使用开关的供电电压节点耦合制造技术

一种设备包含：第一节点，其经配置以将第一供电电压提供到第一装置；以及第二节点，其经配置以将第二供电电压提供到第二装置。所述设备进一步包含总线，其经配置以便以通信方式耦合所述第一装置与所述第二装置。所述设备还包含开关，其经配置以耦合所述第一节点与所述第二节点。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用开关的供电电压节点耦合相关申请案的交叉参考本申请案主张来自共同拥有的于2014年9月4日申请的第62/045,916号美国临时专利申请案以及于2015年1月22日申请的第14/603,130号美国非临时专利申请案的优先权，所述申请案的内容以全文引用的方式明确地并入本文中。
本专利技术大体上涉及电子装置，且更明确地说，涉及用于电子装置的供电电压。
技术介绍
技术的进步已经产生了更小且更强大的计算装置。举例来说，当前存在多种便携式个人计算装置，包含无线计算装置，例如便携式无线电话、个人数字助理(PDA)、平板计算机以及寻呼装置，其体积小，重量轻，且便于由用户携带。许多此类计算装置包含并入于其中的其它装置。举例来说，无线电话还可包含数字静态相机、数码摄像机、数字记录器和音频文件播放器。并且，此类计算装置可处理可执行指令，包含软件应用程序，例如可用以接入互联网的网络浏览器应用程序，以及利用静态或摄像机并提供多媒体播放功能性的多媒体应用程序。计算装置或其它电子装置可包含执行各种操作的多个组件。所述组件的操作可从所述计算装置的电源汲取不同电流，这可更改提供到所述组件的供电电压。举例来说，特定组件的操作可增加或减小提供到计算装置的其它组件的供电电压(基于所述组件正从电源汲取更少电流还是更多电流)。在一些情况下，供电电压的变化可与计算装置的较差性能或故障相关联，例如通过致使装置操作偏离操作条件的目标范围。
技术实现思路
一种设备包含第一装置(例如第一处理器核心)、第二装置(例如第二处理器核心)和开关。所述第一装置和所述第二装置可使用总线(例如同步总线)来通信。所述开关可耦合：第一节点，其将第一供电电压提供到第一装置；以及第二节点，其将第二电源电压提供到第二装置。所述开关可通过提供第一节点与第二节点之间的低阻抗路径，来在第一装置与第二装置之间的通信期间，大体上“均衡”第一供电电压和第二供电电压。提供低阻抗路径可减少或避免总线处可由第一供电电压与第二供电电压之间的变化所导致的延迟和时钟变化的情况。在特定方面，一种设备包含：第一节点，其经配置以将第一供电电压提供到第一装置；以及第二节点，其经配置以将第二供电电压提供到第二装置。所述设备进一步包含总线，其经配置以便以通信方式耦合所述第一装置与所述第二装置。所述设备还包含开关，其经配置以耦合所述第一节点与所述第二节点。在另一特定方面中，一种方法包含将第一供电电压提供到第一装置。所述第一供电电压是经由第一节点提供到所述第一装置。所述方法进一步包含将第二供电电压提供到第二装置。所述第二供电电压是经由第二节点提供到所述第二装置。所述方法进一步包含激活开关以耦合所述第一节点和所述第二节点。在另一特定方面中，一种设备包含：用于将第一供电电压提供到第一装置的装置；以及用于将第二供电电压提供到第二装置的装置。所述设备进一步用于以通信方式耦合所述第一装置和所述第二装置的装置。所述设备还包含用于耦合所述用于提供第一供电电压的装置和所述用于提供第二供电电压的装置的装置。在另一特定方面中，一种非暂时性计算机可读媒体存储可由处理器执行以起始操作的指令。所述操作包含激活开关以耦合第一节点和第二节点。所述第一节点将第一供电电压提供到第一装置，且第二节点将第二供电电压提供到第二装置。所述第一装置和所述第二装置经由总线以通信方式耦合。所揭示方面中的至少一者所提供的一个特定优点是电子装置的改进的性能，例如包含使用同步总线通信的多个处理器核心的电子装置。通过提供将供电电压提供到处理器核心的节点之间的低阻抗路径，供电电压的变化可减小或避免。因此，供电电压的“失配”所导致的时钟变化可减小或避免，从而改进所述电子装置的操作。本专利技术的其它方面、优点和特征将在审阅全部申请案之后变得显而易见，所述全部申请案包含以下章节：附图说明、具体实施方式和权利要求书。附图说明图1是包含开关的电子装置的特定说明性方面的框图。图2是在图1的电子装置的某些组件的特定说明性方面的框图。图3是包含开关的电子装置的操作方法的特定说明性方面的流程图。图4是包含开关的电子装置的框图。具体实施方式参看图1，电子装置100包含第一装置104(例如第一处理器核心)，和第二装置106(例如第二处理器核心)。第一装置104和第二装置106可包含于共用集成电路中。在另一个实施方案中，第一装置104包含于第一集成电路中，且第二装置包含于第二集成电路中。第一集成电路和第二集成电路可具有堆叠裸片配置，例如堆叠三维(3D)配置，作为说明性实例。电子装置100进一步包含电源102、第一标头开关108，和第二标头开关110。电源102经配置以产生供电电压(VDD)。第一标头开关108经配置以基于供电电压VDD产生第一供电电压(VDD1)，且第二标头开关110经配置以基于供电电压VDD产生第二供电电压(VDD2)。第一装置104经配置以经由第一节点120接收第一供电电压VDD1，且第二装置106经配置以经由第二节点122接收第二供电电压VDD2。第一装置104经由第一节点120耦合到第一标头开关108，且第二装置106经由第二节点122耦合到第二标头开关110。在特定方面，标头开关108、110各自包含p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)。标头开关108、110可各自对应于块标头开关(BHS)，其在电子装置100处通过选择性地将节点120、122从供电电压VDD1、VDD2去耦，来执行电力选通功能。标头开关108、110可具有类似或相同大小(例如可具有类似的晶体管宽度与长度比率)。标头开关108、110可排列成并行配置。在说明性实施方案中，电子装置100是经封装半导体装置，且供电电压VDD是通过一或多个封装层103投送。封装层103可包含经封装半导体装置的一或多个再分布层(RDL)、一或多个其它层，或其组合。供电电压VDD可经由凸块105、107从一或多个封装层103投送到标头开关108、110。举例来说，凸块105可包含第一倒装芯片凸块，且凸块107可包含第二倒装芯片凸块。倒装芯片凸块的实例是受控塌陷芯片连接(C4)。凸块105、107可排列成并行配置。电子装置100进一步包含开关112(例如均衡开关)，例如pMOSFET。当激活开关112时，开关112可具有低阻抗。举例来说，当经由晶体管的栅极端子处的栅电压激活晶体管时，晶体管的漏极到源极路径(或晶体管的源极到漏极路径)可为低阻抗路径。为了进一步说明，当激活开关112时，可选择开关112的晶体管宽度与长度比率，以促进节点120、122之间的低阻抗。如本文所使用“低阻抗”可指使得第一供电电压VDD1和第二供电电压VDD2大体上均衡(例如当第一供电电压VDD1与第二供电电压VDD2之间的差小于阈值电压，例如大约0.1毫伏(mV)，作为说明性实例)的阻抗。作为另一实例，与去活(例如断开)开关112时相比，当激活(例如接通)开关112时，开关112可具有“低阻抗”。电子装置100进一步包含总线114，其经配置以便以通信方式耦合第一装置104和第二装置106。总线114可对应于同步总线，其中使用共用时钟信号来发送和接收通信。在特定方面，电子装置100进一步包含存储器(未图示)，其可由第一装置104存取，且由第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，其包括：第一节点，其经配置以将第一供电电压提供到第一装置；第二节点，其经配置以将第二供电电压提供到第二装置；总线，其经配置以便以通信方式耦合所述第一装置与所述第二装置；以及开关，其经配置以耦合所述第一节点与所述第二节点。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.04 US 62/045,916;2015.01.22 US 14/603,1301.一种设备，其包括：第一节点，其经配置以将第一供电电压提供到第一装置；第二节点，其经配置以将第二供电电压提供到第二装置；总线，其经配置以便以通信方式耦合所述第一装置与所述第二装置；以及开关，其经配置以耦合所述第一节点与所述第二节点。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一供电电压和所述第二供电电压是从共用电力供应器导出。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述共用电力供应器包含移动装置的电池。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述开关经配置以在所述第一装置与所述第二装置之间在所述总线处的通信期间，耦合所述第一节点与所述第二节点。5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：至少一第三装置，其经配置以经由第三节点接收第三供电电压；以及第二开关，其经配置以响应于所述第一装置与所述第三装置之间的通信而耦合所述第一节点与所述第三节点。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一装置包含于第一集成电路中，其中所述第二装置包含于第二集成电路中，且其中所述第一集成电路和所述第二集成电路具有堆叠配置。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述开关响应于经由所述总线的通信而接通。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述总线是同步总线。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述开关响应于所述第一装置或所述第二装置中的一或多者起始或进入休眠模式而断开。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一装置包含第一处理器核心，且其中所述第二装置包含第二处理器核心。11.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第一标头开关，其经由所述第一节点耦合到所述第一装置；以及第二标头开关，其经由所述第二节点耦合到所述第二装置。12.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括：第一倒装芯片凸块，其耦合到所述第一标头开关；以及第二倒装芯片凸块，其耦合到所述第二标头开关。13.根据权利要求11所述的设备，其中所述开关、所述第一标头开关和所述第二标头开关各自包含P型金属氧化物半导体场效应晶体管pMOSFET。14.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一节点、所述第二节点、所述总线和所述开关集成在移动装置、计算机、机顶盒、娱乐单元、导航装置、个人数字助理PDA、电视机、调谐器、收音机、音乐播放器或视频播放器内。15.一种方法，其包括：将第一供电电压提供到第一装置，其中所述第一供电电压是经由第一节点提供到所述第一装置；将第二供电电压提供到第二装置，其中所述第二供电电压是经由第二节点提供到所述第二装置；以及激活开关以耦合所述第一节点与所述第二节点。16.根据权利要求15所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·B·帕蒂尔，D·斯塔夏克，M·P·圣劳伦特，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US