The present invention provides an infrared anti reflective silicon micro structure preparation method comprises the following steps: firstly, etching pattern required for drawing software design, and then the silicon surface after cleaning evenly coated with a layer of UV photoresist, after UV exposure, the drawing software designed to transfer the patterns cover wafer with photoresist on the developer, then by electron beam evaporation on silicon evaporation a layer of gold film, based on the principle of wet etching, the etching depth of control by adjusting the etching time and etching liquid components, advanced highly controllable silicon micron wide array structure ratio. The preparation method of the invention has the advantages of low cost, convenient processing, large etching depth, controllable, etc. the preparation method has wide application prospect in the field of silicon mid infrared anti reflection.
【技术实现步骤摘要】
一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法
本专利技术属于硅的微纳加工领域,具体涉及一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法。
技术介绍
近年来,伴随着硅基光电子
的不断发展,硅基光电子应用的波长范围逐渐从传统的通信波段范围扩展到中红外波段和远红外波段。根据红外辐射在大气层中的传输条件,红外光谱通常分为远红外(NIR)、中红外(MIR)和远红外(FIR)。其中,中红外光谱(2.5um-25um)由于谱带灵敏性高、基频振动强的特点,被广泛应用于环境监测、遥感技术等传感应用中。微纳加工技术是一门由微电子技术、传统机械加工、非传统加工技术或特种加工技术衍生而来的一种技术,利用微纳加工这一技术可以加工出适用于中红外波段的不同尺度的微结构。湿法刻蚀是微纳加工技术刻蚀中一种简单高效的刻蚀技术,其一般步骤是将设计好的硅片沉浸于某种特制的化学溶剂中,该溶剂与特定的金属覆盖区域发生反应,其反应速率比较快。而在现有的微纳加工中,通过反应离子深硅刻蚀也可以有较快的反应速率,但是高昂的设备和成本不利于大面积的制备。
技术实现思路
本专利技术的目的在于结合微纳加工和湿法刻蚀技术,提供一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法,该方法制备效率高、成本低廉,且易于大面积结构制备。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案如下:一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法,包括以下步骤:(1)首先在清洗过的、干净的硅片上滴上紫外光刻胶的液滴,然后将硅片固定在匀胶机的转台上,通过一定的速率匀胶50秒以上;(2)将匀胶过后的硅片放置在热台上进行蒸发,采取的温度是115摄氏度,加热时间为60s,这样使溶剂充分挥发得到 ...
【技术保护点】
一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)首先在清洗过的、干净的硅片上滴上紫外光刻胶的液滴,然后将硅片固定在匀胶机的转台上,通过一定的速率匀胶50秒以上;(2)将匀胶过后的硅片放置在热台上进行蒸发,采取的温度是115摄氏度,加热时间为60s,这样使溶剂充分挥发得到一层均匀覆盖在硅片表面的紫外光刻胶的膜;(3)再通过无掩膜光刻机,将所绘制的微米级微结构图案进行曝光,曝光过程中要求曝光时间和显影时间进行配合,使曝光后的图案清晰完整;(4)将曝光显影后的硅片在反应离子刻蚀机器中进行残胶的去除;(5)通过电子束蒸发设备在步骤(4)所制得的硅片上蒸镀一定厚度的金;(6)将镀过金的硅片放置在配好的腐蚀液中进行刻蚀反应,该腐蚀液由氢氟酸、双氧水和水三部分组成;(7)经过一定时间后将腐蚀好的硅片取出,再通过金腐蚀液去残留的金层,并在丙酮中超声去除残胶,最后通过去离子水清洗以及氮气枪吹干,即制得微结构。
【技术特征摘要】
1.一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)首先在清洗过的、干净的硅片上滴上紫外光刻胶的液滴,然后将硅片固定在匀胶机的转台上,通过一定的速率匀胶50秒以上;(2)将匀胶过后的硅片放置在热台上进行蒸发,采取的温度是115摄氏度,加热时间为60s,这样使溶剂充分挥发得到一层均匀覆盖在硅片表面的紫外光刻胶的膜;(3)再通过无掩膜光刻机,将所绘制的微米级微结构图案进行曝光,曝光过程中要求曝光时间和显影时间进行配合,使曝光后的图案清晰完整;(4)将曝光显影后的硅片在反应离子刻蚀机器中进行残胶的去除;(5)通过电子束蒸发设备在步骤(4)所制得的硅片上蒸镀一定厚度的金;(6)将镀过金的硅片放置在配好的腐蚀液中进行刻蚀反应,该腐蚀液由氢氟酸、双氧水和水三部分组成;(7)经过一定时间后将腐蚀好的硅片取出,再通过金腐蚀液去残留的金层,并在丙酮中超声去除残胶,最后通过去离子水清洗以及氮气枪吹干,即制得微结构。2.根据权利要求1所述的...
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