适用于射频电路中的带隙基准电路制造技术

本发明专利技术涉及一种带隙基准电路，尤其是一种适用于射频电路中的带隙基准电路，属于带隙基准电路的技术领域。按照本发明专利技术提供的技术方案，所述适用于射频电路中的带隙基准电路，包括用于与电源Vdd连接的自启动电路以及与所述自启动电路连接的基准电路，所述基准电路与缓冲器负载输出电路连接；在自启动电路上电启动后，自启动电路能对基准电路充电，在基准电路内的电压稳定后，自启动电路关断，且基准电路能产生与温度无关的输出电流Iref，缓冲器负载输出电路根据输出电流Iref输出大小和摆幅稳定的电压。本发明专利技术结构紧凑，温漂系数小，噪声低，能够为射频系统提供恒定的低噪声电压与电流，安全可靠。

Band gap reference circuit suitable for radio frequency circuit

The invention relates to a band gap reference circuit, in particular to a band gap reference circuit suitable for radio frequency circuits, belonging to the technical field of band gap reference circuits. According to the technical scheme provided by the invention, the bandgap reference circuit for RF circuits, including for self starting circuit is connected with the power supply Vdd and connected with the self starting circuit reference circuit, wherein the reference circuit and the buffer circuit is connected with the output load; the self starting start circuit after self the startup circuit can charge reference circuit, voltage stability in reference circuit in the circuit, self starting off, and the reference circuit can generate Iref output current is independent of temperature, load output buffer circuit according to the Iref output current and stable voltage swing. The invention has the advantages of compact structure, small temperature drift coefficient and low noise, and can provide a constant low noise voltage and current for the radio frequency system, and is safe and reliable.

【技术实现步骤摘要】
适用于射频电路中的带隙基准电路
本专利技术涉及一种带隙基准电路，尤其是一种适用于射频电路中的带隙基准电路，属于带隙基准电路的

技术介绍
随着物联网的发展，大数据时代的到来，无线移动通信、无线数据传输和全球定位等技术逐步完善和成熟，微型化、低功耗、低成本、高性能的通信传输设备越来越受到人们的重视，射频集成电路RFIC已被广泛应用于移动通信、卫星通信与全球定位系统、无线局域网、蓝牙和ZigBee等短距离通信。射频电路的工作频率通常很高，因此对电源的稳定和噪声等性能也提出了更高的要求，稳定的带隙基准不受电源电压和温度变化的影响，提供一个恒定的输出电压，能够为整个射频电路提供稳定可靠的电源。射频电路频率很高，寄生效应难以忽略，芯片制造工艺越来越先进，电源电压也变得很低，从电源到地可用的器件也就越来越少，电路设计在保证功能的同时结构需要尽可能的简单，这对带隙基准电路提出了挑战。传统的带隙基准一阶温度补偿结构温漂系数在几十ppm左右，无法满足射频电路的需求；为了保证低的温漂系数采用二阶温度补偿结构，器件增多，温漂系数降低的同时增大了寄生效应，严重影响的电路的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种适用于射频电路的带隙基准电路，其结构紧凑，温漂系数小，噪声低，能够为射频系统提供恒定的低噪声电压与电流，安全可靠。按照本专利技术提供的技术方案，所述适用于射频电路中的带隙基准电路，包括用于与电源Vdd连接的自启动电路以及与所述自启动电路连接的基准电路，所述基准电路与缓冲器负载输出电路连接；在自启动电路上电启动后，自启动电路能对基准电路充电，在基准电路内的电压稳定后，自启动电路关断，且基准电路能产生与温度无关的输出电流Iref，缓冲器负载输出电路根据输出电流Iref输出大小和摆幅稳定的电压。所述自启动电路包括电阻R9，电阻R9的一端与电源Vdd连接，电阻R9的另一端与晶体管Q9的集电极端、晶体管Q9的基极端、晶体管Q8的基极端以及晶体管Q8的集电极端连接，晶体管Q9的发射极端与晶体管Q7的集电极端、晶体管Q7的基极端连接，晶体管Q7的发射极端与地Vee连接；晶体管Q8的发射极端与电容C1的一端连接，电容C1的另一端与地Vee连接；且晶体管Q8的发射极与电容C1连接后形成与基准电路连接的自启动输出端。所述基准电路包括与电源Vdd连接的电阻R6、电阻R7以及电阻R8，电阻R8的一端与电源Vdd连接，电阻R8的另一端与晶体管Q4的发射极端连接，电阻R7的一端与电源Vdd连接，电阻R7的另一端与晶体管Q5的发射极端连接，电阻R6的一端与电源Vdd连接，电阻R6的另一端与晶体管Q6的发射极端连接；晶体管Q4的基极端与晶体管Q5的基极端、晶体管Q5的集电极端、晶体管Q6的基极端以及晶体管Q3的发射极端连接，晶体管Q4的集电极端与自启动电路(110)、晶体管Q1的集电极端以及晶体管Q3的基极端连接，晶体管Q3的发射极端与晶体管Q1的基极端、电阻R1的一端以及晶体管Q2的基极端连接，晶体管Q1的发射极端、电阻R1的另一端均与地Vee连接，晶体管Q2的发射极端通过电阻R2与地Vee连接，在晶体管Q6的集电极端得到输出电流Iref。所述缓冲器负载输出电路包括电阻R5以及电阻R4，电阻R5的一端与电源Vdd连接，电阻R5的另一端与晶体管Q10的集电极端连接，电阻R4的一端与电源Vdd连接，电阻R4的另一端与晶体管Q11的集电极端连接，晶体管Q10的发射极端、晶体管Q11的发射极端均与晶体管Q12的集电极端连接，晶体管Q12的基极端接收根据输出电流Iref得到的偏置电压Vbias，晶体管Q12的发射极端通过电阻R3与地Vee连接，晶体管Q10的集电极端形成第一电压输出端Vout1，晶体管Q11的集电极端形成第二电压输出端Vout2。本专利技术的优点：在自启动电路上电启动后，自启动电路能对基准电路充电，在基准电路内的电压稳定后，自启动电路关断，且基准电路能产生与温度无关的输出电流Iref，缓冲器负载输出电路根据输出电流Iref输出大小和摆幅稳定的电压，结构紧凑，温漂系数小，噪声低，能够为射频系统提供恒定的低噪声电压与电流，安全可靠。附图说明图1为本专利技术的模块框图。图2为图1中带隙基准电流源的分解图。图3为本专利技术的电路原理图。附图标记说明：100-带隙基准电流源、110-自启动电路、120-基准电路以及130-缓冲器负载输出电路。具体实施方式下面结合具体附图和实施例对本专利技术作进一步说明。如图1和图2所示：为了能够为射频系统提供恒定的低噪声电压与电流，且具有较低的温漂系数与噪声低，本专利技术包括用于与电源Vdd连接的自启动电路110以及与所述自启动电路110连接的基准电路120，所述基准电路120与缓冲器负载输出电路130连接；在自启动电路110上电启动后，自启动电路110能对基准电路120充电，在基准电路120内的电压稳定后，自启动电路110关断，且基准电路120能产生与温度无关的输出电流Iref，缓冲器负载输出电路130根据输出电流Iref输出大小和摆幅稳定的电压。具体地，自启动电路110、基准电路120以及缓冲器负载输出电路130形成带隙基准电流源100，对于带隙基准电流源100，输入包括电源Vdd、地Vee，输出包括电压Vout1以及电压Vout2。在电源Vdd上电后，自启动电路110启动，以对基准电路120充电，待基准电路120内的电压稳定后，自启动电路110关断，基准电路120进入工作状态。基准电路120工作时，能产生与温度近似无关的压降，并根据所述与温度无关的压降得到输出电流Iref。缓冲器负载输出电路130根据输出电流Iref大小和摆幅稳定的电压，以实现低噪声稳定的输出信号，提高为下级电路供电的可靠性，有效适用于射频电路。如图3所示，所述自启动电路120包括电阻R9，电阻R9的一端与电源Vdd连接，电阻R9的另一端与晶体管Q9的集电极端、晶体管Q9的基极端、晶体管Q8的基极端以及晶体管Q8的集电极端连接，晶体管Q9的发射极端与晶体管Q7的集电极端、晶体管Q7的基极端连接，晶体管Q7的发射极端与地Vee连接；晶体管Q8的发射极端与电容C1的一端连接，电容C1的另一端与地Vee连接；且晶体管Q8的发射极与电容C1连接后形成与基准电路120连接的自启动输出端。本专利技术实施例中，电阻R9具有限流作用，晶体管Q7、晶体管Q8以及晶体管Q9均采用NPN三极管，且晶体管Q7、晶体管Q8以及晶体管Q9采用二极管接法。晶体管Q8的基极端、晶体管Q8的集电极端与晶体管Q9的集电极端以及晶体管Q9的基极端相互连接后形成节点N，开始上电时，节点N的电压为VBE9+VBE7，其中，VBE9为晶体管Q9的基极端与晶体管Q9的发射极端间的电压，VBE7为晶体管Q7的基极端与晶体管Q7的发射极端间的电压。所述基准电路120包括与电源Vdd连接的电阻R6、电阻R7以及电阻R8，电阻R8的一端与电源Vdd连接，电阻R8的另一端与晶体管Q4的发射极端连接，电阻R7的一端与电源Vdd连接，电阻R7的另一端与晶体管Q5的发射极端连接，电阻R6的一端与电源Vdd连接，电阻R6的另一端与晶体管Q6的发射极端连接；晶体管Q4的基极端与晶体管Q5的基极端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于射频电路中的带隙基准电路，其特征是：包括用于与电源Vdd连接的自启动电路(110)以及与所述自启动电路(110)连接的基准电路(120)，所述基准电路(120)与缓冲器负载输出电路(130)连接；在自启动电路(110)上电启动后，自启动电路(110)能对基准电路(120)充电，在基准电路(120)内的电压稳定后，自启动电路(110)关断，且基准电路(120)能产生与温度无关的输出电流Iref，缓冲器负载输出电路(130)根据输出电流Iref输出大小和摆幅稳定的电压。

【技术特征摘要】
1.一种适用于射频电路中的带隙基准电路，其特征是：包括用于与电源Vdd连接的自启动电路(110)以及与所述自启动电路(110)连接的基准电路(120)，所述基准电路(120)与缓冲器负载输出电路(130)连接；在自启动电路(110)上电启动后，自启动电路(110)能对基准电路(120)充电，在基准电路(120)内的电压稳定后，自启动电路(110)关断，且基准电路(120)能产生与温度无关的输出电流Iref，缓冲器负载输出电路(130)根据输出电流Iref输出大小和摆幅稳定的电压。2.根据权利要求1所述的适用于射频电路中的带隙基准电路，其特征是：所述自启动电路(120)包括电阻R9，电阻R9的一端与电源Vdd连接，电阻R9的另一端与晶体管Q9的集电极端、晶体管Q9的基极端、晶体管Q8的基极端以及晶体管Q8的集电极端连接，晶体管Q9的发射极端与晶体管Q7的集电极端、晶体管Q7的基极端连接，晶体管Q7的发射极端与地Vee连接；晶体管Q8的发射极端与电容C1的一端连接，电容C1的另一端与地Vee连接；且晶体管Q8的发射极与电容C1连接后形成与基准电路(120)连接的自启动输出端。3.根据权利要求1或2所述的适用于射频电路中的带隙基准电路，其特征是：所述基准电路(120)包括与电源Vdd连接的电阻R6、电阻R7以及电阻R8，电阻R8的一端与电源Vdd连接，电阻R8的另一端与晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙楷添，季惠才，蒋颖丹，张沁枫，刘雪莲，吴舒桐，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32