The invention aims to provide the preparation and application of quantum dots in a gradient alloy quantum dots in QLED devices, the quantum dots can be divided into organic phase synthesis and aqueous synthesis, aqueous phase synthesis of low temperature, short cycle and its drawbacks are also obviously, fluorescent quantum short life low yield point, impurities and so on, and the current high rate, long fluorescence lifetime of quantum dots is mainly synthesized by oil phase. We have developed a highly efficient method for preparing gradient alloy quantum dots. Highly graded alloy quantum dots with long fluorescence life, half peak width and absolute high yield are applied to QLED devices. The invention has the advantages that the preparation technique of the gradient alloy quantum dots is stable, and the quantum yield of the organic phase synthesis is high, and the quantum dot size is smaller. The prepared QLED has the advantages of easy assembly, low cost, wide absorption spectrum and high photoelectric conversion efficiency, and has relatively high development value.
【技术实现步骤摘要】
梯度合金量子点的制备及该量子点在QLED器件的应用
本专利技术涉及梯度合金量子点的制备,具体涉及锰离子和铜离子优化梯度合金量子点的制备及该量子点在QLED器件的应用。
技术介绍
目前量子点热正在席卷世界,其全波段可协调发光,半峰宽窄,生物相容性好等等优点吸引着人们对其研究的不断深入。目前量子点的制备可分为有机相合成和水相合成,水相合成温度较低,周期较短而其弊端亦是显而易见的,荧光寿命短,量子点产率低,杂质多等等,而目前高产率,荧光寿命长的量子点主要是通过油相合成。我们研发一种高效的梯度合金量子点制备方法。成功梯度合成合金量子点,具有荧光寿命长,半峰宽窄,绝对产率高等等特点的优质的梯度合金量子点并在QLED器件的应用。本专利技术的优点是:梯度合金量子点制备技术稳定,有机相合成量子产率高、量子点粒径更小。所制备的QLED易组装成本低且具有宽的吸收光谱和高的光电转换效率,具有比较高的开发价值。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供梯度合金量子点的制备及该量子点在QLED器件的应用,量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、量子尺寸效应和表面效应使其展现出出色的物理性质,尤其是其光学性能。相对于有机荧光染料,胶体法制备的量子点具有光谱可调,发光强度大、色纯度高、荧光寿命长,单光源可激发多色荧光等优势。此外,QLED的寿命长,封装工艺简单。本专利技术采用如下的技术方案,一种锰离子优化梯度合金量子点的制备,其特征是方法步骤如下:(1)以醋酸锌作为量子点制备锌前驱体,氧化镉作为量子点制备镉前驱体,以S,1-十八烯制备成S源,以硒粉制备的三丁基膦硒化膦作为硒前驱体,以1- ...
【技术保护点】
一种锰离子优化梯度合金量子点的制备,其特征是方法步骤如下:(1)以醋酸锌作为量子点制备锌前驱体,氧化镉作为量子点制备镉前驱体,以S,1‑十八烯制备成S源,以硒粉制备的三丁基膦硒化膦作为硒前驱体,以1‑十八烯为稳定剂,油酸作为溶剂反应剂和配体得油溶性梯度合金量子点;乙腈促使量子点沉淀,离心分离提纯;(2)硒源:锌源:镉源:Mn2+=1:5:0.5:0.05的摩尔比反应,S的量不定,可制得可见光波段所有类型的量子点,此时量子点含有杂质未反应的硒源杂质,过量的锌源等等,加入过量丙酮乙腈等促使量子点沉淀离心分离得固体粉末,加入三氯甲烷溶解再加过量丙酮沉淀,反复两次得到纯净的梯度合金量子点粉末;(3)采用有机相合成成功制备了胶体量子点CdS/ZnSe梯度量子点并成功对其进行包覆,制备出了CdS/ZnSe梯度量子点,包覆后荧光性能得到明显改善;通过改变合成工艺参数在很宽的范围内实现了发光光谱的调控;所合成的CdS/ZnSe梯度量子点荧光量子产率达90%,;量子点粒径分布均匀,荧光半峰宽为17~30nm,并能维持优异的光纯度和光亮度。
【技术特征摘要】
1.一种锰离子优化梯度合金量子点的制备,其特征是方法步骤如下:(1)以醋酸锌作为量子点制备锌前驱体,氧化镉作为量子点制备镉前驱体,以S,1-十八烯制备成S源,以硒粉制备的三丁基膦硒化膦作为硒前驱体,以1-十八烯为稳定剂,油酸作为溶剂反应剂和配体得油溶性梯度合金量子点;乙腈促使量子点沉淀,离心分离提纯;(2)硒源:锌源:镉源:Mn2+=1:5:0.5:0.05的摩尔比反应,S的量不定,可制得可见光波段所有类型的量子点,此时量子点含有杂质未反应的硒源杂质,过量的锌源等等,加入过量丙酮乙腈等促使量子点沉淀离心分离得固体粉末,加入三氯甲烷溶解再加过量丙酮沉淀,反复两次得到纯净的梯度合金量子点粉末;(3)采用有机相合成成功制备了胶体量子点CdS/ZnSe梯度量子点并成功对其进行包覆,制备出了CdS/ZnSe梯度量子点,包覆后荧光性能得到明显改善;通过改变合成工艺参数在很宽的范围内实现了发光光谱的调控;所合成的CdS/ZnSe梯度量子点荧光量子产率达90%,;量子点粒径分布均匀,荧光半峰宽为17~30nm,并能维持优异的光纯度和光亮度。2.一种铜离子优化梯度合金量子点的制备,其特征是方法步骤如下:(1)以醋酸锌作为量子点制备锌前驱体,氧化镉作为量子点制备镉前驱体,以S,1-十八烯制备成S源,以硒粉制备的三丁基膦硒化膦作为硒前驱体,以1-十八烯为稳定剂,油酸作为溶剂反应...
【专利技术属性】
技术研发人员:张虚谷,李清华,纪丽珊,金肖,
申请(专利权)人:南昌航空大学,
类型:发明
国别省市:江西,36
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