The invention discloses a preparation method of protection, the tin layer solar cell metal gate line includes: in the N type silicon substrate side deposited intrinsic amorphous silicon layer and the N type amorphous silicon layer, the other side deposited intrinsic amorphous silicon layer and the p layer of amorphous silicon, and in n the amorphous silicon layer and the P type amorphous silicon layer deposited on the transparent conductive oxide layer on the transparent conductive oxide layer is deposited on the barrier layer; the blocking layer is deposited on the seed layer; the seed layer overlying the photoresist layer and the photoresist layer after lithography to form a metal gate line pattern and expose the seed layer; the tin layer protection method also includes the steps of: in the production of seed layer on the surface of exposed conductive gate line layer and process layer, and then make a protective layer in the solder layer, the photoresist layer is removed, remove the cover for the location and chemical etching liquid Sub layer, a barrier layer and a protective layer of exposed surface of the battery and the solder layer.
【技术实现步骤摘要】
一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法
本专利技术涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法。
技术介绍
异质结太阳能电池是硅衬底上生长非晶硅薄层的太阳能电池,具有结构简单、工艺温度低、转换效率高,温度特性好的特点,是适合于大规模推广应用的高效电池之一,具有很好的发展前景。以n型硅衬底为例,如图1所示异质结太阳能电池的主要结构为:在n型硅衬底受光面上先后沉积薄膜本征非晶硅层及P型非晶硅发射极层,形成带有薄膜本征非晶硅夹层的异质PN结;在俩面掺杂的非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物层,最后在透明导电氧化物层形成栅状金属电极。形成栅状金属电极作为制作异质结太阳能电池关键的步骤,其常规方法是:通过电镀制作金属栅线的第一个电镀铜叠层,其作为金属栅线主体导电层,再制作第二个电镀锡叠层作为金属栅线的助焊层。通过移除栅线外的光阻膜,使其覆盖的金属叠层全部露出,通过腐蚀去除该部分的金属叠层,最后露出太阳电池表面。而现有技术中存在腐蚀金属叠层的蚀刻液为酸性蚀刻液时在铜金属与锡金属或其他金属共存情况下会将其他金属一同腐蚀的缺陷。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提供了一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法,解决了蚀刻液为酸性溶液时在腐蚀金属叠层,铜金属与锡金属或其他金属共存情况下会将其他金属一同腐蚀的现象。为解决上述技术问题,本专利技术所采用的技术方案是:一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法,包括:在n型硅衬底一面沉积本征非晶硅层及n型非晶硅层,另一面沉积本征非晶硅层及p型非晶硅层,并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积透明导电氧 ...
【技术保护点】
一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法,其特征在于;包括:在n型硅衬底一面沉积本征非晶硅层及n型非晶硅层,另一面沉积本征非晶硅层及p型非晶硅层,并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积透明导电氧化物层,在所述透明导电氧化物层上沉积阻挡层;在所述阻挡层上沉积种子层;在种子层上覆光阻材料层,将光阻材料层经过曝光显影后形成金属栅线图案并暴露出种子层;所述锡层的保护方法还包括步骤:在暴露出的种子层表面制作导电栅线叠层和助焊层,然后在助焊层上制作一层保护层,最后将光阻材料层去除,再用化学腐蚀液去除其覆盖位置的种子层、阻挡层以及保护层暴露出电池表面和助焊层。
【技术特征摘要】
1.一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法,其特征在于;包括:在n型硅衬底一面沉积本征非晶硅层及n型非晶硅层,另一面沉积本征非晶硅层及p型非晶硅层,并在n型非晶硅层和p型非晶硅层上沉积透明导电氧化物层,在所述透明导电氧化物层上沉积阻挡层;在所述阻挡层上沉积种子层;在种子层上覆光阻材料层,将光阻材料层经过曝光显影后形成金属栅线图案并暴露出种子层;所述锡层的保护方法还包括步骤:在暴露出的种子层表面制作导电栅线叠层和助焊层,然后在助焊层上制作一层保护层,最后将光阻材料层去除,再用化学腐蚀液去除其覆盖位置的种子层、阻挡层以及保护层暴露出电池表面和助焊层。2.根据权利要求1所述一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法,其特征在于:所述导电氧化物层采用ITO层或掺杂的氧化铟层。3.根据权利要求1所述一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法,其特征在于:所述阻挡层为Ti金属层...
【专利技术属性】
技术研发人员:尤宇文,宋广华,
申请(专利权)人:钧石中国能源有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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