黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件技术

技术编号:15332616 阅读:81 留言:0更新日期:2017-05-16 20:27
本申请提供了一种黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件。该制作方法包括:步骤S1,采用黑色光刻胶制作第一个黑膜层;步骤S2,在第一个黑膜层的一个表面上依次制作第二个至第N个黑膜层,且使得第一个黑膜层的覆盖区域与设置在第一个黑膜层上的各个黑膜层的覆盖区域一一对应,第一个黑膜层与设置在第一个黑膜层上的N‑1个黑膜层形成黑膜,且N≥2;步骤S3,采用等离子体刻蚀法对黑膜的表面形貌进行处理,使得黑膜的表面平整。该制作方法能够制作得到较厚的黑膜,且黑膜的表面形貌较好,表面较平整。

Method for making black film, black film and light-emitting device

The present invention provides a method for making a black film, a black film and a light-emitting device. The production method includes the following steps: step S1, the first black film using black photoresist; step S2, the first black film on a surface of second to N are making a black film, and the coverage area and set up the first black film coverage area of each black film in the first film on black the correspondence, the first black film and set the N in the first black film on the 1 black film forming black film, and N is not less than 2; step S3, the plasma etching of black film surface morphology processing, make the surface smooth black film. The method can produce thicker black film, and the surface of the black film is better and the surface is smooth.

【技术实现步骤摘要】
黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件
本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件。
技术介绍
黑膜(BlackMask,简称BM),常被设置在液晶面板所使用的滤色镜(colorfilter)的表面上,黑膜包括多个用于遮光的格子区域或者条纹区域,来覆盖相邻的不同颜色像素之间的交界区域,进而分离红色像素、绿色像素以及蓝色像素(即RGB像素)。现有技术中,黑膜的制备方法通常需要借助紫外光与掩模板来完成,将掩膜版设置在黑色光刻胶的表面上方,紫外光源设置在掩膜版的远离黑色光刻胶的一侧,紫外光经过掩膜版对黑色光刻胶的部分区域曝光,黑色光刻胶属于负性光刻胶,未覆盖区域即被曝光的区域发生变性,对黑色光刻胶进行显影时,由于被曝光的区域的黑色光刻胶发生变性而不会被显影液显掉,进而这部分区域形成用于覆盖区域,其他的被覆盖住的黑色光刻胶被显掉(有时候会在非覆盖区域设置对准标记,该对准标记与覆盖区域在同一个过程形成)。随着发光器件的不断更新换代,对黑膜的制作要求也是越来越高,如在量子点光致发光器件中,为满足多层的器件结构,常需要制作厚度较大(>1.5μm)的黑膜,而现有方法无法实现,究其根源在于黑膜的高吸光和遮光特性会使得照射在黑色光刻胶上部分的紫外光被吸收,导致紫外光不能很好的照射到厚度较深的下部分黑色光刻胶区域中,最终因无法完全曝光导致厚度较大的黑膜常以失败告终。现有技术在制作黑膜时,主要存在如下缺点:当制作黑膜厚度较大的图形时,有的底部的黑色光刻胶无法曝光,不会发生交联反应,显影时,被显影液冲掉,即无法形成厚度>2μm的黑膜图形;有的底部的黑色光刻胶曝光不完全,交联反应不完全,显影时,底部的黑膜部分被显影掉,出现凹坑;现有的液态黑色光刻胶,粘度很小,难以涂布形成较厚的膜。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件,以解决现有技术中难以形成较厚的且表面形态较好的黑膜的问题。为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种黑膜的制作方法,该制作方法包括:步骤S1,采用黑色光刻胶制作第一个黑膜层;步骤S2,在上述第一个黑膜层的一个表面上依次制作第二个至第N个黑膜层,且使得上述第一个黑膜层的覆盖区域与设置在上述第一个黑膜层上的各个黑膜层的覆盖区域一一对应,上述第一个黑膜层与设置在上述第一个黑膜层上的N-1个黑膜层形成黑膜,且N≥2;步骤S3,采用等离子体刻蚀法对上述黑膜的表面形貌进行处理,使得上述黑膜的表面平整。进一步地,各上述黑膜层厚度小于1.5μm,上述N个黑膜层中的每一个黑膜层的制作过程包括:在基板的表面上或在前黑膜层的表面上设置黑色光刻胶,上述前黑膜层为与上述基板的距离最大的黑膜层,当制作上述第一个黑膜层时,在上述基板的表面上设置黑色光刻胶,当制作上述第二个至上述第N个黑膜层时,在上述前黑膜层的表面上设置黑色光刻胶;对上述黑色光刻胶进行预固化,使得上述黑色光刻胶形成不流动的预黑膜层;将掩膜版放置在上述预黑膜层的远离上述基板的表面上,其中,上述掩膜版的透光区域与上述预黑膜层的覆盖区域一一对应;采用紫外光从上述掩膜版的远离上述预黑膜层的一侧对上述预黑膜层进行曝光;采用显影液对包括上述基板与上述预黑膜层的结构或者包括上述基板、黑膜层与上述预黑膜层的结构进行显影以溶解上述预黑膜层中没有被曝光的区域;对显影后的上述预黑膜层进行固化形成上述黑膜层。进一步地,上述掩膜版包括位于上述透光区域的对位标记,且形成的各上述黑膜层均包括与上述对位标记一一对应的黑膜标记。进一步地,在对第二个至第N个上述预黑膜层中任意一个上述预黑膜层曝光的过程包括:以上述对位标记与上述前黑膜层的黑膜标记一一对准的方式,将上述掩膜版放置在上述预黑膜层的远离上述基板的表面上。进一步地,上述步骤S3包括:步骤S31,采用等离子体刻蚀法去除上述黑膜表面的凸起;步骤S32,采用等离子体刻蚀法去除上述黑膜表面的凹陷。进一步地,上述步骤S31中,采用第一气体进行上述等离子体刻蚀法,上述第一气体包括第一轰击气体与第一腐蚀气体,优选上述第一轰击气体包括Ar,上述第一腐蚀气体包括O2,Ar与O2的摩尔比在5:1~30:1之间。进一步地,上述第一气体的电离功率在100~700W之间。进一步地,上述步骤S32中,采用第二气体进行上述等离子体刻蚀法,上述第二气体包括第二轰击气体、第二腐蚀气体和分散气体,优选上述第二轰击气体包括Ar,上述第二腐蚀气体包括O2,上述分散气体包括He和/或N2,O2与Ar的摩尔比在3:1~10:1之间。进一步地,上述第二气体的电离功率在100~500W之间。进一步地,上述分散气体的体积占上述第二气体的体积总量的65~87%。进一步地,上述第二气体还包括除杂质气体,上述除杂质气体包括包含F-的化合物气体,上述除杂质气体的体积小于等于上述第二气体的体积总量的2%。进一步地,上述黑膜的总厚度大于等于1.5μm。根据本申请的另一方面,提供了一种黑膜,该黑膜采用上述任一种的制作方法制作而成。根据本申请的另一方面,提供了另一种发光器件,该发光器件包括黑膜,该黑膜为上述的黑膜。应用本申请的技术方案,将预形成的厚度较厚的黑膜分为多次制作,避免了一次成型时底部的黑膜因曝光不完全而被显影液冲掉,也即克服了现有技术无法形成较厚的黑膜的问题,但是,形成的较厚的黑膜表面形貌平整度较差,尤其在黑膜的侧壁会有一些凸起与凹坑,而通过该黑膜的制作方法的步骤S3中对黑膜表面的形貌进行处理,使得制得的黑膜的表面平整,进而该制作方法能够制作得到较厚的黑膜,且黑膜的表面形貌较好,表面较平整。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:图1示出了根据本申请的一种典型的实施方式提供的黑膜的制作方法的流程示意图;以及图2示出了分层制备的黑膜中两个黑膜层的交界处的结构示意图。其中,上述附图包括以下附图标记:10、黑膜层。具体实施方式应该指出,以下详细说明都是例示性的,旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明,本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。正如
技术介绍
所介绍的,现有技术中,难以形成厚度较厚且表面形态较好的黑膜,为了解决如上的技术问题,本申请提出了一种黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件。本申请的一种典型的实施方式中,提供了一种黑膜的制作方法,如图1所示,该制作方法包括:步骤S1,采用黑色光刻胶制作第一个黑膜层;步骤S2,在上述第一个黑膜层的一个表面上依次制作第二个至第N个黑膜层,且使得上述第一个黑膜层的覆盖区域与设置在上述第一个黑膜层上的各个黑膜层的覆盖区域一一对应,上述第一个黑膜层与设置在上述第一个黑膜层上的N-1个黑膜层形成黑膜,且N≥2;步骤S3,采用等离子体刻蚀法对上述黑膜的本文档来自技高网
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黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件

【技术保护点】
一种黑膜的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:步骤S1,采用黑色光刻胶制作第一个黑膜层;步骤S2,在所述第一个黑膜层的一个表面上依次制作第二个至第N个黑膜层,且使得所述第一个黑膜层的覆盖区域与设置在所述第一个黑膜层上的各个黑膜层的覆盖区域一一对应,所述第一个黑膜层与设置在所述第一个黑膜层上的N‑1个黑膜层形成黑膜,且N≥2;以及步骤S3,采用等离子体刻蚀法对所述黑膜的表面形貌进行处理,使得所述黑膜的表面平整。

【技术特征摘要】
1.一种黑膜的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:步骤S1,采用黑色光刻胶制作第一个黑膜层;步骤S2,在所述第一个黑膜层的一个表面上依次制作第二个至第N个黑膜层,且使得所述第一个黑膜层的覆盖区域与设置在所述第一个黑膜层上的各个黑膜层的覆盖区域一一对应,所述第一个黑膜层与设置在所述第一个黑膜层上的N-1个黑膜层形成黑膜,且N≥2;以及步骤S3,采用等离子体刻蚀法对所述黑膜的表面形貌进行处理,使得所述黑膜的表面平整。2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,各所述黑膜层厚度小于1.5μm,所述N个黑膜层中的每一个黑膜层的制作过程包括:在基板的表面上或在前黑膜层的表面上设置黑色光刻胶,所述前黑膜层为与所述基板的距离最大的黑膜层,当制作所述第一个黑膜层时,在所述基板的表面上设置黑色光刻胶,当制作所述第二个至所述第N个黑膜层时,在所述前黑膜层的表面上设置黑色光刻胶;对所述黑色光刻胶进行预固化,使得所述黑色光刻胶形成不流动的预黑膜层;将掩膜版放置在所述预黑膜层的远离所述基板的表面上,其中,所述掩膜版的透光区域与所述预黑膜层的覆盖区域一一对应;采用紫外光从所述掩膜版的远离所述预黑膜层的一侧对所述预黑膜层进行曝光;采用显影液对包括所述基板与所述预黑膜层的结构或者包括所述基板、黑膜层与所述预黑膜层的结构进行显影以溶解所述预黑膜层中没有被曝光的区域;以及对显影后的所述预黑膜层进行固化形成所述黑膜层。3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述掩膜版包括位于所述透光区域的对位标记,且形成的各所述黑膜层均包括与所述对位标记一一对应的黑膜标记。4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,在对第二个至第N个所述预黑膜层中任意一个所述预黑膜层曝光的过程包括:以所述对位标记与所述前黑膜层的黑膜标...

【专利技术属性】
技术研发人员:田庆海
申请(专利权)人:纳晶科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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