内置IC的集成功率场效应管制造技术

本实用新型专利技术属于电学领域，供一种内置IC的集成功率场效应管，将IC芯片置于MOSFET内部，以解决MOSFET管和IC电参片匹配不精确的问题。

【技术实现步骤摘要】
内置IC的集成功率场效应管
本技术属于电学领域，涉及一种内置IC的集成功率场效应管。
技术介绍
目前市场上LED的运用相当广泛，由于LED是特性敏感的半导体器件，又具有负温度特性，因而在应用过程中需要对其进行稳定工作状态和保护，从而产生了驱动的概念。LED器件对驱动电源的要求近乎于苛刻，LED不像普通的白炽灯泡，可以直接连接220V的交流市电。LED是2～3伏的低电压驱动，必须要设计复杂的变换电路，不同用途的LED灯，要配备不同的电源适配器。国际市场上国外客户对LED驱动电源的效率转换、有效功率、恒流精度、电源寿命、电磁兼容的要求都非常高，设计一款好的电源必须要综合考虑这些因数，因为电源在整个灯具中的作用就好比像人的心脏一样重要。而LED驱动器中最重要的驱动元件除了变压器以外，就是功率MOSFET和集成IC了。金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其低栅极驱动功率、快速切换速度以及出色的并联性能等特性，常被用于功率器件。然而，LED驱动器虽然现广泛应用但是也会存在电流、电压难以完好匹配的问题，尤其是MOSFET管和集成IC的电参片匹配度不一定完全同步，会导致电路元件的损坏，MOSFET管和集成IC如图1所示分开设置。在选用前，两者需要经过很严格的参数筛选，筛选过程繁琐，而且可能还是会出错，导致MOSFET管和集成IC电参片仍然不同步。另一方面，MOSFET管的芯片并未完全利用起来，MOSFET管的芯片材料被浪费掉。
技术实现思路
本技术意在提供一种内置IC的集成功率场效应管，以解决MOSFET管和IC电参片匹配不精确的问题。为了达到上述目的，本技术的基础方案提供一种内置IC的集成功率场效应管，将IC芯片置于MOSFET内部。基础方案的原理和有益效果在于：将IC芯片置于MOSFET内部，这样在封装和测试MOSFET时，测试系统自动筛选掉参数匹配不精确的产品，这样能够有效地保证LED驱动电源中MOSFET与集成IC电参数的精确匹配。优选方案一：此方案为基础方案的优选，所述MOSFET管芯片上设有直接通过光刻得到的IC芯片电路。本方案的原理和有益效果在于，提供一种简单可行结构，将集成IC芯片的电路直接光刻到MOSFET管的内部，实现IC芯片和MOSFET管的一体化，两个元件变成了一个元件，生产成本降低，结构更加紧凑，电路板的体积也会变小，也会节约成本，同时MOSFET的封装和测试都会更加简单；另外，一体化有利于电路的优化，减少的电路中的能耗，集成后的MOSFET电流密度更高，电参数更集中。因为一体成型，加工时不容易出现MOSFET管和IC电参片不匹配的问题，而且一体的结构再测试时精确度更高，达到了优化电路和降低成本的效果。优选方案二：作为优选方案一的优选，MOSFET的衬底的材料为100晶面的Si晶体。本方案提供了一种衬底的材料，即可以在上面加工MOSFET管，也能在上面光刻IC芯片。优选方案三：作为优选方案一的优选，还包括直接光刻在MOSFET板芯片上的导线，所述导线连接所述IC芯片的引脚与对应的MOSFET管引脚。本方案的原理和有益效果在于，将连接MOSFET管引脚与IC芯片引脚的导线也用光刻的方式设置在MOSFET芯片上，进一步增加了产品的整体性，使结构更加紧凑，没有多余的需要人工连接的导线，减小出错的概率。优选方案四：作为优选方案一的优选，还包括封壳、第一引脚、第二引脚、第三引脚和散热片，所述散热片固定安装在封壳一侧面，安装散热片封壳侧面的对侧面上固定安装有第一引脚、第二引脚与第三引脚，所述第一引脚和第三引脚弯折，第一引脚弯折处与水平面的角度为30-45度，第三引脚弯折处与水平面的角度为30-45度。本方案的原理和有益效果在于，散热片设置在与有第一引脚、第二引脚与第三引脚对侧的封壳侧面上，用于对封壳内电极的散热，避免发热损坏。第一引脚向下弯折与第三引脚向下弯折，30-45度能够保证MOSFET管能够良好的焊接，若小于30度，可能会与其他元件干扰，扰乱元件工作，若大于45度，整个三极管容易形成立式安装，焊接的时候稳定性不好。优选方案五：作为优选方案一的优选，还包括封壳，所述封壳内部为装有酒精的腔体，封壳上方有网状管道，所述网状管道与腔体连通。本方案的原理和有益效果在于，MOSFET管发热时，酒精蒸发，吸收热量，使MOSFET管冷却，酒精气体进入网状管道，液化为酒精液体，回流到封壳内继续发挥散热作用。网状管道设置为网状的原因是，液化时酒精放热，网状增大了散热的面积，使散热更迅速，液化更迅速。附图说明图1为现有技术LED驱动电路板的结构示意图；图2为本技术实施例内置IC的集成功率场效应管内部结构简图；图3为本技术实施例内置IC的集成功率场效应管整体结构简图；图4为本技术实施例中封壳截面的部分简图。具体实施方式下面通过具体实施方式对本技术作进一步详细的说明：说明书附图中的附图标记包括：原IC芯片1、原MOSFET管2、IC芯片3、MOSFET管芯片4、功率场效应管5、封壳6、散热片7、第一引脚8、第二引脚9、空腔10、网状管道11、第二引脚12。如图2所示，本实施例将IC芯片3的芯片电路光刻到MOSFET管芯片4上，使IC芯片3和MOSFET管芯片4成为一个整体。MOSFET管芯片4的衬底的材料为（100）晶面的Si晶体。连接IC芯片3的引脚与对应的MOSFET管芯片引脚的导线直接光刻在MOSFET板芯片上。如图3所示，将芯片用封壳6密封，将三个引脚留在封壳6外，包括第一引脚8、第二引脚12、第三引脚9。三个引脚位于封壳6的一个面上，在对侧面上设置散热片7，增加芯片的散热效果。第一引脚8和第三引脚9向下弯折，弯折处于水平面的角度都为40度。封壳6的结构图4所示，封壳6上设有空腔10，外侧有网状管道11，空腔10内装有酒精。本实施例中，IC芯片3的电路直接光刻到MOSFET管芯片4上，并且将原本需要用导线连接的部分也光刻到芯片上，彻底使两个元件变成了一个元件，增强了其整体性，还能够缩小应用驱动电路板的体积，大大减少了生产的成本，同时能够完成MOSFET与成IC的同步测试及参数一致性的一次分选，解决了MOSFET与集成IC的电参数匹配问题，另外集成后的MOSFET电流密度更高，电参数更集中，优化了电路结构，减少了电路应用中的能耗。引脚角度的选择能够保证MOSFET管能够良好的焊接，既不会与其他元件干扰，扰乱元件工作，也不会形成立式安装，造成稳定性不好的问题。散热片用于散热，同时MOSFET管发热时，酒精蒸发，吸收热量，使MOSFET管快速冷却，酒精气体进入网状管道，液化为酒精液体，回流到封壳内继续发挥散热作用。总的来说，本实施例不仅解决了OSFET管和IC电参片匹配不精确的问题，还优化了电路，同时保证了元件安装时拥有可靠性以及使用时出拥有众的散热性。以上所述的仅是本技术的实施例，方案中公知的具体结构和/或特性等常识在此未作过多描述。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本技术结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本技术的保护范围，这些都不会影响本技术实施的效果和专利的实用性。本申请要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内置IC的集成功率场效应管，包括MOSFET管，其特征在于，还包括IC芯片，IC芯片置于MOSFET内部，所述MOSFET管的芯片上光刻有IC芯片的电路；还包括直接光刻在MOSFET板芯片上的导线，所述导线连接所述IC芯片的引脚与对应的MOSFET管引脚。

【技术特征摘要】
1.一种内置IC的集成功率场效应管，包括MOSFET管，其特征在于，还包括IC芯片，IC芯片置于MOSFET内部，所述MOSFET管的芯片上光刻有IC芯片的电路；还包括直接光刻在MOSFET板芯片上的导线，所述导线连接所述IC芯片的引脚与对应的MOSFET管引脚。2.如权利要求1所述的内置IC的集成功率场效应管，其特征在于，MOSFET的衬底的材料为100晶面的Si晶体。3.如权利要求1所述的内置IC的集成功率场效应管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏广乾，
申请(专利权)人：重庆凯西驿电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆,50