配有热调节限制件的电磁处理单元制造技术

电磁处理单元(8)，其具有：主体(9)，其具有正面(10)；光发射装置(21)，其具有多个发光源，光发射装置(21)在主体(9)上安装成向前辐射；流体回路，其配置在主体(9)内，用于光发射装置(21)的热调节；至少一个限制件(44，60，71)，其由不透发射光的材料制成，具有暴露于发射光的限制面(47，61，74，79)，电磁处理单元的特征在于，所述限制件(44，60，71)安装在主体(9)上，与之进行热接触，限制面(47，61，74，79)的热调节由流体回路(24)提供。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】配有热调节限制件的电磁处理单元
本专利技术一般涉及塑料制空心体的电磁处理，以便加热这种空心体。更准确地说，本专利技术涉及容器(例如瓶、罐或壶)的型坯的电磁加热，使之通过配有多个电磁辐射源的处理装置进行电磁加热，“型坯”或者指将原料注入一个注模中获得的预型件，或者指吹塑预型件获得的中间容器(或空心体)，中间容器无论如何都要进行辅助热处理。
技术介绍
一种可行的应用是加热预型件型坯，以便在其加热之后，延伸吹塑预型件，形成容器。虽然迄今最广泛使用管状白炽卤素灯根据普朗克法则以连续光谱进行辐射加热型坯的习用技术，但是，最近出现一种替代技术，其基于使用单能辐射或者准单能辐射(例如激光)，在红外线范围进行辐射。激光加热的性能和特性(尤其是光学精度)优于卤素加热的性能和特性，可获得型坯的快速和选择性加热。法国专利申请FR2982790和等效PCT专利申请WO2013/076415(申请人均为Sidel公司)两者提出一种处理装置，其具有多个加热单元，每个加热单元配有多个红外线辐射源。更准确地说，每个加热单元具有：-一个主体；-一个光发射装置，其具有多个红外光辐射源；-一个流体回路，其配置在主体内，用于光发射装置的热调节；-至少一个限制件，其安装在主体上，所述限制件由不透红外光的材料制成，具有一个暴露于红外光的限制面(红外光或者来自其所固定的加热单元，或者来自面对限制面的另一个加热单元)。限制件用于向型坯反射红外光，和/或限制红外光向处理装置外散射。尽管有这些性能，仍需提高处理装置的效率。更确切地说，要求整个处理装置的温度保持在低范围，最好接近大气温度，以便限制热惯性，提高处理装置的安全性，也使来自限制件的辐射干涉减到最低程度。US2012/326345、US2010/072673(两者申请人均为Sidel公司)以及DE102005061334(先进光子学技术公司)也提出加热物体的装置。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种安全性提高的电磁处理装置。本专利技术的另一个目的是提供一种电磁处理单元和一种热惯性低的电磁装置。本专利技术的又一个目的是提供一种配有限制件的电磁单元，其可保持在接近大气温度的温度。因此，根据第一实施例，提供一种电磁处理单元，其具有：-主体，其具有正面；-光发射装置，其具有多个发光源，光发射装置在主体上安装成向前辐射；-流体回路，其配置在主体内，用于光发射装置的热调节；-至少一个限制件，其由不透发射辐射的材料制成，具有一个暴露于发射辐射的限制面，所述限制件安装在主体上，与之进行热接触，限制面的热调节由流体回路提供。单独地或者组合地，根据各种实施例：-限制件由螺钉或者任何其它提供紧密接触的固定件固定于主体；-一个限制件是一个围绕光发射装置的反射框，反射框的一个限制面是一个向前定向的光反射面；-反射框具有一个与反射面相对的后缘，所述后缘与主体的正面接触；-一个限制件是一个安装在光发射装置下面的下部反射器，下部反射器的一个限制面是一个向上定向的光反射面；-下部反射器由一个定位板安装在主体上，定位板配有校准下部反射器相对于主体的垂直位置的校准装置，所述定位板用作主体与下部反射器之间的热桥；-定位板具有一个向前定向的光反射面；-一个限制件是一个上部吸收器，其安装在光发射装置之上，上部吸收器的一个限制面是一个向前定向的光吸收面；-上部吸收器具有一个向下定向的光反射下边缘，其定位在光发射装置的上边缘附近；-光发射装置接纳在主体正面上形成的一个中空前壳体中；-流体回路具有至少一个引入通道，其形成于主体上，所述引入通道一方面通过一个引入孔通到前壳体中，另一方面通过一个入口通到主体的后端面上；-流体回路具有至少一个排出通道，其形成于主体上，平行于引入通道，所述排出通道一方面通过一个排出孔通到前壳体中，另一方面通过一个出口通到主体的后端面上；-流体回路具有一对排出通道，其形成于引入通道的每一侧；-发光源设计成在红外线范围进行辐射，例如红外激光器二极管，例如VCSEL(垂直-空腔表面-发射激光二极管)二极管。本专利技术还提出一种处理塑料型坯的电磁处理装置，所述处理装置具有一系列上述相邻的处理单元。附图说明根据参照附图对优选实施例所作的详细说明，本专利技术的上述及其它目的和优越性将显而易见。附图如下：图1是处理型坯的处理装置的立体图，其具有一系列相邻的处理单元。图2是图1所示处理装置的横向剖视图；图3是图1所示处理装置配有的处理单元的立体分解正视图；图4是图1所示处理单元的立体分解后视图；图5是装配的处理单元的立体正视图；图5B类似于图5，示出处理单元处于不同的构形；图6是图5所示处理单元的正视图；图7是图6所示处理单元的沿线VII-VII的细部剖视图；图8是图6所示处理单元的沿线VIII-VIII的细部剖视图；图9是图6所示处理单元的沿线IX-IX的细部剖视图；图10是图6所示处理单元的沿线X-X的立体细部剖视图；图11是图6所示处理单元的沿线XI-XI的立体细部剖视图。具体实施方式图1和图2示出用于处理(例如加热或者消毒)塑料型坯2的电磁处理装置1。在所示的实施例中，型坯2是预型件(例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成)，其用于在加热(从而软化)时，在一个模具中进行吹制或者延伸吹制，形成容器例如瓶或壶。预型件型坯2具有一个基本上呈圆柱形的主体3，其在一端由一个半球形底部4封闭，在相对的一端由一个颈部5延伸，颈部一般用于支承，开口形成最终容器的口部(如图1和2所示)。型坯2可能不是预型件，而是中间容器，公知地，其在预型件的上述吹塑或延伸吹塑阶段获得。象预型件一样，这种中间容器具有一个主体3，其在一端由一个底部4封闭，在相对的一端由一个颈部5延伸(其也是预型件的颈部)。每个型坯2(这里是每个预型件)被驱动沿一条路径移动，在所述实施例中，其为线形，但是可以是任何其它形状，包括圆弧形。处理装置1具有一对彼此面对的平行侧壁6，其沿型坯2的路径在其两侧垂直延伸，一起限定型坯2通过的一个空腔7。至少一个(最好每个)侧壁6具有一系列类似的彼此邻接安装的电磁处理单元8。每个处理单元8具有一个主体9，其最好由热传导材料，例如钢合金、铜合金或者铝合金，制成一个整件。如下所述，处理单元8具有其它组件，其安装在主体9上，因此，其提供这些组件的支承作用。组件或者直接或者通过界面元件间接固定于主体9。如图3和4所示，其为处理单元8的立体分解图，主体9基本上呈棱形形状，具有一个正面10，其在运转中(见图1)向空腔7定向，即向型坯2(或所示的预型件)定向。主体9也具有一个后端面11、侧面12、一个下边缘13和一个上边缘14。在下面，沿着与正面10相同的方向定向的任何表面被称作向前定向。相反，沿着与正面10相反的方向定向的任何表面被称作向后定向。向主体9的下边缘13定向的任何表面被称作向下定向，而向主体9的上边缘14定向的任何表面被称作向上定向。在一个优选实施例中，主体9具有一个中空前壳体15，其形成于与其上边缘14邻接的正面10上。如图3所示，前壳体15围绕以一个从正面10凸起的棱16。棱16最好在形状上呈长方形，且具有圆角。一个连续槽部17形成于棱16的前缘。在图3和4所示的一个实施例中，主体9的每个侧面12至少部分地切成限定一个侧面凸起棱18。该棱18配有一系列开在正本文档来自技高网...

【技术保护点】
电磁处理单元(8)，其具有：‑主体(9)，主体具有正面(10)，‑光发射装置(21)，光发射装置具有多个发光源，光发射装置(21)在主体(9)上安装成向前辐射，‑流体回路(24)，流体回路配置在主体(9)内，用于光发射装置(21)的热调节，‑至少一个限制件(44，60，64，71)，限制件由不透发射光的材料制成，限制件有暴露于发射光的限制面(47，61，74，79)，其特征在于，流体回路(24)具有在主体(9)中形成的至少一个引入通道(25)，以及在主体(9)中形成的至少一个排出通道(26)，所述限制件(44，60，64，71)安装在主体(9)上，以与主体进行热接触，限制面(47，61，74，79)的热调节由流体回路(24)提供。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.23 EP 14306192.71.电磁处理单元(8)，其具有：-主体(9)，主体具有正面(10)，-光发射装置(21)，光发射装置具有多个发光源，光发射装置(21)在主体(9)上安装成向前辐射，-流体回路(24)，流体回路配置在主体(9)内，用于光发射装置(21)的热调节，-至少一个限制件(44，60，64，71)，限制件由不透发射光的材料制成，限制件有暴露于发射光的限制面(47，61，74，79)，其特征在于，流体回路(24)具有在主体(9)中形成的至少一个引入通道(25)，以及在主体(9)中形成的至少一个排出通道(26)，所述限制件(44，60，64，71)安装在主体(9)上，以与主体进行热接触，限制面(47，61，74，79)的热调节由流体回路(24)提供。2.根据权利要求1所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，限制件(44，60，64，71)由螺钉或者提供紧密接触的任何其它固定件固定于主体(9)。3.根据权利要求1或2所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，一个限制件是围绕光发射装置(21)的反射框(44)；并且，反射框(44)的一个限制面是向前定向的光反射面(47)。4.根据权利要求3所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，反射框(44)具有一个与光反射面(47)相对的后缘(50)，所述后缘(50)与主体(9)的正面(10)接触。5.根据前述权利要求中任一项所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，一个限制件是安装在光发射装置(21)下面的下部反射器(60)；并且，下部反射器(60)的一个限制面是向上定向的光反射面(61)。6.根据权利要求5所述的电磁处理单元(8)，其特征在于，下部反射器(60)由一个定位板(64)安装在主体(9)上，定位板(64)配有校准下部反射器(60)相对于主体(9)的垂直位置的校准装置，所述定位板(64)用...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·拉奥格，G·弗约莱，
申请(专利权)人：西德尔合作公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR