【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】确定剂量的方法、检查设备、图案形成装置、衬底以及器件制造方法相关申请的交叉引用本申请要求保护于2014年6月30日提交的欧洲专利申请14174973的权益,并且在此通过引用整体并入本文。
本专利技术涉及用于确定可以用于在由光刻技术制造器件中(例如,光瞳面检测或暗场散射测量)的光刻设备曝光剂量的方法和设备,以及涉及使用光刻技术制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是将所需图案施加至衬底上、通常施加至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ICs)的制造。在该情形中,备选地称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生将要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以转移至衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一个或几个管芯的部分)上。图案的转移通常是经由成像至提供在衬底上的辐射-敏感材料(抗蚀剂)层上。通常,单个衬底将包含依次图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进机和所谓的扫描机,在所谓的步进机中,通过同时将整个图案曝光至目标部分上而照射每个目标部分,以及在所谓的扫描机中,通过沿给定方向(“扫描”方向)利用辐射束扫描图案而同时同步地平行于或反平行于该方向扫描衬底来照射每个目标部分。也可能通过将图案压印至衬底上而将图案从图案形成装置转移至衬底。在光刻工艺中,经常希望对所产生结构进行测量,例如用于工艺控制和验证。用于进行该测量的各种工具是已知的,包括通常用于测量关键尺寸(CD)的扫描电子显微镜,以及用于测量重叠(器件中两个层的对准精度)和光刻设备的离焦的专用工具。近期,已经研发了各种形式散射仪用于光刻领域。这些装置将辐射束引导至目标上 ...
【技术保护点】
一种确定衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的曝光剂量的方法,所述方法包括步骤:(a)接收包括第一结构和第二结构的衬底,所述第一结构和所述第二结构使用所述光刻工艺制造;(b)当使用辐射来照射所述第一结构时,检测被散射的辐射以获得第一散射仪信号;(c)当使用辐射来照射所述第二结构时,检测被散射的辐射以获得第二散射仪信号;(d)使用所述第一散射仪信号和所述第二散射仪信号来确定用于制造所述第一结构和所述第二结构的曝光剂量值,其中所述第一结构包括具有空间特性的第一周期性特性和具有空间特性的至少另一第二周期性特性,所述空间特性被设计为受所述曝光剂量影响,以及所述第二结构包括具有空间特性的第一周期性特性和具有空间特性的至少另一第二周期性特性,所述空间特性被设计为受所述曝光剂量影响,其中所述曝光剂量以不同方式影响所述第一结构和所述第二结构的受所述曝光剂量影响的所述空间特性。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.30 EP 14174973.91.一种确定衬底上的光刻工艺中使用的光刻设备的曝光剂量的方法,所述方法包括步骤:(a)接收包括第一结构和第二结构的衬底,所述第一结构和所述第二结构使用所述光刻工艺制造;(b)当使用辐射来照射所述第一结构时,检测被散射的辐射以获得第一散射仪信号;(c)当使用辐射来照射所述第二结构时,检测被散射的辐射以获得第二散射仪信号;(d)使用所述第一散射仪信号和所述第二散射仪信号来确定用于制造所述第一结构和所述第二结构的曝光剂量值,其中所述第一结构包括具有空间特性的第一周期性特性和具有空间特性的至少另一第二周期性特性,所述空间特性被设计为受所述曝光剂量影响,以及所述第二结构包括具有空间特性的第一周期性特性和具有空间特性的至少另一第二周期性特性,所述空间特性被设计为受所述曝光剂量影响,其中所述曝光剂量以不同方式影响所述第一结构和所述第二结构的受所述曝光剂量影响的所述空间特性。2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:使用所述光刻工艺以在所述衬底上制造第一结构,所述第一结构至少包括具有被设计为受所述曝光剂量影响的空间特性的第一周期性特性和第二周期性特性;以及使用所述光刻工艺以在所述衬底上制造第二结构,所述第二结构至少包括具有被设计为受所述曝光剂量影响的空间特性的第一周期性特性和第二周期性特性,其中所述曝光剂量以不同方式影响所述第一结构和所述第二结构的受所述曝光剂量影响的所述空间特性。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述第一结构和所述第二结构的所述第一周期性特性是包含光栅的量测目标的节距。4.根据前述权利要求任一项所述的方法,其中,所述第一结构和所述第二结构的所述第二周期性特性是包含光栅的量测目标的节距。5.根据前述权利要求任一项所述的方法,其中,所述第一结构和所述第二结构的所述第二周期性特性的方向在与所述第一结构和所述第二结构所处平面平行的平面中。6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第一结构和所述第二结构的所述第二周期性特性的所述方向实质上与所述第一结构和所述第二结构的所述第一周期性特性的方向平行。7.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第一结构和所述第二结构的所述第二周期性特性的所述方向实质上垂直于所述第一结构和所述第二结构的所述第一周期性特性的所述方向。8.根据前述权利要求任一项所述的方法,其中使用成像平面检测散射法执行当照射所述第一结构和所述第二结构时,检测被散射的辐射的所述步骤。9.根据前述权利要求任一项所述的方法,其中,使用光瞳面检测散射法执行当照射所述第一结构和所述第二结构时,检测被散射的辐射的所述步骤。10.根据前述权利要求任一项所述的方法,其中检测被散射的辐射的所述步骤包括:分离第零阶被散射的辐射与更高阶被散射的辐射,并且检测所述更高阶被散射的辐射以获得每个相应散射仪信号。11.根据前述权利要求任一项所述的方法,其中使用所述第一散射仪信号和所述第二散射仪信号以确定用于制造所述第一结构和所述第二结构的曝光剂量值的所述步骤包括使用所测量的第一强度和第二强度之间的差,所述第一强度和第二强度对应于所测量的相应的所述第一散射仪信号和所述第二散射仪信号。12.根据权利要求11所述的方法,其中使用所述第一散射仪信号和所述第二散射仪信号以确定用于制造所述第一结构和所述第二结构的曝光剂量值的所述步骤包括归一化步骤。13.根据权利要求12所述的方法,其中归一化因子是对应于所测量的相应所述第一散射仪信号和所述第二散射仪信号的所述强度之和。14.根据前述权利要求任一项所述的方法,其中所述第一结构和所述第二结构的所述第二周期性特性具有600nm的周期。15.一种确定在衬底上光刻工艺中使用的光刻设备的曝光剂量的检查设备,所述检查设备包括:照射系统,被配置为采用辐射来照射使用所述光刻工艺在所述衬底上制造的第一结构和第二结构;检测系统,被配置为检测由照射所述第一结构引起的被散射的辐射以获得第一散射仪信号,并且被配置为检测由照射所述第二结构引起的被散射的辐射以获得第二散射仪信号;以及处理器,被配置为使用所述第一散射仪信号和所述第二散射仪信号以基于以下内容确定用于制造所...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·弗玛,H·A·J·克拉默,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。