层叠装置和制造半导体器件的系统制造方法及图纸

提供了一种层叠装置和制造半导体器件的系统，所述层叠装置可以包括：壳体；基底支架，设置在壳体中并且布置成容置基底；膜支架，设置在壳体上并且布置为支撑胶带膜；空气去除单元，连接到壳体的在膜支架下方的部分以从壳体去除和/或排空空气从而将胶带膜附着到基底。

Cascade device and system for manufacturing semiconductor device

To provide a system for laminating apparatus and semiconductor device manufacturing, the laminated device may include a substrate; support is provided in the housing and arranged in a holding substrate; stent, mounted on the casing and arranged to support tape film; air removal unit, even in the lower part of the bracket is part of the film received housing to remove from the housing and / or emptying air to the tape attached to the basal membrane.

【技术实现步骤摘要】
层叠装置和制造半导体器件的系统本申请要求于2015年11月11日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0158175号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术介绍
本公开涉及一种用于制造半导体器件的系统，例如，涉及一种用于将胶带膜附着到基底的层叠装置和一种用该装置制造半导体器件的系统。近来，正在使用更大尺寸的晶片来从晶片获得更多半导体芯片。例如，大尺寸晶片的使用可以提高半导体制造工艺的生产率。然而，应该谨慎处理大尺寸晶片，因为它可能易受冲击和/或震动的影响。例如，在对晶片执行切割工艺前可以将胶带膜附着到晶片上以保护晶片和/或切割的芯片裸片。然后通过锯或激光束将晶片切成多个芯片裸片。胶带膜的使用可以有利于防止晶片和芯片裸片在切割工艺的过程中滑动或跳动或者有利于减少这样的事件。
技术实现思路
专利技术构思的示例性实施例提供了一种层叠装置和一种用该层叠装置制造半导体器件的系统，该层叠装置配置为在没有保护凸起的层的情况下将胶带膜附着到基底。专利技术构思的示例性实施例提供了一种层叠装置和一种用该层叠装置制造半导体器件的系统，该层叠装置配置为没有气泡地将胶带膜附着到基底上。根据专利技术构思的示例性实施例，一种层叠装置可以包括：第一壳体；基底支架，设置在第一壳体中并且布置为容置基底；膜支架，设置在第一壳体上并且布置为支撑胶带膜；第一空气去除单元，连接到第一壳体。第一空气去除单元可以被布置成去除第一壳体中的空气以将胶带膜附着到基底。根据专利技术构思的示例性实施例，一种制造半导体器件的系统可以包括：封装装置，配置为将多个凸起附着到基底的第一表面；层叠装置，配置为将胶带膜附着到基底的面对第一表面的第二表面；切割装置，配置为将附着到胶带膜的基底切割成多个裸片。层叠装置可以包括：第一壳体；基底支架，设置在第一壳体中并且配置为容置基底；膜支架，设置在第一壳体上并且配置为支撑胶带膜；第一空气去除单元，连接到第一壳体。第一空气去除单元可以配置为去除第一壳体中的空气以将胶带膜附着到基底的第二表面。根据专利技术构思的示例性实施例，层叠装置可以包括：腔室；基底支架，设置在腔室中并且配置为容置基底；膜支架，设置在基底支架上并且配置为支撑胶带膜；第一空气去除单元，连接到腔室。第一空气去除单元可以配置为去除在基底与胶带膜之间的空气从而将胶带膜附着到基底。根据专利技术构思的示例性实施例，层叠装置可以包括：腔室，形成在下壳体和位于下壳体上的上壳体中；基底支架，设置在下壳体中并且布置为容置基底；膜支架，设置在下壳体与上壳体之间，膜支架配置为支撑胶带膜；第一空气去除单元，连接到下壳体，第一空气去除单元配置为从下壳体去除空气从而将胶带膜附着到基底。根据特定实施例，一种半导体器件制造装置可以包括：腔室；基底支架，设置在腔室中并且布置为容置基底；膜支架，设置在腔室中并且布置为支撑胶带膜；第一空气去除单元，连接到腔室。第一空气去除单元可以配置为去除从腔室去除空气并降低基底与胶带膜之间的气压。附图说明图1是示意性示出根据专利技术构思的特定示例性实施例的制造半导体器件的系统的图。图2是示出图1的封装装置的示例性实施例的剖视图。图3是示出图1的层叠装置的示例性实施例的剖视图。图4是示出图3的基底支架的示例性实施例的透视图。图5是示出图3的基底支架的示例性实施例的透视图。图6是示出图3的将胶带膜附着到基底的工艺的剖视图。图7是示出图1的层叠装置的示例性实施例的剖视图。图8是示出图7的基底支架、膜支架、隔膜和膜挤压单元的透视图。图9是示出图1的切割装置的示例性实施例的剖视图。图10是示出在切割工艺中可能在图9中由基底与胶带膜之间的气泡引起的工艺故障的示例性实施例的剖视图。图11是示出图1的捡取装置的示例性实施例的剖视图。具体实施方式图1是示意性示出根据专利技术构思的特定示例性实施例的制造半导体器件的系统100的图。参照图1，制造系统100可以配置为加工基底。在特定示例性实施例中，制造系统100可以配置为对基底执行封装工艺和切割工艺。例如，制造系统100可以包括封装装置200、层叠装置300、切割装置400和捡取装置500。封装装置200可以配置为执行封装工艺。例如，封装装置200可以配置为对基底W(例如，见图2)执行晶片级封装工艺。层叠装置300可以配置为将胶带膜120(例如，见图3)附着到基底W上。切割装置400可以配置为对基底W执行切割工艺。通过切割工艺可以将基底W分为多个芯片裸片CD(例如，见图9)。捡取装置500可以配置为将芯片裸片CD中的每个传送到外部(例如，切割装置400的外部)。图2是示出图1的封装装置200的示例性实施例的剖视图。参照图2，封装装置200可以包括包含焊铁210的焊接设备。封装装置200可以配置为在基底W的顶表面上形成凸起110。焊铁210可以用来将凸起110结合到基底W的顶表面上。在特定示例性实施例中，凸起110可以结合到基底W的底表面。凸起110可以连接到设置在基底W中的导线和/或电极。例如，凸起110可以连接到硅通孔(TSV)。图3是示出图1的层叠装置300的示例性实施例的剖视图。参照图3，层叠装置300可以配置为执行将胶带膜120附着到基底W的底表面(例如，与凸起110形成在其上的表面相对的表面)的层叠工艺。在一些描述中，基底的相对的表面可以被称为第一表面和第二表面，那些提及的表面中的一个具有凸起110，那些提及的表面中的另一个是平坦的。胶带膜120可以包括切割膜。胶带膜120可以附着到基底W的底表面(例如，与凸起110形成在其上的表面相对的平坦表面)。在特定示例性实施例中，层叠装置300可以包括腔室310、基底支架320、膜支架330、第一空气排放单元342和第二空气排放单元344。当执行层叠工艺时，基底W和胶带膜120可以设置在腔室310中。响应于从第一空气排放单元342施加的抽吸压力，胶带膜120可以接触基底W的底表面。腔室310可以配置为将基底W和胶带膜120与外部环境隔离。胶带膜120可以设置为靠近腔室310的中心区域。基底W可以设置在胶带膜120下方。在特定示例性实施例中，腔室310可以由下壳体312和上壳体314形成，并且可以包括由下壳体312和上壳体314包封的空间。下壳体312可以设置在上壳体314下方。当执行层叠工艺时，下壳体312和上壳体314可以彼此结合。当在层叠工艺之后将基底W和胶带膜120从腔室310卸载时，下壳体312和上壳体314可以彼此分离。基底W可以设置在下壳体312中。胶带膜120可以设置在下壳体312上。下壳体312可以具有第一空气出口341。例如，第一空气出口341可以被设置为穿透下壳体312的底部。第一空气出口341可以连接到第一空气排放单元342。上壳体314可以设置在胶带膜120上和/或在胶带膜120上方。胶带膜120可以设置在下壳体312与上壳体314之间。胶带膜120和膜支架330可以被设置为将腔室310的内部空间分为两个竖直分开的区域(例如，上区域和下区域)。上壳体314可以具有第二空气出口343。第二空气出口343可以设置在上壳体314的顶表面处。第二空气出口343可以连接到第二空气排放单元344。基底支架320可以设置在下壳体312中。基底支架320可以配置为容置基底W本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠装置，所述层叠装置包括：第一壳体；基底支架，设置在第一壳体中并且布置成容置基底；膜支架，设置在第一壳体上并且布置成支撑胶带膜；以及第一空气去除单元，连接到第一壳体，其中，第一空气去除单元被布置成从第一壳体去除空气以将胶带膜附着到基底。

【技术特征摘要】
2015.11.11 KR 10-2015-01581751.一种层叠装置，所述层叠装置包括：第一壳体；基底支架，设置在第一壳体中并且布置成容置基底；膜支架，设置在第一壳体上并且布置成支撑胶带膜；以及第一空气去除单元，连接到第一壳体，其中，第一空气去除单元被布置成从第一壳体去除空气以将胶带膜附着到基底。2.根据权利要求1所述的层叠装置，其中，基底支架包括：空气流板，在空气流板中具有孔；阶梯式轮圈，设置在空气流板的边缘区域上并且布置成容置基底的边缘区域；以及起模顶杆，设置在空气流板下方并且布置为调节空气流板和阶梯式轮圈的竖直位置。3.根据权利要求2所述的层叠装置，其中，第一空气去除单元连接到第一壳体的底部。4.根据权利要求2所述的层叠装置，其中，空气流板的孔配置为允许通过第一空气去除单元将空气从基底下方的区域去除。5.根据权利要求2所述的层叠装置，其中，膜支架具有大于空气流板的直径的内径并且具有大于第一壳体的内径的外径。6.根据权利要求2所述的层叠装置，其中，阶梯式轮圈具有引导凹槽，所述引导凹槽允许将基底固定到与空气流板分隔开比基底上的凸起的高度大的高度的位置。7.根据权利要求1所述的层叠装置，所述层叠装置还包括：隔膜，设置在基底支架下方并且连接到第一壳体的底部，空气供应单元，设置在隔膜下方并且连接到第一壳体的底部，其中，空气供应单元被布置为将空气供应到由隔膜限定的区域中并且使隔膜扩展到基底支架中。8.根据权利要求7所述的层叠装置，其中，第一壳体具有布置在隔膜外部的侧壁，第一空气去除单元连接到第一壳体的侧壁。9.根据权利要求1所述的层叠装置，所述层叠装置还包括：第二壳体，设置在第一壳体上；以及第二空气去除单元，连接到第二壳体，并且布置为利用比第一空气去除单元的空气泵压低的空气泵压从第二壳体去除空气，使得第二壳体中的气压高于第一壳体中的气压。10.根据权利要求9所述的层叠装置，所述层叠装置还包括：设置在膜支架和胶带膜上的膜挤压单元，其中，膜挤压单元具有第二孔，允许在第二壳体中的空气经此流向胶带膜。11.一种制造半导体器件的系统，所述制造半导体器件的系统包括：封装装置，配置为将多个凸起附着到基底的第一表面，层叠装置，配置为将胶带膜附着到基底的面对第一表面的第二表面；以及切割装置，配置为将附着到胶带膜的基底切割成多个芯片裸片；其中，层叠装置包括：第一壳体；基底支架，设置在第一壳体中并且配置为容置基底；膜支架，设置在第一壳体上并且配置为支撑胶带膜；以及第一空气去除单元，连接到第一壳体，其中，第一空气去除单元配置为从第一壳体去除空气以将胶带膜附着到基底的第二表面。12.根据权利要求11所述的系统，其中，切割装置包括：工作台，配置为容置膜支架、胶带膜和基底；以及锯，配置为将基底切割成多个芯片裸片，其中，膜支架配置为将胶带膜、基底和芯片裸片固定在工作台上。13.根据权利要求11所述的系统，其中，基底支架包括：第一支撑件，具有小于第一壳体的内径的直径；以及第二支撑件，设置在第一支撑件的边缘区域上，第二支撑件配置为支撑基底的在凸起外部的边缘部分，其中，第二支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：金映敏，朴在用，宋根浩，赵炳柱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR