【技术实现步骤摘要】
一种湿法腐蚀方法
本专利技术涉及一种湿法腐蚀方法,尤其涉及一种应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法。
技术介绍
理想半导体激光器的脊台形貌为90°,然而当半导体激光器采用GaAs作为P面欧姆接触曾,高Al组分AlGaAs材料作为电子阻挡层和波导层时,由于高Al组分AlGaAs在一般腐蚀液中的侧向腐蚀速率大于GaAs,容易在腐蚀后形成GaAs凸出、AlGaAs凹陷的屋檐状形貌。这样的屋檐状脊台形貌将影响SiO2钝化保护,易造成漏电短路等异常情况,如申请号为CN201310406295.8,申请日为2013-09-09,公告号为CN103531458A,公告日为2014-01-22的《一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法》。提高H3PO4:H2O2腐蚀液中的H3PO4浓度,可以减缓AlGaAs侧向凹陷情况,但是H3PO4浓度提高后,腐蚀液非常粘稠,不利于大尺寸waf的腐蚀深度均匀性控制。
技术实现思路
为了能够达到消除AlGaAs层凹陷的效果,同时解决腐蚀液粘稠导致的腐蚀深度均匀性不易控制的技术问题,本专利技术提供一种应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法。本专利技术的解决方案是:一种应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法,其采用的腐蚀液配比为H3PO4:H2O2:H2O=1:10:1,且用于GaAs/Al0.7Ga0.3As脊台材料腐蚀中;在室温环境下完成腐蚀。作为上述方案的进一步改进,腐蚀速率为120~160nm/s。本专利技术选取H3PO4:H ...
【技术保护点】
一种应用于高Al组分AlGaAs‑GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法,其特征在于:其采用的腐蚀液配比为H
【技术特征摘要】
1.一种应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法,其特征在于:其采用的腐蚀液配比为H3PO4:H2O2:H2O=1:10:1,且用于GaAs/Al0.7Ga...
【专利技术属性】
技术研发人员:周立,潘之炜,吴涛,李瑞彬,谭少阳,
申请(专利权)人:苏州长光华芯光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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