一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片，属太阳能光伏发电技术领域，包括负电极层，聚光光伏电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极层，另一面覆上正电极层，所述负电极层之外的部分为有效面积，该种电池芯片能极大地减少聚光光伏电池基材材料的用量，这样就能减少聚光光伏电池芯片的制作成本；通过增大负电极段的长度、宽度和厚度，能保证在增大透镜的放大倍数之后，汇聚光转换为大电流电能能顺利通过负电极段导出来。

Single I type high current concentrating photovoltaic cell chip

The invention relates to a single I type high current photovoltaic battery chip, belonging to the solar photovoltaic technology field, including a negative electrode layer, a substrate layer concentrating photovoltaic battery, the positive electrode layer and the effective area of the photovoltaic cells on the negative electrode substrate layer side cover layer, the other surface is covered on the electrode layer. In addition to the negative electrode layer part is the effective area of the battery chip can greatly reduce the amount of base material for photovoltaic cells, which can reduce the production cost of photovoltaic battery chip; through the length, width and thickness increases the negative charge period, can guarantee that after the lens increases the magnification, convergent light conversion for the large current power can pass the negative electrode lead out section.

【技术实现步骤摘要】
一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片
本专利技术涉及一种光伏发电部件，具体涉及一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片，属太阳能光伏发电

技术介绍
通常，聚光光伏发电系统所寻求的主要益处是在聚光光伏电池芯片的有效面积上得到从菲涅尔透镜汇聚的高密度太阳光。透镜的倍数越高，得到太阳光的密度越高，相同面积上使用的聚光光伏电池芯片越少，单位面积上的发电成本就越低。目前通常从菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑都为正方形，该焦斑的形状和大小也通常和聚光光伏电池芯片的形状和大小一致，从而使菲涅尔透镜汇聚过来的焦斑可以完全汇聚到聚光光伏电池芯片上。但是在实际应用中，聚光光伏电池芯片上的负电极层总是小于聚光光伏电池基材层，由于聚光光伏电池基材层上的基材材料相对很贵（一个平方厘米大小的基材材料大约在50元人民币左右），这样就极大浪费了聚光光伏电池基材层的基材材料,同时随着透镜倍数的增加，汇聚到聚光光伏电池芯片上的太阳光就越多，经过聚光光伏电池芯片转换出来的电能就越多，电能的增加直接导致电流的增加，这样就很容易将聚光光伏电池芯片的负极损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片，该电池芯片在于克服现有技术的不足。为了实现上述技术目的，本专利技术采取的技术方案是：一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片，其特征是，它包括负电极层，聚光光伏电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极层，另一面覆上正电极层，所述负电极层之外的部分为有效面积。所述负电极层为平整I字形形状，负电极层的长度为1~2毫米，宽度为0.5~1.5毫米，厚度为0.5~1毫米，负电极层和聚光光伏电池基材层其中一个端面完全重合。所述聚光光伏电池基材层为GaInP（磷化铟嫁）/GaAs（砷化镓）/Ge（锗）三层组合体。所述正电极层为一完全密封的平面，正电极层面积形状和聚光光伏电池基材层面积形状完全一样。所述有效面积为正方形形状。本专利技术的优点和积极效果是：1、该种电池芯片能极大地减少聚光光伏电池基材材料的用量，这样就能减少聚光光伏电池芯片的制作成本；2、通过增大负电极段的长度、宽度和厚度，能保证在增大透镜的放大倍数之后，汇聚光转换为大电流电能能顺利通过负电极段导出来。附图说明图1为一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片主视图。图2为一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片俯视图。其中：1、负电极层，2、聚光光伏电池基材层，3、正电极层，4、有效面积。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片，如图1～2所示，包括负电极层1，聚光光伏电池基材层2，正电极层3和有效面积4，所述聚光光伏电池基材层2一面覆上负电极层1，另一面覆上正电极层3，所述负电极层1之外的部分为有效面积4，所述负电极层1为平整I字形形状，负电极层1的长度为1~2毫米，宽度为0.5~1.5毫米，厚度为0.2~1毫米，负电极层1和聚光光伏电池基材层2其中一个端面完全重合，既能保证大电流很顺畅地通过正电极层3和负电极层1引导出来，也能保证各电极层和连接线能承受超过50安培的额定电流，同时还能保证很好地焊接或者绑定200um~1mm的导线，且导线线头不会进入到聚光光伏电池芯片的有效面积内，负电极层和聚光光伏电池基材层其中一个端面完全重合，这样就完全利用了聚光光伏电池基材层，从而达到节约聚光光伏电池基材层基材材料的目的。本专利技术中，作为变行实施例，聚光光伏电池芯片的正、负电极层也可以交换过来设定制作，负电极层和聚光光伏电池基材层其中任意一个端面完全重合，故本专利技术的权利保护范围以权利要求书限定的范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片，其特征是，它包括负电极层，聚光光伏电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极层，另一面覆上正电极层，所述负电极层之外的部分为有效面积。

【技术特征摘要】
1.一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片，其特征是，它包括负电极层，聚光光伏电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极层，另一面覆上正电极层，所述负电极层之外的部分为有效面积。2.根据权利要求1所述的一种单I型耐大电流聚光光伏电池芯片，其特征是，所述负电极层为平整I字形形状，负电极层的长度为1~2毫米，宽度为0.5~1.5毫米，厚度为0.5~1毫米，负电极层和聚光光伏电池基材层其中一个端面完...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永向，
申请(专利权)人：成都聚合科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51