半导体构件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体构件，该半导体构件包含具有器件容纳区、一个或多个引线框引线以及键合于器件容纳区的第一部分的至少一个绝缘金属基板的引线框。第一半导体器件被安装于第一绝缘金属基板，第一半导体器件由III‑N半导体材料配置成。第一电互连件耦接于第一半导体器件的第一载流端子与管芯容纳区的第二部分之间。本实用新型专利技术的一个方面的目的是提供一种级联半导体器件。本实用新型专利技术的一个方面的技术效果在于所提供的级联半导体器件实现起来具有成本效益。

【技术实现步骤摘要】
半导体构件本申请是由Chun-LiLiu等人于2015年7月24日提交的、题目为“SEMICONDUCTORCOMPONENTANDMETHODOFMANUFACTURE”的临时专利申请No.62/196,626的非临时申请，该临时专利申请全文通过引用并入本文，并且在此要求其共同主题的优先权。
本技术一般地涉及电子器件，并且更特别地涉及电子器件的半导体结构以及形成半导体器件的方法。
技术介绍
过去，半导体制造商使用硅半导体材料和III-N(III族氮化物)半导体材料的组合来制造级联器件，例如，与硅器件级联的常开式III-N耗尽型HEMT。使用这种材料组合有助于使用常开的III-N耗尽型器件来实现常闭状态。级联半导体器件已经在RakeshK.Lal等人的且在2013年4月11日发表的美国专利申请公开号2013/0088280A1中进行了描述。在以不同的半导体基板材料制造级联器件之后，半导体构件制造商通常会将硅器件和耗尽型器件保护于单独的封装中，并且经由引线框引线将在单独封装内的器件连接在一起以形成级联器件。这种方法的缺点在于：增加封装的数量会增加级联半导体构件的成本并且由于增加的寄生现象(例如，寄生电容和寄生电感)而降低级联器件的性能。因此，级联半导体器件及级联半导体器件的制造方法将会是有利的。该结构及方法实现起来具有成本效益将会是更有利的。
技术实现思路
本技术的一个方面的目的是提供一种级联半导体器件。一种具有至少第一端子及第二端子的半导体构件，其特征在于，包含：具有管芯容纳区以及至少第一引线框引线和第二引线框引线的引线框，所述第一引线框引线用作所述半导体构件的所述第一端子并且所述第二引线框引线用作所述半导体构件的所述第二端子；具有第一表面和第二表面的至少一个安装结构，所述至少一个安装结构的所述第一表面键合于所述管芯容纳区的第一部分；安装于第一安装结构的第一半导体器件，所述第一半导体器件具有第一载流端子及第二载流端子并且由III-N半导体材料配置；以及耦接于所述第一半导体器件的所述第一载流端子与所述管芯容纳区的第二部分之间的第一电互连件。优选地，所述至少一个安装结构还包含具有第一表面和第二表面的第二安装结构，所述第二安装结构与所述管芯容纳区的第三部分耦接。优选地，所述第一安装结构包含：具有第一表面和第二表面的第一电介质层，在所述第一电介质层的所述第一表面上的第一导电材料层，以及在所述第一电介质层的所述第二表面上的第二导电材料层；并且其中所述第二安装结构包含：具有第一表面和第二表面的第二电介质层，在所述第二电介质层的所述第一表面上的第三导电材料层，以及在所述第二电介质层的所述第二表面上的第四导电材料层。优选地，所述半导体构件还包含安装于所述第二安装结构的第二半导体器件，所述第二半导体器件具有控制端子和第一载流端子及第二载流端子，并且由硅基材料配置成。优选地，所述第二半导体器件具有第一表面和第二表面，所述第二半导体器件的所述控制端子形成于所述第二半导体器件的所述第一表面的第一部分处，并且所述第二半导体器件的所述第一载流端子形成于所述第二半导体器件的所述第一表面的第二部分处，并且所述第二半导体器件的所述第二载流端子形成于所述第二半导体器件的所述第二表面处。优选地，所述半导体构件还包含耦接于所述第二半导体器件的所述第一载流端子与所述第一引线框引线之间的第二电互连件，其中所述第一电互连件是第一键合线和第一夹子之一，并且所述第二电互连件是第二键合线和第二夹子之一。优选地，所述半导体构件还包含：耦接于所述第二半导体器件的所述控制端子与所述第二引线框引线之间的第三电互连件；耦接于所述第二半导体器件的所述第一载流端子与所述第一半导体器件的所述控制端子之间的第四电互连件；耦接于所述第一半导体器件的所述第二载流端子与所述第二安装结构之间的第五电互连件。一种半导体构件，其特征在于，包含：具有器件容纳区的引线框；第一基板和第二基板，所述第一基板安装于所述器件容纳区的第一部分，并且所述第二基板安装于所述器件容纳区的第二部分；安装于所述第一基板的第一部分的III-N半导体器件，所述III-N半导体器件具有控制电极和第一载流电极及第二载流电极；安装于所述第二基板的第一部分的半导体器件，所述半导体器件具有第一载流电极及第二载流电极；与所述第一基板和所述第二基板分隔开的第一导电引线；以及用于将所述III-N半导体器件的所述控制电极耦接至所述半导体器件的所述第二载流电极的至少一个电互连件。优选地，所述半导体构件还包含：与所述器件容纳区电耦接的第二导电引线；用于将所述半导体器件的所述第一载流电极耦接至所述第一导电引线的至少一个电互连件；用于将所述半导体器件的所述第二载流电极耦接至所述III-N半导体器件的所述第二载流电极的至少一个电互连件；以及用于将所述III-N半导体器件的所述第一载流电极耦接至所述第二导电引线的至少一个电互连件。优选地，所述第一基板是第一直接键合的铜基板，并且所述第二基板是第二直接键合的铜基板，其中所述第一直接键合的铜基板包含在第一铜层与第二铜层之间的第一电介质材料层，并且所述第二直接键合的铜基板包含在第三铜层与第四铜层之间的第二电介质材料层。本技术的一个方面的技术效果在于所提供的级联半导体器件实现起来具有成本效益。附图说明通过结合附图来阅读下面的详细描述将会更好理解本技术，在附图中相同的附图标记指示相同的要素，并且在附图中：图1是根据本技术的一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图2是沿图1的剖面线2-2截取的图1的半导体构件的剖视图；图3是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图4是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图5是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图6是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图7是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图8是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图9是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图10是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图11是沿图10的剖面线11-11截取的图10的半导体构件的剖视图；图12是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图13是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图14是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图15是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图16是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图17是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图18是沿图17的剖面线18-18截取的图17的半导体构件的剖视图；图19是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图20是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图21是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构件的透视图；图22是根据本技术的另一种实施例的成级联配置的半导体构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体构件，所述半导体构件具有至少第一端子及第二端子，其特征在于，所述半导体构件包含：具有管芯容纳区以及至少第一引线框引线和第二引线框引线的引线框，所述第一引线框引线用作所述半导体构件的所述第一端子并且所述第二引线框引线用作所述半导体构件的所述第二端子；具有第一表面和第二表面的至少一个安装结构，所述至少一个安装结构的所述第一表面键合于所述管芯容纳区的第一部分；安装于第一安装结构的第一半导体器件，所述第一半导体器件具有第一载流端子及第二载流端子并且由III‑N半导体材料配置；以及耦接于所述第一半导体器件的所述第一载流端子与所述管芯容纳区的第二部分之间的第一电互连件。

【技术特征摘要】
2015.07.24 US 62/196,626;2016.07.06 US 15/202,7651.一种半导体构件，所述半导体构件具有至少第一端子及第二端子，其特征在于，所述半导体构件包含：具有管芯容纳区以及至少第一引线框引线和第二引线框引线的引线框，所述第一引线框引线用作所述半导体构件的所述第一端子并且所述第二引线框引线用作所述半导体构件的所述第二端子；具有第一表面和第二表面的至少一个安装结构，所述至少一个安装结构的所述第一表面键合于所述管芯容纳区的第一部分；安装于第一安装结构的第一半导体器件，所述第一半导体器件具有第一载流端子及第二载流端子并且由III-N半导体材料配置；以及耦接于所述第一半导体器件的所述第一载流端子与所述管芯容纳区的第二部分之间的第一电互连件。2.根据权利要求1所述的半导体构件，其特征在于，所述至少一个安装结构还包含具有第一表面和第二表面的第二安装结构，所述第二安装结构与所述管芯容纳区的第三部分耦接。3.根据权利要求2所述的半导体构件，其特征在于，所述第一安装结构包含：具有第一表面和第二表面的第一电介质层，在所述第一电介质层的所述第一表面上的第一导电材料层，以及在所述第一电介质层的所述第二表面上的第二导电材料层；并且其中所述第二安装结构包含：具有第一表面和第二表面的第二电介质层，在所述第二电介质层的所述第一表面上的第三导电材料层，以及在所述第二电介质层的所述第二表面上的第四导电材料层。4.根据权利要求3所述的半导体构件，其特征在于，还包含安装于所述第二安装结构的第二半导体器件，所述第二半导体器件具有控制端子和第一载流端子及第二载流端子，并且由硅基材料配置成。5.根据权利要求4所述的半导体构件，其特征在于，所述第二半导体器件具有第一表面和第二表面，所述第二半导体器件的所述控制端子形成于所述第二半导体器件的所述第一表面的第一部分处，并且所述第二半导体器件的所述第一载流端子形成于所述第二半导体器件的所述第一表面的第二部分处，并且所述第二半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明焦，B·帕德玛纳伯翰，刘春利，A·萨利赫，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US