一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法及实施装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法及实施装置，该方法包括以下依序进行的步骤：步骤一：采用等离子灰化工艺去除刻蚀后基片表面上残余的光刻胶；步骤二：使用清洁胶涂覆在步骤一中的灰化后的基片的表面；步骤三：待基片表面的清洁胶风干固化后，将基片表面的清洁胶撕除。该方法及实施装置既能达到清洗的目的，又达到操作简便易行、后续工艺简单的目的。

Method and device for removing photoresist on etched substrate surface

The invention relates to a method for removing photoresist substrate surface after etching and the implementation of device, the method comprises the following steps sequentially: step one: using plasma ashing to remove after etching the substrate surface residual photoresist; step two: the surface of the substrate cleaning glue coating used in step one in after ashing; step three: when the substrate surface clean dry adhesive after curing, the surface of the substrate cleaning glue peeling. The method and the implementing device can achieve the purpose of cleaning, and the operation is simple and convenient, and the follow-up process is simple.

【技术实现步骤摘要】
一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法及实施装置
本专利技术涉及集成电路元器件或光电领域元器件制造领域，尤其涉及一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法及实施装置。
技术介绍
在半导体晶片的制作工艺中，对带有光刻胶图案的图型片刻蚀是非常频繁和重要的步骤，在对带有光刻胶图案的晶片进行IBE干法刻蚀后，会残留一分部光刻胶或部分颗粒，这些残留对基片的后续加工造成一定的影响，甚至导致器件的最终缺陷。常规的光刻胶去除方法是用丙酮、酒精或其他去胶溶液进行湿法去除，专利CN200610147868.X和CN200910241611.4分别公开了一种光刻胶的去除方法，该方法中均使用了湿法清洗工艺，该工艺中存在的缺点是工艺步骤较复杂，且操作周期较长以及对清洗废液的处理工艺较费时费力。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术的目的在于提供去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法及实施装置。该方法及实施装置既能均匀的对基片表面进行清洁胶上胶，达到高效清洗的目的，又能达到操作简便易行、后续工艺简单的目的，并且能有效节约清洁胶，防止过量清洁胶涂覆或涂覆不均匀在后续撕除清洁胶时使基片表面受力过大或不均而损害基片表面。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法，包括以下依序进行的步骤：步骤一：采用等离子灰化工艺去除刻蚀后基片表面上残余的光刻胶；步骤二：使用清洁胶涂覆在步骤一中的灰化后的基片的表面；步骤三：待基片表面的清洁胶风干固化后，将基片表面的清洁胶撕除。其中，步骤一中的等离子灰化工艺使用的产生等离子的气体包括氧气以及辅助气体，辅助气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氮气中的一种或者几种；等离子的功率在50～600W；氧气的流量在5～50sccm；辅助气体的含量为氧气量的10～50%。其中，步骤二的清洁胶的涂覆方式为刷涂、喷涂或者旋涂，清洁胶的厚度为0.1～0.4mm。一种用于实施权利要求所述的去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法使用的装置，包括柜体，柜体内从上到下依次设置有送风室、喷胶室、环状中空的风环和操作台，送风室内设置有送风装置；喷胶室内设置有液腔和雾腔，液腔位于雾腔上方且与雾腔相互连通，液腔的底部设置有一超声波雾化装置，雾腔底部均匀开设有若干通孔；风环位于喷胶室下方外侧，风环具有向内弯折且逐渐缩小的出风端，风环底部与送风室的出风口连通，出风端正对操作台内一环形的通风管道，通风管道与送风室的进风口连通；操作台上固定连接有去胶装置，去胶装置为一包括若干格栅的方形框体，操作台内部设置有一可伸入和缩回操作台内的托板。其中，所述风环具有一竖直设置的环状的进风部和一设置在进风部上的与进风部连通的向内弯折的环状的出风部；出风部包括一弧形的连接进风部的连接端和连接在连接端上且出风口朝下的出风端；出风端的出风口大小可调。其中，所述连接端和出风端均包括由刚性材料制成的内层和外层，连接端的内层和出风端的内层固定连接，连接端的外层与出风端的外层通过一弧形的过渡段连接，该过渡段采用温敏收缩材料制成，过渡段内设置有加热装置。其中，所述托板由液压装置驱动上下伸缩。一种使用权利要求所述的装置去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法，包括以下依序进行的步骤：S1：将刻蚀后的基片置于等离子清洗机的清洗托盘上，关闭等离子清洗机真空室门；等离子灰化工艺使用的产生等离子的气体含有氧以及辅助气体，辅助气体为氦、氖、氩、氪、氮中的一种或者几种；氧气的流量在5～50sccm；辅助气体的含量为氧气量的10～50%；等离子的功率在50～600W；清洗时间为20～30min；S2：将步骤S1中经灰化后的基片放置在托板上；S3：启动液压装置，液压装置的推杆向上推动托板，使得托板上的基片分别嵌入去胶装置的格栅中，液压装置停止工作；S4：启动送风装置，送风装置将空气送入风环内，空气从风环中的出风口挤压吹出；S5：启动超声波雾化装置，将液腔内的清洁胶雾化为雾状的清洁胶，雾状的清洁胶弥漫到雾腔中，雾状的清洁胶被从通孔中吸出，均匀的喷涂在托板上的基板上，关闭超声波雾化装置；S6：启动加热装置，加热过渡段，改变出风端朝向，风环内的风吹向基片表面，风干晶体表面的清洁胶，基片表面的清洁胶固化形成清洁胶膜，关闭加热装置；S7：再次启动液压装置，液压装置带动托板向下运动，托板与去胶装置的分离，从基片表面去除清洁胶膜。本专利技术具有如下有益效果：该方法及实施装置既能达到清洗的目的，又达到操作简便易行、后续工艺简单的目的。附图说明图1为本专利技术的立体结构示意图；图2为本专利技术的整体结构示意图；图3为本专利技术的柜体的内部结构示意图；图4为本专利技术的风环的立体结构示意图；图5为本专利技术的风环的出风端初始状态示意图；图6为图5中A部分的放大结构示意图；图7为本专利技术的风环的出风端张开状态示意图；图8为本专利技术的托板嵌入去胶装置中的状态示意图；图9为本专利技术的托板收回到凸台中的状态示意图；图10为本专利技术的去胶装置、托板和基片的位置关系的俯视示意图。附图标记说明：100-基片、101-清洁胶膜、10-柜体、20-柜门、200-观察窗、201-送风控制按钮、202-雾化控制按钮、203-加热控制按钮、204-升降控制按钮、30-柜脚、1-送风室、11-空气过滤装置、12-送风装置、2-喷胶室、21-液腔、22-雾腔、23-超声波雾化装置、3-操作台、31-凸台、32-底台、321-通风管道、4-风环、40-第一连通管、41-进风部、42-出风部、421-连接端、422-出风端、423-过渡段、424-加热装置、5-分离装置、50-第二连通管道、51-外壳、52-冷凝片、6-去胶装置、7-托板、71-把手、72-液压装置。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步详细说明：一种用于去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法，包括以下依序进行的步骤：步骤一：采用等离子灰化工艺去除刻蚀后基片表面上残余的光刻胶；步骤二：使用清洁胶涂覆在步骤一中的灰化后的基片的表面；步骤三：待基片表面的清洁胶固化后，将基片表面的清洁胶撕除。具体的，步骤一中的等离子灰化工艺使用的产生等离子的气体包括氧气以及辅助气体，辅助气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氮气中的一种或者几种；等离子的功率在50～600W，优选为100～300W；氧气的流量在5～50sccm；辅助气体的含量为氧气量的10～50%。具体的，步骤二的清洁胶的涂覆方式为刷涂、喷涂或者旋涂；清洁胶的厚度优选0.1～0.4mm。具体实施例如下：实施例一：一种用于去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法，包括以下依序进行的步骤：第一步：将刻蚀后的基片置于等离子清洗机的清洗托盘上，关闭等离子清洗机的真空室门，选择等离子灰化工艺气体为氧气和氦气，其中氧气的流量为20sccm，氦气的流量为6sccm，等离子的功率为150W，清洗时间为20min；清洗结束后，将基片从离子清洗机中取出，并于室温下自然冷却；第二步：将冷却后的基片放在百级洁净净化台上，用毛刷蘸取少量firstcontact清洁胶轻轻刷涂在基片表面，使其形成一层清洁胶的薄膜；第三步：将基片置于百级洁净净化台下风干20min；风干后，从基片边缘将固化后的清洁胶膜慢慢撕去，然后用氮气枪轻吹基片表面，备用。实施例二：一种用于去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法，包括以下依序进行的步本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法，其特征在于：包括以下依序进行的步骤：步骤一：采用等离子灰化工艺去除刻蚀后基片表面上残余的光刻胶；步骤二：使用清洁胶涂覆在步骤一中的灰化后的基片的表面；步骤三：待基片表面的清洁胶风干固化后，将基片表面的清洁胶撕除。

【技术特征摘要】
1.一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法，其特征在于：包括以下依序进行的步骤：步骤一：采用等离子灰化工艺去除刻蚀后基片表面上残余的光刻胶；步骤二：使用清洁胶涂覆在步骤一中的灰化后的基片的表面；步骤三：待基片表面的清洁胶风干固化后，将基片表面的清洁胶撕除。2.根据权利要求1所述的去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法，其特征在于：步骤一中的等离子灰化工艺使用的产生等离子的气体包括氧气以及辅助气体，辅助气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氮气中的一种或者几种；等离子的功率在50～600W；氧气的流量在5～50sccm；辅助气体的含量为氧气量的10～50%。3.根据权利要求1所述的去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法，其特征在于：步骤二的清洁胶的涂覆方式为刷涂、喷涂或者旋涂，清洁胶的厚度为0.1～0.4mm。4.一种用于实施权利要求1所述的去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法使用的装置，其特征在于：包括柜体（10），柜体（10）内从上到下依次设置有送风室（1）、喷胶室（2）、环状中空的风环（4）和操作台（3），送风室（1）内设置有送风装置（12）；喷胶室（2）内设置有液腔（21）和雾腔（22），液腔（21）位于雾腔（22）上方且与雾腔（22）相互连通，液腔（21）的底部设置有一超声波雾化装置（23），雾腔（22）底部均匀开设有若干通孔；风环（4）位于喷胶室（2）下方外侧，风环（4）具有向内弯折且逐渐缩小的出风端（422），风环（4）底部与送风室（1）的出风口连通，出风端（422）正对操作台（3）内一环形的通风管道（321），通风管道（321）与送风室（1）的进风口连通；操作台（3）上固定连接有去胶装置（6），去胶装置（6）为一包括若干格栅的方形框体，操作台（3）内部设置有一可伸入和缩回操作台（3）内的托板（7）。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：所述风环（4）具有一竖直设置的环状的进风部（41）和一设置在进风部（41）上的与进风部（41）连通的向内弯折的环状的出风部（42）；出风部（42）包括一弧形的连接进风部（41）的连接端（421）和连接在连接端（421）上且出风口朝下的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁万国，李广伟，张新汉，陈怀熹，缪龙，冯新凯，邹小林，
申请(专利权)人：福建中科晶创光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35