一种湿法腐蚀方法技术

技术编号:15333152 阅读:80 留言:0更新日期:2017-05-16 20:49
本发明专利技术公开了一种应用于高Al组分AlGaAs‑GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法,其采用的腐蚀液配比为H

【技术实现步骤摘要】
一种湿法腐蚀方法
本专利技术涉及一种湿法腐蚀方法,尤其涉及一种应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法。
技术介绍
理想半导体激光器的脊台形貌为90°,然而当半导体激光器采用GaAs作为P面欧姆接触曾,高Al组分AlGaAs材料作为电子阻挡层和波导层时,由于高Al组分AlGaAs在一般腐蚀液中的侧向腐蚀速率大于GaAs,容易在腐蚀后形成GaAs凸出、AlGaAs凹陷的屋檐状形貌。这样的屋檐状脊台形貌将影响SiO2钝化保护,易造成漏电短路等异常情况,如申请号为CN201310406295.8,申请日为2013-09-09,公告号为CN103531458A,公告日为2014-01-22的《一种利用两步法对GaAs基材料进行湿法刻蚀的方法》。提高H3PO4:H2O2腐蚀液中的H3PO4浓度,可以减缓AlGaAs侧向凹陷情况,但是H3PO4浓度提高后,腐蚀液非常粘稠,不利于大尺寸waf的腐蚀深度均匀性控制。
技术实现思路
为了能够达到消除AlGaAs层凹陷的效果,同时解决腐蚀液粘稠导致的腐蚀深度均匀性不易控制的技术问题,本专利技术提供一种应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法。本专利技术的解决方案是:一种应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法,其采用的腐蚀液配比为H3PO4:H2O2:H2O=1:10:1,且用于GaAs/Al0.7Ga0.3As脊台材料腐蚀中;在室温环境下完成腐蚀。作为上述方案的进一步改进,腐蚀速率为120~160nm/s。本专利技术选取H3PO4:H2O2腐蚀液,采用本专利技术的H2O2浓度,同样能够达到消除AlGaAs层凹陷的效果,而且这个浓度的H2O2不会带来腐蚀液粘稠导致的腐蚀深度均匀性不易控制的问题。附图说明图1为采用常规腐蚀液腐蚀H2SO4:H2O2:H2O=1:1:20时,腐蚀后的侧壁形貌示意图。图2为采用本专利技术的应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法腐蚀后的侧壁形貌示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。在GaAs半导体激光器脊台湿法腐蚀工艺中,半导体脊台采用上层0.3~0.5μmGaAs材料、以及下层0.6~1μm的Al0.7Ga0.3As材料时,使用常规腐蚀液腐蚀,如H2SO4:H2O2:H2O=1:1:20时,腐蚀后侧壁形貌如图1所示,Al0.7Ga0.3As材料相对GaAs材料侧向钻蚀情况严重,脊台整体呈屋檐状。本专利技术应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法,采用的腐蚀液配比为H3PO4:H2O2:H2O=1:10:1,且用于GaAs/Al0.7Ga0.3As脊台材料腐蚀中,在室温环境下完成腐蚀。H3PO4:H2O2:H2O=1:10:1的配比也得到了试验的验证,在室温环境下,腐蚀速率约为120~160nm/s,腐蚀完成后,脊台侧壁形貌如图2所示,GaAs侧壁垂直,Al0.7Ga0.3As侧壁呈正台面,GaAs材料和Al0.7Ga0.3As材料的侧向腐蚀量基本一致,这样的脊台形貌对SiO2钝化无影响,极大减小漏电短路等异常发生。需要说明的是,H3PO4:H2O2:H2O=1:10:1的配比并非是通过无限次试验就能轻而易举的得到,因为不同的配比,整体表现的性能差异很大,没办法从试验数据上简单归纳与总结。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
一种湿法腐蚀方法

【技术保护点】
一种应用于高Al组分AlGaAs‑GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法,其特征在于:其采用的腐蚀液配比为H

【技术特征摘要】
1.一种应用于高Al组分AlGaAs-GaAs脊台垂直侧壁形貌工艺的湿法腐蚀方法,其特征在于:其采用的腐蚀液配比为H3PO4:H2O2:H2O=1:10:1,且用于GaAs/Al0.7Ga...

【专利技术属性】
技术研发人员:周立潘之炜吴涛李瑞彬谭少阳
申请(专利权)人:苏州长光华芯光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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