共模噪声滤波器制造技术

在共模噪声滤波器中，第1线圈(12)由螺旋状的第1线圈导体(16)以及第2线圈导体(17)构成。第2线圈(13)由螺旋状的第3线圈导体(18)以及第4线圈导体(19)构成。从上部起按照第1线圈导体(16)、第3线圈导体(18)、第2线圈导体(17)、第4线圈导体(19)的顺序层叠。连接于接地的第1金属层(14)被设置于第1线圈导体(16)的上方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】共模噪声滤波器
本专利技术涉及被用于数字设备、AV设备、信息通信终端等各种电子设备的小型且薄型的共模噪声滤波器。
技术介绍
图16中表示现有的共模噪声滤波器500。现有的共模噪声滤波器500是将绝缘体层1a至1g层叠而成的，在绝缘体层1b至1e的上表面分别形成线圈2和线圈3。线圈2具有螺旋状的线圈导体4a和螺旋状的线圈导体4b。线圈导体4a与线圈导体4b相互连接。线圈3具有螺旋状的线圈导体5a和螺旋状的线圈导体5b。线圈导体5a与线圈导体5b相互连接。构成线圈2的线圈导体4a、4b、构成线圈3的线圈导体5a、线圈导体5b被交替配置。线圈导体4a与线圈导体5a相互磁耦合来形成共模滤波器6。线圈导体4b与线圈导体5b相互磁耦合来形成共模滤波器7。通过共模滤波器6与共模滤波器7相互串联连接，共模噪声滤波器500针对共模的阻抗增大，共模噪声被除去。另外，涉及上述的共模噪声滤波器的技术例如被公开在专利文献1中。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开2002-373810号公报
技术实现思路
共模噪声滤波器具备：第1至第5绝缘体层；和第1线圈，该第1线圈具有形成于第1绝缘体层的上表面的螺旋状的第1线圈导体、和形成于第2绝缘体层的上表面并被设置于第1线圈导体的下方的螺旋状的第2线圈导体。进一步具备第2线圈，该第2线圈具有：形成于第3绝缘体层的上表面的螺旋状的第3线圈导体、和形成于第4绝缘体层的上表面并被设置于第3线圈导体的下方的螺旋状的第4线圈导体。进一步具备：第1金属层，形成于第5绝缘体层的上表面；第1外部电极至第4外部电极，分别连接于第1线圈导体至第4线圈导体；和第5外部电极，被设置为连接于第1金属层并且连接于接地。并且，在第1线圈导体以及第2线圈导体之间设置第3线圈导体，在第3线圈导体以及第4线圈导体之间设置第2线圈导体，第1线圈导体与第3线圈导体相互磁耦合来形成第1共模滤波器，第2线圈导体与第4线圈导体相互磁耦合来形成第2共模滤波器。第1共模滤波器与第2共模滤波器串联连接，第1金属层被设置于第1线圈导体的上方。作为第1、第2、第3以及第4线圈导体的位置关系中的另一形态，也可以在第3线圈导体以及第2线圈导体之间设置第1线圈导体，在第1线圈导体以及第4线圈导体之间设置第2线圈导体。此外，也可以还具备第1静电通过部，该第1静电通过部若被施加规定的值以上的电压则通电，若被施加低于所述规定的值的电压则作为绝缘体而起作用，电连接于第1、第2、第3、第4以及第5外部电极。此外，也可以还具备：第2静电通过部，与上述同样地起作用，电连接于第1、第2以及第5外部电极；和第3静电通过部，电连接于第3、第4以及第5外部电极。上述的共模噪声滤波器特别是能够提高宽频带中的共模噪声的衰减特性。附图说明图1是实施方式1中的共模噪声滤波器的分解立体图。图2是图1的共模噪声滤波器的立体图。图3是图1的共模噪声滤波器的电路示意图。图4是对图1的共模噪声滤波器与现有的共模噪声滤波器的共模噪声的衰减特性进行比较的图。图5是实施方式1中的另一共模噪声滤波器的分解立体图。图6是实施方式2中的共模噪声滤波器的分解立体图。图7是图6的共模噪声滤波器的电路示意图。图8是对图6的共模噪声滤波器与现有的共模噪声滤波器的共模噪声衰减特性进行比较的图。图9是对图6的共模噪声滤波器与现有的共模噪声滤波器的差动信号的振幅平衡度进行比较的图。图10是对图6的共模噪声滤波器与现有的共模噪声滤波器的差动信号的相位平衡度进行比较的图。图11是对图6的共模噪声滤波器与现有的共模噪声滤波器的模式转换特性进行比较的图。图12是实施方式3中的共模噪声滤波器的分解立体图。图13是图12的共模噪声滤波器的电路示意图。图14是实施方式4中的共模噪声滤波器的分解立体图。图15是对图14的共模噪声滤波器与现有的共模噪声滤波器的共模噪声衰减特性进行比较的图。图16是现有的共模噪声滤波器的分解立体图。具体实施方式参照图16来对共模噪声滤波器500的课题进行说明。在近年的智能电话所代表的移动终端中，需要考虑多个通信方式和通信频带来进行设计。特别地，在蜂窝式无线方式中使用700MHz至3GHz的宽通信频带，在噪声滤波器中也期望该通信频带中的噪声衰减特性。但是，图16的共模噪声滤波器500在混有共模噪声时，共模滤波器6和共模滤波器7作为电感器而起作用，线圈导体4a和线圈导体5a相互在上下方向上磁耦合。由于线圈导体4b和线圈导体5b相互在上下方向上磁耦合，因此在共模噪声滤波器500中的线圈2的输入输出之间以及线圈3的输入输出之间各自的阻抗变高，在输入输出之间产生电位差，因此在输入输出之间产生杂散电容。由此，由于若成为高频区域则产生自谐振，在自谐振频率以上的高频区域，共模阻抗降低，因此高频区域的共模噪声的衰减特性劣化。其结果，具有在宽频带不能得到共模噪声的衰减的课题。以下，参照附图来对在宽频带能够提高共模噪声的衰减特性的共模噪声滤波器进行说明。(实施方式1)图1是实施方式1中的共模噪声滤波器1001的分解立体图。图2是共模噪声滤波器1001的立体图。如图1所示，共模噪声滤波器1001具有：绝缘体层11a～11h、形成于绝缘体层11b～11e的上表面的线圈12、线圈13、和在绝缘体层11g的上表面用于接地的金属层14。将绝缘体层11a～11h、线圈12、线圈13以及金属层14层叠来形成图2所示的层叠体15。线圈12具有螺旋状的线圈导体16以及螺旋状的线圈导体17，线圈导体16和线圈导体17相互串联电连接。线圈13具有螺旋状的线圈导体18以及螺旋状的线圈导体19，线圈导体18和线圈导体19相互串联电连接。线圈导体18被设置于线圈导体16与线圈导体17之间，线圈导体17被设置于线圈导体18与线圈导体19之间。具体而言，线圈导体16～19按照从上方起为线圈导体16、线圈导体18、线圈导体17、线圈导体19的顺序而被配置。线圈导体16形成于绝缘体层11e的上表面，线圈导体17形成于绝缘体层11c的上表面，线圈导体18形成于绝缘体层11d的上表面，线圈导体19形成于绝缘体层11b的上表面。也就是说，线圈12的线圈导体16以及线圈导体17与线圈13的线圈导体18以及线圈导体19被交替配置。线圈导体16和线圈导体18相互磁耦合来形成共模滤波器20，线圈导体17和线圈导体19相互磁耦合来形成共模滤波器21。共模滤波器20与共模滤波器21相互串联连接。金属层14形成于线圈导体16的上方。在共模噪声滤波器1001中，绝缘体层11a～11h从绝缘体层11a起被依次层叠。绝缘体层11b～11f作为非强磁性体的材料，例如举例有顺磁性体或非磁性体。作为非磁性体的具体材料，举例有Cu-Zn铁氧体或者玻璃陶瓷等。绝缘体层11a、11g以及11h由强磁性体的材料构成，作为强磁性体的具体材料，举例有Ni-Cu-Zn铁氧体等。另外，优选构成绝缘体层11b～11f的材料使用非磁性体即非晶质或者结晶质的玻璃。线圈导体16～19由银等导电材料构成，通过镀覆工艺或者印刷工艺来形成为螺旋状。另外，作为线圈导体16～19的另一形成方法，也可以通过使用了溅射或蚀刻的薄膜工艺来形成。也可以在通过薄膜工艺而形成的螺旋状的线圈的上表面进一步通过镀覆工艺来形成螺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共模噪声滤波器，具备：第1绝缘体层至第5绝缘体层；第1线圈，具有形成于所述第1绝缘体层的上表面的螺旋状的第1线圈导体、和形成于所述第2绝缘体层的上表面并被设置于所述第1线圈导体的下方的螺旋状的第2线圈导体；第2线圈，具有形成于所述第3绝缘体层的上表面的螺旋状的第3线圈导体、和形成于所述第4绝缘体层的上表面并被设置于所述第3线圈导体的下方的螺旋状的第4线圈导体；第1金属层，形成于所述第5绝缘体层的上表面；第1外部电极至第4外部电极，分别连接于所述第1线圈导体至所述第4线圈导体；和第5外部电极，被设置为连接于所述第1金属层并且连接于接地，在所述第1线圈导体以及所述第2线圈导体之间设置所述第3线圈导体，在所述第3线圈导体以及所述第4线圈导体之间设置所述第2线圈导体，所述第1线圈导体与所述第3线圈导体相互磁耦合来形成第1共模滤波器，所述第2线圈导体与所述第4线圈导体相互磁耦合来形成第2共模滤波器，所述第1共模滤波器与所述第2共模滤波器串联连接，所述第1金属层被设置于第1线圈导体的上方。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.05 JP 2014-2248211.一种共模噪声滤波器，具备：第1绝缘体层至第5绝缘体层；第1线圈，具有形成于所述第1绝缘体层的上表面的螺旋状的第1线圈导体、和形成于所述第2绝缘体层的上表面并被设置于所述第1线圈导体的下方的螺旋状的第2线圈导体；第2线圈，具有形成于所述第3绝缘体层的上表面的螺旋状的第3线圈导体、和形成于所述第4绝缘体层的上表面并被设置于所述第3线圈导体的下方的螺旋状的第4线圈导体；第1金属层，形成于所述第5绝缘体层的上表面；第1外部电极至第4外部电极，分别连接于所述第1线圈导体至所述第4线圈导体；和第5外部电极，被设置为连接于所述第1金属层并且连接于接地，在所述第1线圈导体以及所述第2线圈导体之间设置所述第3线圈导体，在所述第3线圈导体以及所述第4线圈导体之间设置所述第2线圈导体，所述第1线圈导体与所述第3线圈导体相互磁耦合来形成第1共模滤波器，所述第2线圈导体与所述第4线圈导体相互磁耦合来形成第2共模滤波器，所述第1共模滤波器与所述第2共模滤波器串联连接，所述第1金属层被设置于第1线圈导体的上方。2.根据权利要求1所述的共模噪声滤波器，其中，所述第1金属层隔着所述第5绝缘体层而与所述第1线圈导体对置，在俯视下所述第1金属层的并非整体而是一部分与所述第1线圈导体对置。3.根据权利要求2所述的共模噪声滤波器，其中，所述第1金属层隔着所述第5绝缘体层而与所述第1线圈导体对置，所述第1线圈导体的长度与所述第2线圈导体的长度相互不同。4.根据权利要求1所述的共模噪声滤波器，其中，所述共模噪声滤波器还具备第1静电通过部，该第1静电通过部电连接于所述第1外部电极、所述第2外部电极、所述第3外部电极、所述第4外部电极以及所述第5外部电极，所述第1静电通过部若被施加规定的值以上的电压则通电，若被施加低于所述规定的值的电压则作为绝缘体而起作用。5.根据权利要求4所述的共模噪声滤波器，其中，所述第1静电通过部由以氧化锌为主成分的可变电阻材料、或者包含铝、镍以及铜之中的至少一者的金属材料、或者包含硅、环氧以及酚醛之中的至少一者的树脂材料、或者空间构成。6.根据权利要求4所述的共模噪声滤波器，其中，所述共模噪声滤波器还具备第1静电用电极，该第1静电用电极电连接于所述第1静电通过部以及所述第5外部电极。7.根据权利要求1所述的共模噪声滤波器，其中，所述共模噪声滤波器还具备：第2静电通过部，该第2静电通过部电连接于所述第1外部电极、所述第2外部电极以及所述第5外部电极；和第3静电通过部，该第3静电通过部电连接于所述第3外部电极、所述第4外部电极以及所述第5外部电极，所述第2静电通过部以及所述第3静电通过部都是若被施加规定的值以上的电压则通电，若被施加低于所述规定的值的电压则作为绝缘体而起作用。8.根据权利要求7所述的共模噪声滤波器，其中，所述第2静电通过部以及所述第3...

【专利技术属性】
技术研发人员：大森吉晴，松岛贤一，原田亮平，植野兼司，新海淳，石田成白，市原健志，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP