一种根据本公开的显示装置，包括：在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管。具有顶栅结构的薄膜晶体管的栅极电极与布线层设置在同一层中。在根据本公开的制造显示装置的方法中，在制造包括在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管和具有顶栅结构的薄膜晶体管的显示装置时，具有顶栅结构的薄膜晶体管的栅极电极与布线层形成在同一层中。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备
本公开涉及一种显示装置、一种制造显示装置的方法以及一种电子设备，具体而言，涉及一种平面型(平板型)显示装置、一种制造显示装置的方法以及一种包括显示装置的电子设备。
技术介绍
液晶显示器(LCD)装置或有机电致发光(EL)显示装置称为平面型显示装置(平板显示器)。此外，作为平面型显示装置的一种驱动方法，存在有源矩阵方法。在有源矩阵显示装置中，薄膜晶体管(TFT)通常用作驱动像素的发光单元(发光部件)的有源部件。作为在薄膜晶体管(在某些情况下，在后文中也称为“TFT”)内需要的基本性能，可以例证在写入信号时的大驱动电流、在保持信号时的小漏电流、以及在部件之间的特性的小幅变化。另一方面，在像素控制TFT和外围电路控制TFT内需要的性能值不必相同，但是具有合适的值。因此，需要单独生成在像素控制TFT和外围电路控制TFT之间的元素特性。在像素内使用多个TFT配置像素电路时，这点在TFT之间也相似。在相关技术中，通过改变在形成像素的显示区域与形成外围电路的外围区域之间的TFT的离子注入的浓度，单独生成TFT的元素特性(例如，参考专利文献1)。引用列表专利文献专利文献1：JPH9-45931A
技术实现思路
技术问题然而，在相关领域的技术中，为了改变离子注入的浓度，需要增加工艺。因此，由于伴随着增加工艺，成本增大，所以成本竞争力具有缺点。根据本公开，本公开的目标在于，提供一种能够单独生成元素特性而不增加工艺的显示装置、一种制造显示装置的方法以及一种包括显示装置的电子设备。问题的解决方案为了实现该目标，根据本公开的一种显示装置包括在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管。具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极与布线层设置在同一层内。为了实现该目标，根据本公开的一种制造显示装置的方法，该显示装置包括在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管，该方法包括：在与布线层的同一层内形成具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极。为了实现该目标，根据本公开的一种电子设备包括：显示装置，其包括在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管，并且其中，具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极与布线层设置在同一层内。本专利技术的有利效果根据本公开，由于与布线层的同一层用作具有顶栅结构的薄膜晶体管的栅极电极，所以在结构内能够单独生成元素特性，而不增加工艺。注意，本公开根本不限于显示在本文中描述的效果，并且可以显示在本说明书中描述的任何效果。此外，在本说明书中描述的效果没有限制性，而是仅仅是实例，并且可以具有额外效果。附图说明图1是示出应用本公开的技术的有源矩阵显示装置的示意性基本配置的系统配置图。图2是示出单位像素(像素电路)的详细电路配置的实例的电路图。图3是示出根据实例1的TFT结构的截面图。图4是示出根据实例1的TFT结构的平面图。图5A到5C是示出制造根据实例1的TFT结构的方法的过程的工艺图。图6是示出具有底栅结构的TFT和具有顶栅结构的TFT的元素特性的实例的特性图。图7A是示出在驱动晶体管和写入晶体管均由具有底栅结构的TFT构成时的布置的平面图，图7B是示出在驱动晶体管由具有顶栅结构的TFT构成并且写入晶体管由具有底栅结构的TFT构成时的布置的平面图。图8A是示出根据实例2的TFT结构的平面图，并且图8B是示出根据实例3的TFT结构的平面图。图9是示出根据实例4的TFT结构的截面图。图10是示出根据实例4的TFT结构的平面图。图11A和图11B是示出制造根据实例4的TFT结构的方法的过程的工艺图。图12A是示出根据实例5的TFT结构的平面图，并且图12B是示出根据实例6的TFT结构的平面图。图13是示出根据实例7的TFT结构的截面图。图14A是示出根据实例8的TFT结构的平面图，并且图14B是示出根据实例8的TFT结构的平面图。图15A是示出根据实例9的TFT结构的平面图，并且图15B是示出根据实例9的TFT结构的平面图。图16是示出根据实例10的TFT结构的截面图。图17是示出根据实例10的TFT结构的截面图。图18是示出根据实例11的TFT结构的截面图。图19是示出根据实例11的TFT结构的截面图。图20A到20C是示出制造根据实例11的TFT结构的方法的处理的工艺图。图21A和21B是示出作为根据本公开的电子设备的实例的智能电话的外视图。具体实施方式在后文中，参考附图，详细描述用于实现本公开的技术的优选实施方式(在后文中称为“实施方式”)。本公开的技术不限于实施方式，并且在实施方式中示出的各种数值和材料是实例。在下面提供的描述中，具有基本上相同的功能和结构的结构部件由相同的附图标记表示，并且省略这些结构部件的重复解释。注意，按照以下顺序，提供描述。1、根据本公开的显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备的总体描述2、应用本公开的技术的显示装置(作为有机EL显示装置的实例)2-1、系统配置2-2、像素电路2-3、在TFT中需要的性能值(元素特性)3、第一实施方式3-1、实例1【布线层具有单层结构的实例】3-2、实例2【实例1的变形例：串联连接】3-3、实例3【实例1的另一个变形例：并联连接】3-4、实例4【布线层具有双层结构的实例】3-5、实例5【实例4的变形例：串联连接】3-6、实例6【实例4的另一个变形例：并联连接】4、第二实施方式4-1、实例7【使用布线CVD方法的实例：布线层具有单层结构】4-2、实例8【使用冗余TFT的实例】4-3、实例9【实例7的变形例：布线层具有双层结构】4-4、实例10【实例7的另一个变形例：并联连接】5、第三实施方式5-1、实例11【具有顶栅结构的TFT的实例，其中，TFT没有伪栅极结构】6、电子设备(智能电话的实例)<根据本公开的显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备的总体描述>在根据本公开的显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备中，具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极可以被配置成通过从电气连接至具有底栅结构的薄膜晶体管的源极/漏极区域的布线开始延伸来整合。此外，具有顶栅结构的薄膜晶体管可以被配置成包括在浮态中的伪栅极结构，不供应电位。在根据本公开的具有上述优选配置的显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备中，设置有顶栅结构的布线层可以被配置成设置在薄膜晶体管上的层间绝缘薄膜上的第一布线层。可替换地，在第一布线层设置在薄膜晶体管上的层间绝缘薄膜上的TFT结构中，提供顶栅结构的布线层可以被配置成设置第一层间薄膜上的第二布线层。此外，在根据本公开的具有上述优选配置的显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备中，在接触孔形成在与具有顶栅结构的薄膜晶体管的沟道区域对应的层间绝缘薄膜的部位内的TFT结构中，在包含接触孔的层间绝缘薄膜上，提供栅极绝缘薄膜。栅极绝缘薄膜可以由高介电常数层间薄膜构成。可替换地，在根据本公开的具有上述优选配置的显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备中，在接触孔形成在与具有顶栅结构的薄膜晶体管对应的第一层间绝缘薄膜的部位内的TFT结构中，具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极可以在第一层间薄膜上、在接触孔内、并且在栅极绝缘薄膜上设置与第二布线本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，包括：在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管，其中，所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极与布线层设置在同一层中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.23 JP 2014-1494331.一种显示装置，包括：在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管，其中，所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极与布线层设置在同一层中。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，通过从电气连接至所述具有底栅结构的薄膜晶体管的源极或漏极区域的布线中延伸，使具有所述顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极一体化。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述具有顶栅结构的薄膜晶体管包括在浮态中的伪栅极电极。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，设置有所述顶栅结构的布线层是设置在所述薄膜晶体管上的层间绝缘薄膜上的第一布线层。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，第一布线层设置在所述薄膜晶体管上的层间绝缘薄膜上，并且第一层间薄膜设置在所述第一布线层上，并且设置有所述顶栅结构的布线层是设置在所述第一层间薄膜上的第二布线层。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，在层间绝缘薄膜的与所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的沟道区域对应的地点形成接触孔，并且栅极绝缘薄膜设置在包含所述接触孔的层间绝缘薄膜上。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述栅极绝缘薄膜由高介电常数层间薄膜构成。8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在第一层间薄膜的与具有顶栅结构的薄膜晶体管对应的地点内形成接触孔，并且所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极在所述第一层间薄膜上、在所述接触孔内、并且在所述栅极绝缘薄膜上设置在与第二布线层相同的层内。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极布置为通过由高介电常数层间薄膜构成的栅极绝缘薄膜朝着所述薄膜晶体管的沟道区域。10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述具有底栅结构的薄膜晶体管和所述具有顶栅结构的薄膜晶体管串联连接，以供使用。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述具有底栅结构的薄膜晶体管和所述具有顶栅结构的薄膜晶体管并联连接，以供使用。12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述具有底栅结构的薄膜晶体管的源极或漏极区域直接连接至所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的源极或漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：津野仁志，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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