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具有发光二极管的光电子电路制造技术

技术编号:15345264 阅读:209 留言:0更新日期:2017-05-17 00:59
本发明专利技术涉及一种接收包含交替上升和下降阶段的可变电压(V

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有发光二极管的光电子电路本专利申请要求法国专利申请FR14/56180的优先权权益,其将通过引用并入本文。
技术介绍
本专利技术涉及光电子电路(optoelectroniccircuit),特别是涉及包括发光二极管的光电子电路。相关技术的讨论期望能够以AC电压特别是正弦电压(例如,电源电压)给包括发光二极管的光电子电路供电。图1示出了包括输入端IN1和IN2的光电子电路10的示例,输入端IN1和IN2之间施加有AC电压VIN。光电子电路10还包括整流电路12,整流电路12包括二极管桥14,接收电压VIN,并且提供对发光二极管16供电的整流电压VALIM,该发光二极管16例如与电阻器15串联组装。流过发光二极管16的电流叫作IALIM。图2是对于其中AC电压VIN对应于正弦电压的示例的电源电压VALIM和电源电流IALIM的时序图。当电压VALIM大于发光二极管16的阈值电压之和时,发光二极管16变为导通。电源电流IALIM然后遵循电源电压VALIM。因此,存在其中没有发光的关断(OFF)阶段和发光的开通(ON)阶段的交替。缺点是,只要电压VALIM小于发光二极管16的阈值电压的和,光电子电路10就不发光。当没有发光的每个关断阶段的持续时间在两个发光的开通阶段之间太长时,观察者可能察觉到这种缺乏发光。增加每个开通阶段的持续时间的可能性是减少发光二极管16的数量。因此,缺点是在电阻器中损失的电功率是显着的。公开US2012/0056559描述了一种光电子电路,其中接收电源电压VALIM的发光二极管的数量在电源电压的上升阶段期间逐渐增加,并且在电源电压的下降阶段期间逐渐减小。这通过能够根据电压VALIM的变化使可变数量的发光二极管短路的开关电路来实现。这使得能够减少没有发光的每个阶段的持续时间。在公开US2012/0056559中描述的光电子电路的缺点是发光二极管电源电流不是连续变化的,即在电压变化期间存在电流流动的突然中断。这导致由发光二极管提供的光强度的时间变化,其可以被观察者感知。这进一步导致为光电子电路的发光二极管供电的电流的谐波因数的降低。可以在整流电路和发光二极管之间插入限流电路,以将电源电流保持在基本恒定的电平。则光电子电路的结构可能相对复杂,并且光电子电路的体积可能是显着的。此外,可能难以至少部分地以与发光二极管集成的方式形成整流电路和限流电路来进一步减小光电子电路的体积。
技术实现思路
实施例的目的是克服前述光电子电路的全部或部分缺点。实施例的另一个目的是减少光电子电路没有发光的阶段的持续时间。实施例的另一个目的是用于为发光二极管供电的电流基本上连续变化。实施例的另一个目的是减小光电子电路的体积。因此,实施例提供了一种光电子电路,旨在接收包含上升和下降阶段的交替的可变电压,所述光电子电路包括:多个发光二极管组件,所述组件被串联组装;对于每个组件,能够所述组件的一个端子处的电压和/或取决于所述组件的一个端子处的所述电压的电压与至少第一阈值以及可能第二阈值进行比较的比较单元;和控制单元,其连接到所述比较单元,并且能够在每个上升阶段期间当所述组件的所述电压上升到所述第二阈值之上时或者当与所述组件邻近并且传导电流的组件的所述电压上升到所述第一阈值以上时中断来自所述多个组件的某些组件中的每个组件中的电流的流动,并且能够在每个下降阶段期间,当邻近所述组件并且传导电流的组件的所述电压下降到第一阈值以下时控制来自所述多个组件的某些组件中的每个组件中的电流的流动。根据实施例,光电子电路包括:电流源;对于每个组件,将电流源连接到所述组件的所述端子的开关,并且对于来自所述多个组件中的某些组件中的每个组件,所述控制单元能够在与所述组件邻近并且传导电流的组件的所述电压减小到第一阈值以下时,命令与所述组件相关联的开关导通。根据实施例,对于来自多个组件的某些组件中的每个组件,控制单元能够在每个上升阶段当与所述组件邻近并导通电流的组件的所述电压上升到第二阈值以上时命令与所述组件相关联的开关导通。根据实施例,控制单元能够在导通与所述组件相关联的开关之后命令与所述邻近组件相关联的开关断开。根据实施例,对于来自多个组件的某些组件中的每个组件,当在每个上升阶段邻近所述组件的组件的所述电压上升到第一阈值以上时,控制单元能够命令与所述组件相关联的开关断开。根据实施例,对于每个组件,光电子电路包括用于每个组件的电流源,对于每个组件,控制单元能够当邻近所述组件和传导电流的组件的所述电压在每个上升阶段上升到第二阈值以上并且在每个下降阶段下降到第一阈值以下时,命令与所述组件相关联的电流源激活。根据实施例,控制单元还能够在与所述组件相关联的电流源激活之后,命令与所述邻近组件相关联的电流源停用。根据实施例,光电子电路还包括能够提供所述电压的全波整流电路。根据实施例,至少一个发光二极管是平面发光二极管,其包括位于在平坦表面上的层堆叠,其具有至少一个能够发光的有源层。根据实施例,发光二极管的组件中的至少一个的发光二极管包括微线、纳米线或棱锥体形式的三维半导体元件,每个半导体元件被能够发光的有源层覆盖。根据实施例,光电子电路包括第一集成电路,该第一集成电路包括控制单元、以及至少一个第二集成电路,该第二集成电路不同于第一集成电路并且附接到第一集成电路,并且包括发光二极管的组件中的至少一个。根据实施例,第二集成电路包括发光二极管的组件中的所有。根据实施例,光电子电路还包括第三集成电路,其不同于第一集成电路和第二集成电路并且附接到第一集成电路,并且包括发光二极管的组件中的至少一个。实施例还旨在一种控制多个发光二极管组件的方法,所述组件被串联组装并且以包含上升阶段和下降阶段的交替的可变电压供电,所述方法包括:对于每个组件,将所述组件的一个端子处的电压和/或取决于所述组件的一个端子处的所述电压的电压与至少第一阈值以及可能地第二阈值进行比较;和在每个上升阶段期间,当所述组件的所述电压上升到第二阈值以上时或者当邻近所述组件并传导电流的组件的所述电压上升到第一阈值以上时,中断来自所述多个组件的某些组件中的每个组件中的电流的流动,并且在每个下降阶段期间,当邻近所述组件并且传导电流的组件的所述电压降低到第一阈值以下时,控制来自多个组件的某些组件中的每个组件中的电流的流动。根据实施例,对于每个组件,通过开关将电流源连接到所述组件的所述端子,所述方法还包括对于来自所述多个组件的某些组件中的每个组件,在每个下降阶段当邻近所述组件的并传导电流的组件的所述电压减小到所述第一阈值以下时导通与所述组件相关联的开关。根据实施例,该方法包括,对于来自多个组件中的某些组件中的每个组件,在每个上升阶段当邻近所述组件并传导电流的组件的所述电压上升到第二阈值以上时,导通与所述组件相关联的开关。根据实施例,该方法还包括在导通与所述组件相关联的开关之后,断开与所述邻近组件相关联的开关。根据实施例,该方法包括对于来自多个组件的某些组件中的每个组件,在每个上升阶段当与所述组件邻近的组件的所述电压上升到第一阈值以上时,断开与所述组件相关联的开关。根据实施例,对于每个组件,电流源连接到所述组件,所述方法包括对于每个组件,当邻近所述组件并传导电流的组件的所述电压在每个上升阶段上升到第二阈值以上时,并且在每个本文档来自技高网
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具有发光二极管的光电子电路

【技术保护点】
一种用于接收包含上升阶段和下降阶段的交替的可变电压(V

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.30 FR 14561801.一种用于接收包含上升阶段和下降阶段的交替的可变电压(VALIM)的光电子电路(20),所述光电子电路包括:多个发光二极管的组件(Di),所述组件被串联组装;用于每个组件的比较单元(COMPi),其能够将所述组件的一个端子处的电压(VCi)和/或取决于所述组件的一个端子处的所述电压的电压与至少第一阈值(Vlowi)并且可能地第二阈值(Vhighi)进行比较;电流源(30);用于每个组件(Di)的开关(SWi),其将所述电流源连接到所述组件的所述端子;和控制单元(32),其连接到所述比较单元,并且在每个上升阶段期间对于来自所述多个组件的某些组件中的每个组件,能够当所述组件的所述电压上升到所述第二阈值以上时或者当与所述组件邻近并且传导电流的组件的所述电压上升到所述第一阈值以上时命令连接到所述组件的开关导通;以及在每个下降阶段期间对于来自所述多个组件的某些组件中的每个组件,能够当与所述组件邻近并传导电流的组件的所述电压降低到低于所述第一阈值时,命令连接到所述组件的开关断开。2.根据权利要求1所述的光电子电路,其中,对于来自所述多个组件的某些组件中的每个组件,所述控制单元(32)能够在每个上升阶段中当与所述组件邻近并传导电流的所述组件的所述电压上升到所述第二阈值以上时命令与所述组件相关联的所述开关导通。3.根据权利要求1或2所述的光电子电路,其中,所述控制单元(32)能够在导通与所述组件相关联的开关之后命令与所述邻近组件相关联的开关断开。4.根据权利要求1所述的光电子电路,其中,对于来自所述多个组件的某些组件中的每个组件,所述控制单元(32)能够在每个上升阶段中当与所述组件邻近的组件的所述电压上升到所述第一阈值以上时命令与所述组件相关联的开关断开。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子电路,还包括能够提供所述电压(VALIM)的全波整流电路(12)。6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电子电路,其中,所述发光二极管(27)中的至少一个是平面发光二极管,其包括位于在平坦表面上的层堆叠,具有至少一个能够发光的有源层。7.根据权利要求1至5中任一项所述的光电子电路,其中,发光二极管的组件(Di)中的...

【专利技术属性】
技术研发人员:弗雷德里克·梅西埃
申请(专利权)人:艾利迪公司
类型:发明
国别省市:法国,FR

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