【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于触摸输入和触觉反馈应用的集成式压电悬臂致动器和晶体管对相关申请的交叉引用本申请要求于2015年6月26日提交的美国临时专利申请第62/185506号的优先权的权益,故通过引用的方式将其全部内容并入本文。
本公开内容涉及用户输入和与电子设备的交互。更具体地,本公开内容涉及对用户输入的处理以及通过压电悬臂向用户提供触觉反馈。
技术介绍
电子设备,尤其是消费性电子产品,必须通过用于从用户接收输入的装置和用于向用户提供输出的装置来与该设备的用户交互。输入的常规形式包括键盘和鼠标设备,还包括新型触摸屏设备。输出的常规形式包括数字式显示器和切换式灯,而且还包括新型液晶显示器(LCD)技术。许多电子设备提供的输出的另一种形式是触觉反馈。例如,许多智能手机包括转动质量电动机,该转动质量电动机在用户触摸屏幕时或者为了指示新的电子邮件或来电的通知时会震动。然而,这种触觉反馈是极其受限的,并且不局限于智能手机的任何特定部分。另外,电动机是较大的物体,其制约智能手机的设计并且限制设计者降低智能手机的厚度和其他尺寸的能力。此外,与由电动机所提供的能力相比,尤其是与智能手机内的基于薄膜半导体的元件相比,电动机消耗显著的功率。这些相同的电子设备中的许多依赖触觉传感以从用户接收输入。在图1中示出了一种常规的触觉传感技术。图1是具有电容式触摸屏的常规智能手机。智能手机100可以包括用于提供上述触觉反馈的转动质量电动机110。智能手机100还可以包括触摸屏120。触摸屏120的一部分被放大以显示包括透明材料122的屏幕120的剖面。透明材料122可以位于传感器124A至E上。传感器124 ...
【技术保护点】
一种装置,包括:晶体管,所述晶体管包括至少源电极、漏电极和栅电极;以及包括压电材料的悬臂致动器,其中,所述悬臂致动器通过所述晶体管的所述栅电极电绝缘地但机械地连接到所述晶体管并且与所述晶体管集成,其中,所述悬臂致动器包括与所述源电极、所述漏电极和所述栅电极分离的至少两个电极,其中,所述至少两个电极包括第一电极和第二电极,并且其中,所述至少两个电极允许与通过所述源电极、所述漏电极和所述栅电极访问所述晶体管独立地同时致动所述悬臂致动器。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.26 US 62/185,5061.一种装置,包括:晶体管,所述晶体管包括至少源电极、漏电极和栅电极;以及包括压电材料的悬臂致动器,其中,所述悬臂致动器通过所述晶体管的所述栅电极电绝缘地但机械地连接到所述晶体管并且与所述晶体管集成,其中,所述悬臂致动器包括与所述源电极、所述漏电极和所述栅电极分离的至少两个电极,其中,所述至少两个电极包括第一电极和第二电极,并且其中,所述至少两个电极允许与通过所述源电极、所述漏电极和所述栅电极访问所述晶体管独立地同时致动所述悬臂致动器。2.如权利要求1所述的装置,还包括:耦接到所述晶体管的至少所述源电极、所述漏电极和所述栅电极的感测电路,其中,所述感测电路配置为通过感测所述晶体管的阈值电压的变化来检测施加到所述悬臂致动器的压力。3.如权利要求2所述的装置,其中,所述压电材料包括热电材料,并且其中,所述感测电路配置为检测所述悬臂致动器周围的环境温度。4.如权利要求1所述的装置,还包括:耦接到所述悬臂致动器的所述至少两个电极的触觉反馈电路。5.如权利要求4所述的装置,其中,所述触觉反馈电路配置为生成直流(DC)信号或交流(AC)信号,以偏转所述悬臂致动器。6.如权利要求5所述的装置,其中,所述触觉反馈电路配置为生成直流(DC)信号并模拟从表面升起的按钮。7.如权利要求5所述的装置,其中,所述触觉反馈电路配置为生成交流(AC)信号和抖动效应。8.如权利要求1所述的装置,其中,所述悬臂致动器包括PVDF,和/或所述悬臂致动器包括附接在所述压电材料的远离所述晶体管的远端处的负载。9.如权利要求1所述的装置,其中,所述晶体管包括以下各项中的至少一项:交错式底栅薄膜晶体管(TFT)、共面底栅TFT、交错式顶栅TFT和共面顶栅TFT。10.如权利要求1所述的装置,其中,所述晶体管和所述悬臂集成在显示设备中,其中,所述显示设备是电子设备的一部分,所述电子设备包括以下各项中的至少一种:移动设备、蜂窝式电话、笔记本电脑、平板电脑、媒体播放器、全球定位系统(GPS)设备和电子书阅读器。11.如权利要求1所述的装置,其中,所述晶体管还包括:第一半导体沟道区;第二半导体沟道区;在所述第一半导体沟道区和所述第二半导体沟道区上的介电层;和在所述第一半导体沟道区和所述第二半导体沟道区上的压电层,其中,所述栅电极在所述第一半导体沟道区上和所述第二半导体沟道区上延伸。12.如权利要求11所述的装置,其中,所述第一半导体沟道区包括p-型半导体,并且其中,所述第二半导体沟道区包括n-型半导体。13.如权利要求12所述的装置,还包括:耦接到所述第一半导体沟道区的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:杰西·阿方索·卡拉韦奥·福乐易斯卡斯,易普拉辛·胡韦什,穆罕默德·N·阿尔迈德豪恩,里达·贝拉,
申请(专利权)人:沙特基础工业全球技术公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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