【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于去除在外延生长期间形成的核的方法
本申请总体上涉及用于制造半导体器件的方法。更具体地,公开的实施例涉及用于去除外延生长工艺期间在半导体器件上形成的核的方法。
技术介绍
外延生长是在半导体衬底上创建结晶区的常用方法。然而,在半导体衬底的非期望区域中的半导体结构的形成是不希望的。例如,在半导体衬底的非期望区域生长的任何半导体结构可能不利地影响在衬底上形成的器件的电和/或机械特性。选择性外延生长(SEG)用于在半导体衬底的目标区域上创建结晶区。对于选择性外延生长,半导体衬底覆盖有掩膜材料,暴露底层衬底的某些区域。对于这样的半导体衬底,外延生长主要在半导体衬底的暴露区域上发生,而在掩膜材料上较少地发生。尽管选择性外延生长可以减少外延生长期间掩膜材料上的结构(例如,核或层的形式)的形成,但取决于工艺条件,很多半导体结构仍然可能在外延生长期间形成在掩膜材料上。已经进行了各种尝试来消除掩膜材料上的外延生长结构的形成。例如,已经找到某些生长条件来进一步抑制掩膜材料上的外延生长结构的形成。然而,与规定的生长条件的小的偏差可能容易导致掩膜材料上的外延生长结构更多形成。因此,这样的生长条件的使用受到限制。
技术实现思路
因此,需要去除外延生长期间形成的核的改进的方法。在一些实施例中,该方法对生长条件的变化不那么敏感。因此,这样的改进的方法还允许半导体结构的更快的外延生长,同时减少外延生长期间衬底的非期望区域上的半导体结构的形成。下文中更加详细给出了克服上文描述的限制和缺点的多个实施例。这些实施例提供了器件,以及制造这样的器件的方法。如下文更加详细地描述的,一些实施例涉及用于去除 ...
【技术保护点】
用于去除在选择性外延生长工艺期间形成的核的方法,包括:在具有一个或多个掩膜层的衬底上外延生长一个或多个半导体结构的第一集合,其中,多个半导体结构的第二集合形成在一个或多个掩膜层上;在所述一个或多个半导体结构的第一集合上形成一个或多个保护层,其中,所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集从所述一个或多个保护层暴露;以及,在所述一个或多个半导体结构的第一集合上形成所述一个或多个保护层之后,对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.22 US 62/165,816;2016.02.23 US 15/051,3621.用于去除在选择性外延生长工艺期间形成的核的方法,包括:在具有一个或多个掩膜层的衬底上外延生长一个或多个半导体结构的第一集合,其中,多个半导体结构的第二集合形成在一个或多个掩膜层上;在所述一个或多个半导体结构的第一集合上形成一个或多个保护层,其中,所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集从所述一个或多个保护层暴露;以及,在所述一个或多个半导体结构的第一集合上形成所述一个或多个保护层之后,对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的方法,包括:在所述一个或多个保护层形成在所述一个或多个半导体结构的第一集合上之前,放弃对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集的刻蚀。3.根据权利要求1或2所述的方法,包括:在开始所述衬底上的所述一个或多个半导体结构的第一集合的外延生长之后,放弃对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行的刻蚀,直到在所述一个或多个半导体结构的第一集合上形成所述一个或多个保护层为止。4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其中,所述一个或多个半导体结构的第一集合在单个的外延生长工艺中形成。5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法,其中:所述一个或多个保护层包括一个或多个光刻胶层。6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,包括:在形成所述一个或多个保护层之前,至少在所述一个或多个半导体结构的第一集合上沉积一个或多个粘结层。7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述一个或多个粘结层包括六甲基二硅烷和/或低温热氧化物。8.根据权利要求6或7所述的方法,包括:在对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀后,去除所述一个或多个粘结层。9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述一个或多个保护层和所述一个或多个粘结层被同时去除。10.根据权利要求8所述的方法,其中,在去除所述一个或多个粘结层的至少部分后,去除所述一个或多个保护层。11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法,还包括:在对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀后,去除所述一个或多个保护层。12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法,还包括:在对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀后,对所述一个或多个半导体结构的第一集合的至少一个子集进行平坦化。13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法,包括:当在具有一个或多个掩膜层的所述衬底上外延生长所述一个或多个半导体结构的第一集合时,在所述一个或多个掩膜层上形成多个半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员:李齐珩,罗栗,金映植,郑宇植,
申请(专利权)人:思哲科技有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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