【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括具有高矫顽力部分的感测层的差分磁性隧道结对I.优先权要求本申请要求共同拥有的于2014年8月15日提交的题为“DIFFERENTIALMAGNETICTUNNELJUNCTIONPAIRINCLUDINGASENSELAYERWITHAHIGHCOERCIVITYPORTION(包括具有高矫顽力部分的感测层的差分磁性隧道结对)”的美国专利申请No.14/460,626的优先权,其内容通过援引全部明确纳入于此。II.领域本公开一般涉及存储器器件,尤其涉及磁阻式存储器器件。III.相关技术描述电子设备可包括存储器,该存储器存储诸如指令、用户数据和其他信息等信息。例如,电子设备可包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件。MRAM器件可包括多个磁性隧道结(MTJ)元件,每个MTJ元件具有可调节的状态(例如,磁阻)。可经由施加通过MTJ的电流以修改MTJ的磁性质来调节状态。在某些应用中,MTJ可具有参考配置,该参考配置提供该MTJ的参考磁取向。例如,自旋矩转移MRAM(STT-MRAM)器件可包括MTJ,该MTJ具有:存储层、具有固定磁取向的参考层、以及在存储层与参考层之间的隧道势垒。参考层可用于使用自旋矩效应在存储层处读取和写入状态。例如,基于存储层和参考层的相对取向,通过MTJ施加的切换电流可使电子经由自旋矩效应从参考层隧穿到存储层,从而更改MTJ的磁状态。在其他应用中,MTJ可以是自参考的(self-referenced)。例如,自参考的热辅助切换MRAM(TAS-MRAM)器件可包括具有存储某一状态的存储层的MTJ。MTJ可进一步包括感测层,该感测层在MT ...
【技术保护点】
一种装置,包括:差分磁性隧道结(MTJ)对的第一MTJ器件;以及所述差分MTJ对的第二MTJ器件,其中,所述第一MTJ器件包括具有高矫顽力部分的感测层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.15 US 14/460,6261.一种装置,包括:差分磁性隧道结(MTJ)对的第一MTJ器件;以及所述差分MTJ对的第二MTJ器件,其中,所述第一MTJ器件包括具有高矫顽力部分的感测层。2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一MTJ器件的第一状态与所述第二MTJ器件的第二状态之差指示与所述差分MTJ对相关联的值。3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第一状态是所述第一MTJ器件的第一磁阻,其中,所述第二状态是所述第二MTJ器件的第二磁阻,并且其中,所述差指示所述第一磁阻是否大于所述第二磁阻。4.如权利要求1所述的装置,其中,所述第一MTJ器件进一步包括具有低矫顽力部分的存储层,并且其中,所述第一MTJ器件进一步包括反铁磁(AFM)层。5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述高矫顽力部分具有大于1000奥斯特(Oe)的第一矫顽力,并且其中,所述低矫顽力部分具有小于100Oe的第二矫顽力。6.如权利要求4所述的装置,其特征在于,所述高矫顽力部分包括钴/铁/硼(Co/Fe/B)材料,并且其中,所述低矫顽力部分包括铁/镍(Fe/Ni)材料。7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一MTJ器件经由第一晶体管耦合到第一源线,并且其中,所述第二MTJ器件经由第二晶体管耦合到第二源线。8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件经由共用晶体管耦合到共用源线。9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件各自包括共用铁磁(FM)耦合层和共用反铁磁(AFM)层。10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述共用AFM层经由共用晶体管耦合到共用源线。11.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件各自对应于面内磁各向异性磁性隧道结(iMTJ)器件。12.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件各自对应于垂直磁各向异性磁性隧道结(pMTJ)器件。13.如权利要求1所述的装置,其特征在于,进一步包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件,所述MRAM器件包括所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件。14.如权利要求13所述的装置,其特征在于,所述MRAM器件是热辅助切换自旋矩转移(TAS-STT)MRAM器件。15.如权利要求13所述的装置,其特征在于,所述MRAM器件包括控制电路系统,所述控制电路系统被配置成:将指示所述第一MTJ器件的第一状态的第一电流与指示所述第二MTJ器件的第二状态的第二电流进行比较,以确定由所述差分MTJ对存储的值。16.如权利要求15所述的装置,其特征在于,所述MRAM器件包括被配置成存储参考状态的参考器件,其中,所述控制电路系统被配置成:存取所述参考器件以确定所述参考状态,并且其中,所述控制电路系统包括反相器电路系统,所述反相器电路系统被配置成:响应于所述参考状态的变化而将所述值反相。17.如权利要求16所述的装置,其特征在于,将所述值反相响应于所述M...
【专利技术属性】
技术研发人员:Y·陆,S·H·康,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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