锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器。它包括基底层、二氧化硅层、右侧矩形二硫化钼薄膜、右侧锯齿形二硫化钼薄膜、中间锯齿形二硫化钼薄膜、左侧锯齿形二硫化钼薄膜、左上矩形二硫化钼薄膜、左下矩形二硫化钼薄膜、信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端；当无外加电压时，太赫兹信号从信号输入端输入，从信号第一输出端输出，当在二硫化钼薄膜与基底层之间添置偏置直流电压时，可以通过改变偏置电压实现调节二硫化钼薄膜的有效介电常数，使太赫兹信号从信号输入端输入，从第二信号输出端输出，实现太赫兹信号的可调滤波效果。本发明专利技术具有结构简单紧凑，尺寸小，响应快，设计原理简单等优点。

Tunable terahertz wave filter with sawtooth MOS film structure

The invention discloses an adjustable terahertz wave filter with sawtooth shaped molybdenum disulfide film structure. It includes a base layer, a silicon dioxide layer, right, the right rectangular MoS2 film zigzag zigzag intermediate film, MoS2 MoS2 film, MoS2 film, zigzag left upper left, lower left rectangle rectangular thin film of molybdenum disulfide MoS2 film, signal input end, a first signal output end, second signal output end; when the external voltage is not applied. Terahertz signal input from the signal input signal output from the first output terminal when the bias voltage between the additions of MoS2 film and substrate layer, can be adjusted by varying the bias voltage of MoS2 film dielectric constant of the terahertz signal input from the input signal, the output from the second signal output, terahertz signal adjustable filtering effect. The invention has the advantages of simple and compact structure, small size, fast response, simple design principle, etc..

【技术实现步骤摘要】
锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器
本专利技术涉及太赫兹波滤波器，尤其涉及一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器。
技术介绍
滤波器是一种选频装置,具有选频、分频、抑制干扰等作用,按其作用可分为带通滤波器、带阻滤波器等。太赫兹滤波器作为太赫兹光功能器件中的热口研巧方向，原因是太赫兹滤波器是太赫兹通讯、成像系统的重要功能部件之一，太赫兹技术的迅速发展，使得人们对太赫兹波功能器件的需求越来越大，因此，太赫兹波滤波器在实际中有重要的应用。随着科研工作者对太赫兹的深入研究，近年来陆续被提出基于多种材料的太赫兹滤波器的具体实现结构，极大地促进了应用于太赫兹领域的滤波器的研巧。当前国内外研究的并提出过的太赫兹波滤波器结构主要基于光子晶体、超材料等结构，这些结构往往很复杂，而且在实际制作过程中困难重重，成本较高，对加工工艺和加工环境要求也高。所以迫切需要提出结构简单、尺寸小、便于加工制作的太赫兹波滤波器来支撑太赫兹波应用领域的发展。而二硫化钼薄膜材料凭借其在太赫兹频段的独特性质，单元结构的设计种类越来越多样化，越来越多的谐振响应特性和关联参数被发现，为该频段光功能器件的研巧提供了新的解决方法。
技术实现思路
本专利技术为了克服现有技术不足，提供一种结构简单、滤波性能高的锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器。为了达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器包括基底层、二氧化硅层、右侧矩形二硫化钼薄膜、右侧锯齿形二硫化钼薄膜、中间锯齿形二硫化钼薄膜、左侧锯齿形二硫化钼薄膜、左上矩形二硫化钼薄膜、左下矩形二硫化钼薄膜、信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端；基底层的上层为二氧化硅层，二氧化硅层的上层铺有右侧矩形二硫化钼薄膜、右侧锯齿形二硫化钼薄膜、中间锯齿形二硫化钼薄膜、左侧锯齿形二硫化钼薄膜、左上矩形二硫化钼薄膜、左下矩形二硫化钼薄膜，右侧锯齿形二硫化钼薄膜、中间锯齿形二硫化钼薄膜和左侧锯齿形二硫化钼薄膜自右向左顺序排列，右侧锯齿形二硫化钼薄膜和左侧锯齿形二硫化钼薄膜上下两侧均等距离分布三个形状大小相同的矩形开槽，中间锯齿形二硫化钼薄膜上下各等距离分布四个形状大小相同的矩形开槽，右侧锯齿形二硫化钼薄膜的右端与右侧矩形二硫化钼薄膜的左端相连，左侧锯齿形二硫化钼薄膜的左端与左上矩形二硫化钼薄膜和左下矩形二硫化钼薄膜的右端相连，右侧矩形二硫化钼薄膜的右端与二氧化硅层的右端相连，左上矩形二硫化钼薄膜和左下矩形二硫化钼薄膜的左端与二氧化硅层的左端相连，右侧矩形二硫化钼薄膜的右端设有第一信号输出端，左上矩形二硫化钼薄膜的左端设有信号输入端，左下矩形二硫化钼薄膜的左端设有第二信号输出端；在二硫化钼薄膜与基底层之间加载偏置直流电压，可以通过改变偏置电压实现调节二硫化钼薄膜的有效介电常数，使太赫兹信号从信号输入端输入，调节从第二信号输出端输出的太赫兹频率。所述的基底层的材料为P型硅材料，长度为16～18μm，宽度为6～8μm，厚度为2～4μm。所述的二氧化硅层的长度为16～18μm，宽度为6～8μm，厚度为2～4μm。所述的右侧矩形二硫化钼薄膜的长度均为6～8μm，宽度均为1～2μm。所述的右侧锯齿形二硫化钼薄膜和左侧锯齿形二硫化钼薄膜上下两侧均等距离分布三个形状大小相同的矩形开槽，其中锯齿形二硫化钼薄膜的长度均为6～8μm，宽度均为2～3μm，矩形开槽的长度均为6～8μm，宽度均为2～3μm。所述的中间锯齿形二硫化钼薄膜上下各等距离分布四个形状大小相同的矩形开槽，其中锯齿形二硫化钼薄膜的长度均为6～8μm，宽度均为2～3μm，矩形开槽的长度均为6～8μm，宽度均为2～3μm。所述的左上矩形二硫化钼薄膜的长度均为6～8μm，宽度均为0.8～1.5μm。所述的左下矩形二硫化钼薄膜的长度均为6～8μm，宽度均为0.5～1μm。本专利技术锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器具有结构简单紧凑，尺寸小，响应快，设计原理简单等优点；且能够通过在二硫化钼薄膜与基底层之间加载偏置直流电压，改变偏置电压实现调节二硫化钼薄膜的有效介电常数，从而调节从第二信号输出端输出的太赫兹频率。附图说明图1是锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器三维结构示意图；图2是锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器俯视图；图3是锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器信号输出端输出功率。具体实施方式如图1～2所示，锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器包括基底层1、二氧化硅层2、右侧矩形二硫化钼薄膜3、右侧锯齿形二硫化钼薄膜4、中间锯齿形二硫化钼薄膜5、左侧锯齿形二硫化钼薄膜6、左上矩形二硫化钼薄膜7、左下矩形二硫化钼薄膜8、信号输入端9、第一信号输出端10、第二信号输出端11；基底层1的上层为二氧化硅层2，二氧化硅层2的上层铺有右侧矩形二硫化钼薄膜3、右侧锯齿形二硫化钼薄膜4、中间锯齿形二硫化钼薄膜5、左侧锯齿形二硫化钼薄膜6、左上矩形二硫化钼薄膜7、左下矩形二硫化钼薄膜8，右侧锯齿形二硫化钼薄膜4、中间锯齿形二硫化钼薄膜5和左侧锯齿形二硫化钼薄膜6自右向左顺序排列，右侧锯齿形二硫化钼薄膜4和左侧锯齿形二硫化钼薄膜6上下两侧均等距离分布三个形状大小相同的矩形开槽，中间锯齿形二硫化钼薄膜5上下各等距离分布四个形状大小相同的矩形开槽，右侧锯齿形二硫化钼薄膜4的右端与右侧矩形二硫化钼薄膜3的左端相连，左侧锯齿形二硫化钼薄膜6的左端与左上矩形二硫化钼薄膜7和左下矩形二硫化钼薄膜8的右端相连，右侧矩形二硫化钼薄膜3的右端与二氧化硅层2的右端相连，左上矩形二硫化钼薄膜7和左下矩形二硫化钼薄膜8的左端与二氧化硅层2的左端相连，右侧矩形二硫化钼薄膜3的右端设有第一信号输出端10，左上矩形二硫化钼薄膜7的左端设有信号输入端9，左下矩形二硫化钼薄膜8的左端设有第二信号输出端11；在二硫化钼薄膜与基底层1之间加载偏置直流电压，可以通过改变偏置电压实现调节二硫化钼薄膜的有效介电常数，调节从第二信号输出端输出的太赫兹波频率。所述的基底层1的材料为P型硅材料，长度为16～18μm，宽度为6～8μm，厚度为2～4μm。所述的二氧化硅层2的长度为16～18μm，宽度为6～8μm，厚度为2～4μm。所述的右侧矩形二硫化钼薄膜3的长度均为6～8μm，宽度均为1～2μm。所述的右侧锯齿形二硫化钼薄膜4和左侧锯齿形二硫化钼薄膜6均在上下两侧均等距离分布三个形状大小相同的矩形开槽，其中锯齿形二硫化钼薄膜的长度均为6～8μm，宽度均为2～3μm，矩形开槽的长度均为6～8μm，宽度均为2～3μm。所述的中间锯齿形二硫化钼薄膜5上下各等距离分布四个形状大小相同的矩形开槽，其中锯齿形二硫化钼薄膜的长度均为6～8μm，宽度均为2～3μm，矩形开槽的长度均为6～8μm，宽度均为2～3μm。所述的左上矩形二硫化钼薄膜7的长度均为6～8μm，宽度均为0.8～1.5μm。所述的左下矩形二硫化钼薄膜8的长度均为6～8μm，宽度均为0.5～1μm。实施例1锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器：如图1～2所示，锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器包括基底层1、二氧化硅层2、右侧矩形二硫化钼薄膜3、右侧锯齿形二硫化钼薄膜4、中间锯齿形二硫化钼薄膜5、左侧锯齿形二硫化钼薄膜6、左本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器，其特征在于包括基底层(1)、二氧化硅层(2)、右侧矩形二硫化钼薄膜(3)、右侧锯齿形二硫化钼薄膜(4)、中间锯齿形二硫化钼薄膜(5)、左侧锯齿形二硫化钼薄膜(6)、左上矩形二硫化钼薄膜(7)、左下矩形二硫化钼薄膜(8)、信号输入端(9)、第一信号输出端(10)、第二信号输出端(11)；基底层(1)的上层为二氧化硅层(2)，二氧化硅层(2)的上层铺有右侧矩形二硫化钼薄膜(3)、右侧锯齿形二硫化钼薄膜(4)、中间锯齿形二硫化钼薄膜(5)、左侧锯齿形二硫化钼薄膜(6)、左上矩形二硫化钼薄膜(7)、左下矩形二硫化钼薄膜(8)，右侧锯齿形二硫化钼薄膜(4)、中间锯齿形二硫化钼薄膜(5)和左侧锯齿形二硫化钼薄膜(6)自右向左顺序排列，右侧锯齿形二硫化钼薄膜(4)和左侧锯齿形二硫化钼薄膜(6)上下两侧均等距离分布三个形状大小相同的矩形开槽，中间锯齿形二硫化钼薄膜(5)上下各等距离分布四个矩形开槽形状大小相同的矩形开槽，右侧锯齿形二硫化钼薄膜(4)的右端与右侧矩形二硫化钼薄膜(3)的左端相连，左侧锯齿形二硫化钼薄膜(6)的左端与左上矩形二硫化钼薄膜(7)和左下矩形二硫化钼薄膜(8)的右端相连，右侧矩形二硫化钼薄膜(3)的右端与二氧化硅层(2)的右端相连，左上矩形二硫化钼薄膜(7)和左下矩形二硫化钼薄膜(8)的左端与二氧化硅层(2)的左端相连，右侧矩形二硫化钼薄膜(3)的右端设有第一信号输出端(10)，左上矩形二硫化钼薄膜(7)的左端设有信号输入端(9)，左下矩形二硫化钼薄膜(8)的左端设有第二信号输出端(11)。...

【技术特征摘要】
1.一种锯齿状二硫化钼薄膜结构可调太赫兹波滤波器，其特征在于包括基底层(1)、二氧化硅层(2)、右侧矩形二硫化钼薄膜(3)、右侧锯齿形二硫化钼薄膜(4)、中间锯齿形二硫化钼薄膜(5)、左侧锯齿形二硫化钼薄膜(6)、左上矩形二硫化钼薄膜(7)、左下矩形二硫化钼薄膜(8)、信号输入端(9)、第一信号输出端(10)、第二信号输出端(11)；基底层(1)的上层为二氧化硅层(2)，二氧化硅层(2)的上层铺有右侧矩形二硫化钼薄膜(3)、右侧锯齿形二硫化钼薄膜(4)、中间锯齿形二硫化钼薄膜(5)、左侧锯齿形二硫化钼薄膜(6)、左上矩形二硫化钼薄膜(7)、左下矩形二硫化钼薄膜(8)，右侧锯齿形二硫化钼薄膜(4)、中间锯齿形二硫化钼薄膜(5)和左侧锯齿形二硫化钼薄膜(6)自右向左顺序排列，右侧锯齿形二硫化钼薄膜(4)和左侧锯齿形二硫化钼薄膜(6)上下两侧均等距离分布三个形状大小相同的矩形开槽，中间锯齿形二硫化钼薄膜(5)上下各等距离分布四个矩形开槽形状大小相同的矩形开槽，右侧锯齿形二硫化钼薄膜(4)的右端与右侧矩形二硫化钼薄膜(3)的左端相连，左侧锯齿形二硫化钼薄膜(6)的左端与左上矩形二硫化钼薄膜(7)和左下矩形二硫化钼薄膜(8)的右端相连，右侧矩形二硫化钼薄膜(3)的右端与二氧化硅层(2)的右端相连，左上矩形二硫化钼薄膜(7)和左下矩形二硫化钼薄膜(8)的左端与二氧化硅层(2)的左端相连，右侧矩形二硫化钼薄膜(3)的右端设有第一信号输出端(10)，左上矩形二硫化钼薄膜(7)的左端设有信号输入端(9)，左下矩形二硫化钼薄膜(8)的左端设有第二信号输...

【专利技术属性】
技术研发人员：章乐，李九生，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33