一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架制造技术

技术编号:15381227 阅读:89 留言:0更新日期:2017-05-18 22:56
本实用新型专利技术涉及一种半导体制造技术,具体涉及一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应,在该框架上设有与其短边平行的分区槽,将框架均分为两个芯片安装区域。该引线框架将分区槽由3条变为1条,即将框架均分为两个芯片安装区域,且在每个芯片安装区域中布置与DFN0603封装结构相适应的芯片安装单元,节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积,提高材料利用率、节约生产成本。

A DFN0603 88 row dual core high density lead frame

The utility model relates to a semiconductor manufacturing technology, in particular to a DFN0603 88 row dual core high density lead frame includes a frame for rectangular loading chip, wherein the frame is provided with a plurality of chip mounting unit, the package structure of chip mounting unit and DFN0603 fit in is arranged on the frame with the short slot parallel partition, the framework is divided into two a chip mounting area. The lead frame partition slot from 3 to 1, will be divided into two frame chip mounting area, and in each chip installation and DFN0603 package structure to adapt to the chip mounting unit area, save more area layout framework for chip mounting unit, extraction rate and save the cost of production with high material.

【技术实现步骤摘要】
一种DFN060388排双芯高密度引线框架
本技术涉及一种半导体制造技术,特别是一种DFN060388排双芯高密度引线框架。
技术介绍
通常,将多个半导体芯片合并到单个的半导体封装结构中来使用,而不是将其单独使用,为了制造包括有多个半导体的单个半导体封装结构,就需要使用引线框架。引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体,作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路,并与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生的热量,构成散热通道,它是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。芯片封装形式为DFN0603(DFN是小型电子元器件的芯片封装单元型号,单芯引线框架表示其单个芯片封装单元内设置有一个放置晶体管的芯片槽,0603表示单个芯片安装单元的尺寸为长0.6mm、宽0.3mm)时,要在相同的引线框架尺寸布置更多的芯片,就需要对布置形式进行合理的设计,才能提高材料的利用率。随着制造工艺的进步,现在已设计出DFN060384排引线框架,将框架均分成4个区域进行芯片安装单元的布置,在长度为250mm、宽度为70mm的框架上能布置45696个芯片安装单元,使得框架的利用率得到了一定的提高,但想要更进一步地提高材料利用率,节约生产成本,就需要对芯片安装单元的设计布置进行进一步的改进设计。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于:针对现有引线框架对于封装形式为DFN0603的芯片安装单元布置设计,对框架的利用率还不够高、不能节约成产成本的问题,提供一种DFN060388排双芯高密度引线框架,该引线框架将分区槽由3条变为1条,节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积,提高材料利用率、节约生产成本。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案为:一种DFN060388排双芯高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应,在该框架上设有与其短边平行的分区槽,将框架均分为两个芯片安装区域。该引线框架将分区槽由3条变为1条,即将框架均分为两个芯片安装区域,且在每个芯片安装区域中布置与DFN0603封装结构相适应的芯片安装单元,节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积,提高材料利用率、节约生产成本。作为本技术的优选方案,所述框架长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm。作为本技术的优选方案,在每个芯片安装区域内均布置有88排、300列芯片安装单元。这样的布置,在该框架上就能布置88*300*2=52800个芯片安装单元,相对于之前将框架均分为四个区域、布置45696个芯片安装单元的结构,在相同尺寸的框架上就能多布置7104个,使得框架的密度增加15.5%,增加框架的利用率,降低生产成本。作为本技术的优选方案,所述芯片安装单元的短边与框架的长边平行布置。DFN0603封装结构的芯片安装单元的尺寸为0.6*0.3mm的尺寸,在每个芯片安装区与内布置88排、300列芯片安装单元时,芯片安装单元需要的框架尺寸为:长:300*0.3*2=180mm,宽:88*0.6=52.8mm,远远小于250*70mm的框架尺寸,给芯片安装单元之间的切割间隙以及框架的边框预留出了足够的尺寸,满足布置需求。作为本技术的优选方案,相邻的芯片安装单元之间的间距为0.08mm±0.025。将芯片安装单元之间的间距设置为0.08mm,整个框架上需要的间隙尺寸为,长:299*0.08*2=47.84mm,宽:87*0.08=6.96,框架的尺寸满足布置需求。作为本技术的优选方案,在框架的边框和芯片安装区域之间还设有多个切割定位槽,包括横向切割定位槽和竖向切割定位槽。作为本技术的优选方案,所述切割定位槽为矩形,且切割定位槽与芯片安装单元平行布置,使得切割定位槽的边与芯片安装单元上的切割线相对应。在框架的边框和芯片安装单元的安装区之间设置切割定位槽,便于芯片的定位切割,并且切割定位槽设置成矩形、与芯片安装单元平行布置,再让切割定位槽的边与芯片安装单元上的切割线相对应设置,在芯片封装完成后,利用切割定位槽的定位来进行芯片安装单元的切割分离,切割准确、方便快捷。作为本技术的优选方案,所述切割定位槽的数量与靠近框架的芯片安装单元数量对应。作为本技术的优选方案,所述框架的边框上还预留有型号打印区。综上所述,由于采用了上述技术方案,本技术的有益效果是:1、该引线框架将分区槽由3条变为1条,即将框架均分为两个芯片安装区域,且在每个芯片安装区域中布置与DFN0603封装结构相适应的芯片安装单元,节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积,提高材料利用率、节约生产成本;2、在每个芯片安装区域内均布置有88排、300列芯片安装单元,该框架上就能布置88*300*2=52800个芯片安装单元,相对于之前将框架均分为四个区域、布置45696个芯片安装单元的结构,在相同尺寸的框架上就能多布置7104个,使得框架的密度增加15.5%,增加框架的利用率,降低生产成本;3、DFN0603封装结构的芯片安装单元的尺寸为0.6*0.3mm的尺寸,在每个芯片安装区与内布置88排、300列芯片安装单元时,芯片安装单元需要的框架尺寸为:长:300*0.3*2=180mm,宽:88*0.6=52.8mm,远远小于250*70mm的框架尺寸,给芯片安装单元之间的切割间隙以及框架的边框预留出了足够的尺寸,满足布置需求;4、在框架的边框和芯片安装单元的安装区之间设置切割定位槽,便于芯片的定位切割,并且切割定位槽设置成矩形、与芯片安装单元平行布置,再让切割定位槽的边与芯片安装单元上的切割线相对应设置,在芯片封装完成后,利用切割定位槽的定位来进行芯片安装单元的切割分离,切割准确、方便快捷。附图说明图1是本技术DFN060388排双芯高密度引线框架的结构示意图。图2为图1中一个芯片布置区的结构示意图。图3为图2中的A部放大图。图4图3中的B部放大图。图中标记:1-框架,101-分区槽,102-型号打印区,103-横向切割定位槽,104-竖向切割定位槽,2-芯片安装单元,201-第一芯片安装区,202-第二芯片安装区,3-边框。具体实施方式下面结合附图,对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。实施例1如图1至图4所示,本实施例的DFN060388排双芯高密度引线框架包括用于承装芯片的矩形的框架1,所述框架1上设有多个芯片安装单元2,所述芯片安装单元2与DFN0603的封装结构相适应,在该框架1上设有与其短边平行的分区槽101,将框架1均分为两个芯片安装区域。该引线框架将分区槽由3列变为1列,即将框架均分为两个芯片安装区域,且在每个芯片安装区域中布置与DFN0603封装结构相适应的芯片安装单元,节约出更多用于布置芯片安装单元的框架面积,提高材料利用率、节约生产成本。本实施例中,所述框架1长度为250±本文档来自技高网...
一种<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/59/201621004025.html" title="一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架原文来自X技术">DFN0603 88排双芯高密度引线框架</a>

【技术保护点】
一种DFN0603 88排双芯高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,其特征在于,所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应,在该框架上设有与其短边平行的分区槽,将框架均分为两个芯片安装区域, 在框架的边框和芯片安装区域之间还设有多个切割定位槽,包括横向切割定位槽和竖向切割定位槽,所述框架的边框上还预留有型号打印区。

【技术特征摘要】
1.一种DFN060388排双芯高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,其特征在于,所述芯片安装单元与DFN0603的封装结构相适应,在该框架上设有与其短边平行的分区槽,将框架均分为两个芯片安装区域,在框架的边框和芯片安装区域之间还设有多个切割定位槽,包括横向切割定位槽和竖向切割定位槽,所述框架的边框上还预留有型号打印区。2.根据权利要求1所述的DFN060388排双芯高密度引线框架,其特征在于,所述框架长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm。3.根据权利要求2所述的DFN060388排双芯高密度引线框架,其特征在于,在每个芯片安装区域内均布置有...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗天秀樊增勇李东崔金忠许兵任伟刘剑
申请(专利权)人:成都先进功率半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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