The invention provides a preparation method of thin film transistor, thin film transistor and display device, the method includes: through the patterning process on a substrate to the gate electrodes are formed, the electrode insulating layer, an active layer; forming carbon film, the carbon film is covered on the active layer and the insulating layer is formed on the electrode; the metal film, the metal film is covered on the carbon layer; patterning process by forming a source electrode and a drain electrode, method of fabricating thin film transistor provided by the invention, the preparation of active layer in the business when the introduction of carbon film with a layer to avoid in the source and drain electrodes in the preparation process of etching agent on damage the active layer, improve the process stability of the active layer and the yield of the TFT process, the conductive carbon film with excellent properties can also achieve a source electrode and a drain electrode and the active layer of good conduction, can also be To use the electric properties of carbon film excellent in substrate TFT LCD formed on the carbon film touch electrode, so that the TFT LCD integrated touch function.
【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管以及显示器件
本专利技术涉及TFT-LCD
,特别是涉及一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管以及显示器件。
技术介绍
TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay)是目前的主流显示产品,近年来各大面板厂商都在不断扩大生产规模,市场需求近几年随着智能手机,电视的普及越来越大,提高生产效率和生产高质量的背板是占领市场的关键。但TFT技术中铟镓锌氧化物IGZO(IndiumGalliumZincOxide)、a-Si等有源层在制程中的稳定性问题一直是困扰其量产的关键因素,BCE(BackChannelEtchant,背沟槽蚀刻)结构的TFT的金属蚀刻剂对有源层的损伤是造成TFT制程不稳定的原因之一,现有的各种保护膜层保护效果不是很理想。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管的制备方法、晶体管以及显示器件,以解决现有的各种有源层保护膜层保护效果不是很理想的问题。为了解决上述问题,本专利技术公开了一种薄膜晶体管的制备方法,包括:在衬底基板上通过构图工艺依次形成栅电极,电极绝缘层,有源层;形成碳膜层,所述碳膜层覆盖在所述有源层和所述电极绝缘层上;形成金属膜层,所述金属膜层覆盖在所述碳膜层上;通过构图工艺形成源电极和漏电极。优选地,所述通过构图工艺形成源电极和漏电极之后还包括:去除未被所述源电极、漏电极覆盖的碳膜层。优选地,所述通过构图工艺形成源电极和漏电极之后还包括:在所述碳膜层上覆盖光刻保护胶层;通过构图工艺形成光刻胶保护图案;去除未被所述源电极、漏电极以及所述光刻胶保护图 ...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管,包括:栅电极、电极绝缘层、有源层、源电极和漏电极,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层和所述源电极、漏电极之间的碳膜层。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管,包括:栅电极、电极绝缘层、有源层、源电极和漏电极,其特征在于,所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层和所述源电极、漏电极之间的碳膜层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,还包括:在所述电极绝缘层上与所述碳膜层同一次构图工艺制作的碳膜触控电极。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述有源层的材料为铟镓锌氧化物。4.一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上通过构图工艺依次形成栅电极,电极绝缘层,有源层;形成碳膜层,所述碳膜层覆盖在所述有源层和所述电极绝缘层上;形成金属膜层,所述金属膜层覆盖在所述碳膜层上;通过构图工艺形成源电极和漏电极。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述通过构图工艺形成源电极和漏电极之后还包括:去除未被所述源电极、漏电极覆盖的碳膜层。6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述通过构图工艺形成源电极和漏电极之后还包括:在所述碳膜层上覆盖光刻保护胶层;通过构图工艺形...
【专利技术属性】
技术研发人员:张文林,杜建华,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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