为电极段，保持了受光面积的不变性，达到聚光光伏系统整体的发电效率不减少，3、通过增大负电极段的长度、宽度和厚度，能保证在增大透镜的放大倍数之后，汇聚光转换为大电流电能能顺利通过负电极段导出来。附图说明图1为一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片主视图。图2为一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片俯视图。其中：1、负电极段层，2、聚光光伏电池基材层，3、正电极层，4、有效面积。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片，如图1～2所示，包括负电极段层1，聚光光伏电池基材层2，正电极层3和有效面积4，所述聚光光伏电池基材层2一面覆上负电极段层1，另一面覆上正电极层3，所述负电极段层1之外的部分为有效面积4，所述负电极段层1为平整I字形形状，负电极段的长度为1~2毫米，宽度为0.5~1.5毫米，厚度为0.5~1毫米，所述负电极段层1和聚光光伏电池基材层2其中两个相对端面完全重合，这样就完全利用了聚光光伏电池基材层，从而达到节约聚光光伏电池基材层基材材料的目的；另外增大负电极段的宽度，就能保证在增大透镜的放大倍数之后，汇聚光转换为大电流电能能顺利通过负电极段导出来，同时负电极段宽度的增大之外的有效面积和原负电极之外的有效面积不变。本专利技术中，作为变行实施例，聚光光伏电池芯片的正电极层和负电极段层也可以交换过来设定制作，负电极段层和聚光光伏电池基材层其中任意两个相对端面完全重合，故本专利技术的权利保护范围以权利要求书限定的范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片，其特征是，它包括负电极段层，聚光光伏电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极段层，另一面覆上正电极层，所述负电极段层之外的部分为有效面积。

【技术特征摘要】
1.一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片，其特征是，它包括负电极段层，聚光光伏电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极段层，另一面覆上正电极层，所述负电极段层之外的部分为有效面积。2.根据权利要求1所述的一种双I段型耐大电流聚光光伏电池芯片，其特征是，所述负电极段层为平整I字形形状，负电极段的长度为1~2毫米，宽度为0.5~1.5毫米，厚度为0.5~1毫米，负电极段层和聚光光伏电池基材层其中两个相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永向，
申请(专利权)人：成都聚合科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51