【技术实现步骤摘要】
一种具有修调和输出复用端口的霍尔传感器芯片
本技术涉及集成电路领域,特别涉及一种具有修调和输出复用端口的霍尔传感器芯片。
技术介绍
在集成电路产品制造领域中,由于工艺制程的偏差,芯片参数的设计值和实际成品的测试值往往存在偏差,特别是某些精度要求很高的关键参数,因此需要根据该芯片的测试值进行修调,以期使关键参数能达到预计的设计要求,提高产品的良率。较为常用的修调方法是芯片生产过程中的晶圆中测环节,根据该阶段的测试结果,对不符合要求的参数通过激光烧断或电压熔断的方式进行修调至要求值再进入芯片封装环节。对霍尔传感器芯片来说,其相关性能参数如磁灵敏度、灵敏度温漂系数等对封装应力比较敏感,晶圆中测完成的修调在封装后又重新引入了参数偏差,因此对霍尔传感器来说晶圆中测阶段的修调变的意义不大。有鉴于此,本专利技术人专门设计了一种具有修调和输出复用端口的霍尔传感器芯片,本案由此产生。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有修调和输出复用端口的霍尔传感器芯片,针对霍尔传感器芯片晶圆中测环节的修调方式的局限性,提供一种芯片成品测试环节的修调的方法,提高霍尔传感器芯片的参数精度和产品良率。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案如下:一种具有修调和输出复用端口的霍尔传感器芯片,包括内部电路、复用端口电路、锁存电路、修调电路;所述内部电路,用于实现芯片功能和性能的主体电路,内部电路的输出端与所述复用端口电路相连;所述复用端口电路的输出端口,分别与所述锁存电路、修调电路相连,用于将所述芯片输出端复用为修调输入端口,输出修调控制信号,将并所述修调控制信号分别传送至所述锁存电路、修调电路;所述 ...
【技术保护点】
一种具有修调和输出复用端口的霍尔传感器芯片,其特征在于:包括内部电路、复用端口电路、锁存电路、修调电路;所述内部电路,用于实现芯片功能和性能的主体电路,内部电路的输出端与所述复用端口电路相连;所述复用端口电路的输出端口,分别与所述锁存电路、修调电路相连,用于将所述芯片输出端复用为修调输入端口,输出修调控制信号,并将所述修调控制信号分别传送至所述锁存电路、修调电路;所述锁存电路的输出端,与所述内部电路的输出端相连,根据所述修调控制信号将内部电路的输出锁存为低电平;所述修调电路的输出端口,与所述内部电路的输入端相连,为所述内部电路的修调提供可烧断电阻阵列,并依据所述修调控制信号,完成相应可烧断电阻的烧断。
【技术特征摘要】
1.一种具有修调和输出复用端口的霍尔传感器芯片,其特征在于:包括内部电路、复用端口电路、锁存电路、修调电路;所述内部电路,用于实现芯片功能和性能的主体电路,内部电路的输出端与所述复用端口电路相连;所述复用端口电路的输出端口,分别与所述锁存电路、修调电路相连,用于将所述芯片输出端复用为修调输入端口,输出修调控制信号,并将所述修调控制信号分别传送至所述锁存电路、修调电路;所述锁存电路的输出端,与所述内部电路的输出端相连,根据所述修调控制信号将内部电路的输出锁存为低电平;所述修调电路的输出端口,与所述内部电路的输入端相连,为所述内部电路的修调提供可烧断电阻阵列,并依据所述修调控制信号,完成相应可烧断电阻的烧断。2.根据权利要求1所述的一种具有修调和输出复用端口的霍尔传感器芯片,其特征在于:所述复用端口电路包括电源、第一级状态控制支路、第二级状态控制支路、输出控制单元、复用端口保护单元;所述电源,与所述第一级状态控制支路、第二级状态控制支路、输出控制单元、复用端口保护单元相连,用于供电;所述第一级状态控制支路的输入端与所述内部电路的输出端口相连,第一级状态控制支路的输出端与所述第二级状态控制支路的输入端相连,用于根据所述内部电路的输出,输出控制信号,控制所述第二级状态控制支路开启与关闭;所述第二级状态控制支路的输出端,分别与所述复用端口保护单元的输入端、输出控制单元的输入端相连,用于根据所述第一级状态控制支路的输出控制信号,控制所述复用端口保护单元和输出控制单元的开启与关闭;所述复用端口保护单元的输出端,与所述输出控制单元的输入端相连,用于根据所述第一级状态控制支路的输出控制信号,保护所述输出控制单元的输出端口;所述输出控制单元的输出端口,分别与所述锁存电路、修调电路相连,用于将所述芯片输出端复用为修调输入端口,输出修调控制信号,将并所述修调控制信号分别传送至所述锁存电路、修调电路。3.根据权利要求2所述的一种具有修调和输出复用端口的霍尔传感器芯片,其特征在于:所述第一级状态控制支路包括一P型场效应管和一N型场效应管;所述P型场效应管的源极接所述电源,栅极与所述内部电路的输出端连接,漏极与所述输出控制单元的输入端连接;所述N型场效应管的漏极与所述输出控制单元的输入端连接,栅极与所述内部电路的输出端连接,源极与接地信号相连。4.根据权利要求3所述的一种具有修调和输出复用端口的霍尔传感器芯片,其特征在于:所述复用端口保护单元包括第一P型场效应管、第二P型场效应管、第一N型场效应管、第六P型场效应管和二极管;所述第一P型场效应管的栅极接所述电源,源极与所述输出控制单元的输入端连接,衬底与所述二极管的负极连接,漏极接所述第六P型场效应管的漏极;所述第二P型场效应管的栅极接所述电源,源极与所述第六P型场效应管的漏极连接,衬底与所述二极管的负极连接,漏极与所述第二级状态控制支路的输入端连接;所述第一N型场效应管的栅极接所述电源,源极与接地信号连接,漏极与所述第二级状态控制支路的输入端连接;所述二极管的正极与所述电源连接,负极分别与所述第一P型场效应管的衬底、第二P型场效应管的衬底;所述第六P型场效应管的栅极接所述电源,漏极分别与所述第一P型场效应管的漏极和第二P型场效应管的源极相连,衬底和源极与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:姜帆,陈利,刘玉山,
申请(专利权)人:厦门安斯通微电子技术有限公司,
类型:新型
国别省市:福建,35
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