晶片加工方法技术

本发明专利技术提供一种晶片加工方法，在晶片内部形成变质层的情况下，防止在搬运时晶片以变质层为起点断裂，并且在晶片背面形成反射膜的情况下也能够利用激光工序的照射在晶片内部形成变质层。该晶片加工方法至少包括：变质层形成工序，对于具有形成有多个器件的器件区域及围绕器件区域的外周剩余区域的晶片（W），以波长相对于晶片（W）具有透过性的激光光线在其内部沿分割预定线聚光并形成作为分割起点的变质层（32）；和搬运工序，将该晶片（W）搬运到下一工序，在变质层形成工序中，在晶片（W）的外周剩余区域未形成有变质层（32）而是形成外周加强部（W3），使得在搬运工序中晶片（W）不会以变质层（32）为起点发生断裂。

Wafer processing method

The invention provides a wafer processing method, the formation of metamorphic layer on the wafer inside the case, prevent in handling the wafer to metamorphic layer as the starting point of fracture, we can use the laser process and reflection film is formed on the back side of the wafer case formed by metamorphic layer on the wafer inside. The wafer processing method includes at least the metamorphic layer forming process, the wafer device area is formed with a plurality of devices and devices around the area of the peripheral residual region (W), the wavelength for the wafer (W) with laser light through the inside along the predetermined line focus segmentation and form modification the starting point of the segmentation layer (32); and the handling process, the wafer handling (W) to the next process in the metamorphic layer forming process, the wafer (W) of the peripheral residual region is not formed metamorphic layer (32) formed but peripheral reinforcing part (W3), made in the handling process of MICROTEK tablet (W) not to the metamorphic layer (32) as the starting point of fracture.

【技术实现步骤摘要】
晶片加工方法技术区域本专利技术涉及晶片加工方法，该晶片加工方法为：使波长相对于晶片具有透过性的激光从晶片的背面侧沿分割预定线照射，在晶片的内部聚光而形成变质层时，在未形成有器件的外周剩余区域不会形成变质层。
技术介绍
通过将由分割预定线划分开并形成有多个器件的晶片沿分割预定线切断而分割成为多个器件。例如，晶片在蓝宝石基板、碳化硅基板等的表面形成氮化镓（GaN）等外延层（外延层），由分割预定线划分开并在外延层形成有LED等多个光器件，通过沿分割预定线照射激光光线而将所述晶片分割成一个个的光器件，并用于照明设备，液晶电视、个人电脑等各类设备。作为所述分割晶片的方法，存在下述方法：使用相对于蓝宝石基板具有吸收性的例如波长为266nm的激光光线，沿分割预定线施以烧蚀加工从而在表面形成分割槽，通过对分割槽施加外力将晶片分割为一个个的光器件。（例如，参考专利文献1）。但是，这种方法存在着因烧蚀加工而在光器件的外周附着熔融物，使得光器件的亮度降低的问题。因此，为了避免所述问题，下述方法已被实际应用：使用相对于蓝宝石基板具有透过性的例如波长为1064nm的激光光线，从没有形成外延层的背面侧使聚光点会聚在分割预定线的内部并照射激光光线，沿分割预定线在内部形成变质层，然后，通过对晶片施加外力，沿分割预定线将晶片分割开。根据所述方法，能够抑制熔融物的产生（例如，参考专利文献2）。专利文献1：日本特开平10-305420号公报专利文献2：日本专利第3408805号公报但是，如果在晶片的内部形成变质层的话，存在着在后续搬运时使晶片以变质层为起点发生断裂的问题。而且，如果在光器件晶片的背面形成了由金、铝等构成的反射膜的话，存在着无法从背面侧照射激光光线的问题。
技术实现思路
本专利技术就是鉴于这样的问题而完成的，其课题在于，对于在晶片的内部形成变质层的情况下，能够防止在搬运时晶片以变质层为起点发生断裂的问题，并且即使是在晶片的背面形成有反射膜的情况下也能够通过激光光线的照射在晶片的内部形成变质层。本专利技术是一种晶片加工方法，所述晶片具备器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域，所述器件区域由多个分割预定线划分开并表面形成有多个器件，所述晶片加工方法至少包括下述工序：变质层形成工序，在该变质层形成工序中，以保持构件保持晶片的表面侧，将波长相对于晶片具有透过性的激光光线的聚光点定位在分割预定线的内部并从晶片的背面侧进行照射，沿着分割预定线形成作为分割的起点的变质层；以及搬运工序，在该搬运工序中，将晶片从保持构件搬出并将该晶片搬运至下一工序，在变质层形成工序中，在晶片外周剩余区域未形成有变质层而是形成外周加强部。在晶片是光器件晶片的情况下，在搬运工序中将晶片搬运到背面加工工序，所述背面加工工序用于在晶片的背面形成反射膜，所述光器件晶片在蓝宝石基板的表面层叠有外延层，在所述外延层在由分割预定线划分出的多个区域形成有光器件。在变质层形成工序之后，进行分割工序，在该分割工序中，对晶片的分割预定线施以外力而将所述晶片分割成一个个的器件。在本专利技术中，在变质层形成工序中，因为使外周剩余区域未形成有变质层而是作为外周加强部保留，因此在之后的搬运工序中晶片就不会以变质层为起点发生断裂。而且，即使是要在背面形成反射膜的晶片，因为在进行变质层形成工序的时候还未在背面形成反射膜，所以无论是不是要在背面形成反射膜的晶片，都能够沿分割预定线在内部形成变质层。并且，由于晶片不会断裂，能够将晶片搬运至背面加工工序，从而能够在晶片的背面形成反射膜，还能够应对光器件晶片的制造。附图说明图1是示出在晶片的表面粘着保护部件的状态的立体图。图2是示出将粘着在晶片的表面的保护部件的一侧保持于保持构件的立体图。图3是示出在晶片的内部形成变质层的形态的立体图。图4是示出在晶片的内部形成变质层的形态的剖视图。图5是示出在内部形成有变质层的晶片的立体图。图6是示出外周加强部及变质层的剖视图。图7是示出对保持构件所保持的晶片进行搬运的状态的主视图。图8是示出在背面覆盖有反射膜的晶片的主视图。图9是示出在背面的反射膜侧粘着有切割带并与框架成为一体的、将粘着在表面的保护带剥离后的晶片的立体图。图10是示出分割工序的剖视图。图11是将晶片的其他实例放大示出的俯视图。标号说明W、Wx：晶片；Wa：表面；S：分割预定线；D（D1、D2、…）：光器件；Wb：背面；Wc：外周；W1：器件区域；W2：外周剩余区域；W3：外周加强部D：切割带；F：框架；1：保护部件；2：保持构件；20：抽吸部；3：激光照射头；30：激光光线；31：聚光点；32：变质层；4：搬运构件；40：臂部；41：吸附部；5：反射膜；60、61：吸附部。具体实施方式图1所示晶片W是在蓝宝石基板的表面侧形成发光层（外延层）而构成的光器件晶片，在表面Wa，在由纵横地形成的分割预定线S所划分出的多个区域形成有光器件D。多个光器件D形成于器件区域W1而留下了晶片W的周缘部，器件区域W1由未形成有器件的外周剩余区域W2所围绕。（1）变质层形成工序如图1所示，在该晶片W的表面Wa粘着保护带等保护部件1。然后，如图2所示，将表面Wa粘贴有保护部件1的晶片W的表背面翻转，将粘着有保护部件1的表面侧载置于激光加工装置的保持构件2，将晶片W以背面Wb向上方露出的状态抽吸保持于抽吸部20，所述抽吸部20形成于保持构件2。这时，在背面Wb还没有形成反射膜。在本工序中，首先，检测出要照射激光光线的分割预定线S。所述检测可以通过在与表面Wa相对的保持构件2侧设置摄像头，通过拍摄来进行检测，也可在背面Wb的上方设置红外线摄像头，使用红外线从背面Wb侧透过晶片W拍摄来进行检测。接着，如图3所示，一边使保持构件2沿X轴方向移动，一边从激光照射头3向背面Wb进行照射激光光线30。该激光光线30的波长是相对于晶片W具有透过性的波长，该激光光线30沿着在表面Wa形成的分割预定线S，如图4所示，将聚光点31定位在分割预定线S的内部并从背面Wb侧进行照射。例如，加工条件如下。波长：1064[nm]平均输出功率：0.1～0.4[W]重复频率：100[kHz]进给速度：300～800[mm/秒]蓝宝石基板的厚度：120[μm]聚光点的位置：与背面相距60[μm]变质层的幅度：30[μm]在沿一条分割预定线S进行激光照射形成了变质层32之后，一边将激光照射头3沿Y轴方向分度进给一边同样地进行激光照射，所述激光照射头3每次进给的量为相邻的分割预定线之间的间隔。这样，沿相同方向的所有的分割预定线S在晶片的内部形成变质层32。然后，将保持构件2旋转90度再进行同样的激光照射，如图5所示，沿分割预定线S纵横地形成变质层32。该变质层32即成为分割晶片W时的起点。在形成变质层32时，只对器件区域W1照射激光光线30，而不对外周剩余区域W2照射激光。从而如图5及图6所示，在外周剩余区域W2留有未形成变质层的环状的外周加强部W3。即，虽然因形成变质层32而使得晶片W成为易分割的状态，不过外周加强部W3防止了晶片W的断裂。变质层形成工序是在对晶片W的背面Wb覆盖金属膜（反射膜）之前进行的。因而，在从背面Wb侧进行激光照射时没有阻碍，因此能够可靠地在晶片W的内部聚光。（2）搬运工序接下来，如图7所示，将在器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片加工方法，所述晶片在表面具有器件区域及围绕所述器件区域的外周剩余区域，所述器件区域在由多条分割预定线划分出的各区域分别形成有器件，所述晶片加工方法的特征在于，所述晶片加工方法至少包括下述工序：变质层形成工序，在该变质层形成工序中，以保持构件保持晶片的表面侧，将波长相对于所述晶片具有透过性的激光光线的聚光点定位在分割预定线的内部并从所述晶片的背面侧进行照射，沿分割预定线形成作为分割的起点的变质层；以及搬运工序，在该搬运工序中，将晶片从所述保持构件搬出，并将所述晶片搬运到下一工序，在所述变质层形成工序中，在晶片的外周剩余区域残留外周加强部而不形成变质层，在所述变质层形成工序中，以不到达所述器件区域的周缘部的方式形成所述变质层，由此在从所述外周剩余区域到所述器件区域的范围形成所述外周加强部。

【技术特征摘要】
2011.12.26 JP 2011-2830601.一种晶片加工方法，所述晶片在表面具有器件区域及围绕所述器件区域的外周剩余区域，所述器件区域在由多条分割预定线划分出的各区域分别形成有器件，所述晶片加工方法的特征在于，所述晶片加工方法至少包括下述工序：变质层形成工序，在该变质层形成工序中，以保持构件保持晶片的表面侧，将波长相对于所述晶片具有透过性的激光光线的聚光点定位在分割预定线的内部并从所述晶片的背面侧进行照射，沿分割预定线形成作为分割的起点的变质层；以及搬运工序，在该搬运工序中，将晶片从所述保持构件搬出，并将所述晶片搬运到下...

【专利技术属性】
技术研发人员：关家一马，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP