一种波纹抑制型负离子发生器电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种波纹抑制型负离子发生器电源，主要由变压器T，放电板DB，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，极性电容C4，二极管D3，稳压二极管D4，以及正极与稳压二极管D4的N极相连接、负极经电阻R7后与变压器T副边电感线圈的同名端相连接的极性电容C等组成。本实用新型专利技术能对输入电压和电流的高瞬态进行抑制，使输入电压和电流保持平稳，从而提高了本实用新型专利技术输出电压的稳定性，有效的提高了负离子发生器的吸附强度的稳定性，使负离子发生器产生负离子的效果更好，从而很好的满足人们的要求。

A ripple suppressor type negative ion generator power supply

The utility model discloses a ripple suppression type negative ion generator, mainly composed of T transformer, the discharge plate DB, FET MOS, a triode VT1, a triode VT4, a triode VT5, a triode VT6, polarity capacitor C4, D3 diode, zener diode D4, and positive connection, and steady pressure the N pole cathode diode D4 through a resistor R7 and T transformer secondary side coil is connected to the same polarity capacitor C etc.. The utility model has the advantages of high transient of input voltage and current are suppressed, the input voltage and current stable, so as to improve the stability of the utility model of the output voltage, and effectively improve the stability of the adsorption strength of negative ion generator, the better the effect of negative ion generator generating negative ions, so as to meet the the requirements of the people.

【技术实现步骤摘要】
一种波纹抑制型负离子发生器电源
本技术涉及的是一种电源，具体的说，是一种波纹抑制型负离子发生器电源。
技术介绍
空气负离子被人称作为空气维生素，在室内放置一台空气负离子发生器能有效改善定内空气环境，使人们仿佛回到空气新鲜的大自然中，现代医学也证明增加空气负离子浓度有益于人类身体健康。空气负离子发生器是利用放射性物质，如镭(Ra)、钋(Po)、锶(Si)等辐射的α射线使空气电离，同时利用高压直流的放电板将空气中的正离子吸附，从而提高空气中的负离子含量。而负离子发生器产生的负离子的效率高低则取决于负离子发生器对空气中的正离子吸附强度，即取决于加在负离子发生器放电板上的高压电稳定与否。然而，现有的负离子发生器电源结构复杂，并且存在输出电压稳定性较差的问题，导致负离子发生器的吸附强度不稳定，致使负离子发生器产生负离子的效果较差，从而不能很好的满足人们的要求。因此，提供一种能提高负离子产生效果的负离子发生器电源便成为了当务之急。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有的负离子发生器电源结构复杂，并且存在输出电压稳定性较差的缺陷，提供的一种波纹抑制型负离子发生器电源。本技术通过以下技术方案来实现：一种波纹抑制型负离子发生器电源，主要由变压器T，放电板DB，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C3，负极经电阻R3后与场效应管MOS的源极相连接、正极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C2，N极与极性电容C2的正极相连接、P极经电阻R1后与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，负极经电阻R2后与场效应管MOS的栅极相连接、正极与二极管D1的P极共同形成电路的输入端的极性电容C1，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端接地的可调电阻R5，P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与可调电阻R5的调节端相连接的二极管D2，正极与三极管VT2的发射极相连接、负极与二极管D2的N极相连接的极性电容C5，一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R6，正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C4，P极与三极管VT3的发射极相连接、N极与变压器T原边电感线圈的非同名端相连接的二极管D3，P极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、N极与经电阻R8后与三极管VT4的集电极相连接的稳压二极管D4，正极与三极管VT4的基极相连接、负极与三极管VT5的发射极相连接的极性电容C6，一端与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R7，正极经电阻R1后与三极管VT5的集电极相连接、负极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C8，P极与三极管VT4的发射极相连接、N极经电感L后与三极管VT6的基极相连接的二极管D5，正极经电阻R9后与三极管VT5的发射极相连接、负极与放电板DB的电源输入端相连接的极性电容C7，以及一端与极性电容C7的负极相连接、另一端与三极管VT6的发射极相连接的可调电阻R10组成。所述三极管VT5的基极还与二极管D3的N极相连接；所述二极管D5的N极还与极性电容C7的正极相连接；所述三极管VT6的集电极接地；所述稳压二极管D4的N极接地；所述二极管D3的N极还与极性电容C5的负极相连接；所述极性电容C4的负极还与变压器T原边电感线圈的同名端相连接。为确保本技术的实际使用效果，所述变压器为EI57-30升压变压器；同时所述可调电阻R5的阻值可调范围为1～4.7kΩ；所述场效应管MOS为MTP3N80场效应管。本技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：(1)本技术能对输入电压和电流的高瞬态进行抑制，使输入电压和电流保持平稳，从而提高了本技术输出电压的稳定性，能有效的提高了负离子发生器的吸附强度，使负离子发生器产生负离子的效果更好，从而很好的满足人们的要求。(2)本技术能将输入电压中高次谐波进行消除或抑制，从而提高了本技术输出电压的稳定性。(3)本技术的结构简单，实用性强，生产成本低。附图说明图1为本技术的整体电路结构示意图。具体实施方式下面结合实施例及其附图对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。如图1所示，本技术主要由变压器T，放电板DB，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，可调电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，电阻R9，可调电阻R10，电阻R11，电感L，极性电容C1，极性电容C2，极性电容C3，极性电容C4，极性电容C5，极性电容C6，极性电容C7，极性电容C8，二极管D1，二极管D2，二极管D3，稳压二极管D4，以及二极管D5组成。为确保本技术的实际使用效果，所述变压器为EI57-30升压变压器；同时所述可调电阻R5的阻值可调范围为1～4.7kΩ；所述场效应管MOS为MTP3N80场效应管；同时，所述的放电板DB为开发式结构的放电板，三极管VT1为3DD15三极管VT，三极管VT2～VT3均为大功率的DD03三极管，三极管VT4～VT6均为3DG12C三极管；电阻R1、电阻R2和电阻R3的阻值均为1kΩ，电阻R4为RJ型2W金属膜限流电阻器，电阻R6和电阻R7的阻值均为50kΩ，电阻R8、电阻R9和电阻R11的阻值均为10kΩ，可调电阻R10的阻值调节范围为68～120kΩ；极性电容C1为滤波电容其容值为1000μF，极性电容C2和极性电容C3的容值均为500μF，极性电容C4的容值为10000μF的具有电压充放和滤波特性的铝电解电容，极性电容C5稳定容值为400μF，极性电容C6、极性电容C7和极性电容C8的容值为20μF；二极管D1和二极管D2均为1N5401二极管，二极管D3为1N5405二极管，稳压二极管D4为MA3120稳压二极管，二极管D5为1N5402二极管；电感L为10μh的磁环电感。连接时，极性电容C3的极与三极管VT1的基极相连接，正极与场效应管MOS的漏极相连接。极性电容C2的负极经电阻R3后与场效应管MOS的源极相连接，正极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接。二极管D1的N极与极性电容C2的正极相连接，P极经电阻R1后与三极管VT1的集电极相连接。极性电容C1的负极经电阻R2后与场效应管MOS的栅极相连接，正极与二极管D1的P极共同形成电路的输入端并与外部12V直流电源相连接。其中，可调电阻R5的一端与三极管VT2的基极相连接，另一端接地。二极管D2的P极与三极管VT1的集电极相连接，N极与可调电阻R5的调节端相连接。极性电容C5的正极与三极管VT2的发射极相连接，负极与二极管D2的N极相连接。电阻R6的一端与三极管VT2的集电极相连接，另一端与三极管VT3的基极相连接。极性电容C4的正极与三极管VT2的集电极相连接，负极与三极管VT3的集电极相连接。二极管D3的P极与三极管VT3的发射极相连接，N极与变压器T原边电感线圈的非同名端相连接。同时，稳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种波纹抑制型负离子发生器电源，其特征在于，主要由变压器T，放电板DB，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C3，负极经电阻R3后与场效应管MOS的源极相连接、正极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C2，N极与极性电容C2的正极相连接、P极经电阻R1后与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，负极经电阻R2后与场效应管MOS的栅极相连接、正极与二极管D1的P极共同形成电路的输入端的极性电容C1，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端接地的可调电阻R5，P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与可调电阻R5的调节端相连接的二极管D2，正极与三极管VT2的发射极相连接、负极与二极管D2的N极相连接的极性电容C5，一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R6，正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C4，P极与三极管VT3的发射极相连接、N极与变压器T原边电感线圈的非同名端相连接的二极管D3，P极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、N极与经电阻R8后与三极管VT4的集电极相连接的稳压二极管D4，正极与三极管VT4的基极相连接、负极与三极管VT5的发射极相连接的极性电容C6，一端与变压器T副边电感线圈的同名端相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R7，正极经电阻R1后与三极管VT5的集电极相连接、负极与三极管VT6的基极相连接的极性电容C8，P极与三极管VT4的发射极相连接、N极经电感L后与三极管VT6的基极相连接的二极管D5，正极经电阻R9后与三极管VT5的发射极相连接、负极与放电板DB的电源输入端相连接的极性电容C7，以及一端与极性电容C7的负极相连接、另一端与三极管VT6的发射极相连接的可调电阻R10组成；所述三极管VT5的基极还与二极管D3的N极相连接；所述二极管D5的N极还与极性电容C7的正极相连接；所述三极管VT6的集电极接地；所述稳压二极管D4的N极接地；所述二极管D3的N极还与极性电容C5的负极相连接；所述极性电容C4的负极还与变压器T原边电感线圈的同名端相连接。...

【技术特征摘要】
1.一种波纹抑制型负离子发生器电源，其特征在于，主要由变压器T，放电板DB，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，负极与三极管VT1的基极相连接、正极与场效应管MOS的漏极相连接的极性电容C3，负极经电阻R3后与场效应管MOS的源极相连接、正极经电阻R4后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C2，N极与极性电容C2的正极相连接、P极经电阻R1后与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1，负极经电阻R2后与场效应管MOS的栅极相连接、正极与二极管D1的P极共同形成电路的输入端的极性电容C1，一端与三极管VT2的基极相连接、另一端接地的可调电阻R5，P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与可调电阻R5的调节端相连接的二极管D2，正极与三极管VT2的发射极相连接、负极与二极管D2的N极相连接的极性电容C5，一端与三极管VT2的集电极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R6，正极与三极管VT2的集电极相连接、负极与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C4，P极与三极管VT3的发射极相连接、N极与变压器T原边电感线圈的非同名端相连接的二极管D3，P极与变压器T副边电感线圈的非同名端相连接、N极与经电阻R8后与三极管VT4的集电极相连接的稳压二极管D4，正极与...

【专利技术属性】
技术研发人员：母绍应，
申请(专利权)人：四川万康节能环保科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51