The invention relates to the field of semiconductor Schottky device, in particular to a Schottky diode, the terminal extension structure includes a first conductive type substrate, a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type JTE region, an insulation layer and a metal anode layer, forming a plurality of oblique grooves of the second conductive type JTE region on the second. JTE conductive type around the cable trench, the first inclined trench near the anode metal layer is filled with a first conductive material, the oblique groove is filled second conductive material, wherein the second conductive material to form Schottky contact with the second conductive type JTE region, the invention further reduces the sensitivity of the breakdown voltage of JTE concentration the increase of diode reverse breakdown ability.
【技术实现步骤摘要】
一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管
本专利技术涉及半导体肖特基器件领域,特别涉及一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管。技术背景肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反相恢复时间短(可以小到几纳秒),正向导通电压低(0.4伏特),整流电流大(可高达几千安培),因此广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等。由于器件的击穿电压在很大程度上取决于结曲率引起的边缘强电场,因此为了获得良好阻断能力的器件,降低结边缘电场,提高器件的实际击穿电场,各种结终端技术用于肖特基二极管器件的制备中,主要包括场板(FP)、场限环(FLR)、结终端延伸(JTE)等结构。其中,结终端延伸结构(JTE)具有非常广泛的应用,器件的抗击穿电压对于JTE区域的浓度非常敏感。中国专利CN102376779B公开了一种SiC肖特基二极管,采用浮空金属环辅助结终端延伸的终端结构,能够降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感度,提高器件的击穿电压,但是其抗击穿能力仍有待进一步提高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管,进一步降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感度,提高其反向抗击穿能力。为实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管,包括:第一导电类型衬底,形成在第一导电类型半导体衬底上的第一导电类型半导体层,形成在第一导电类型半导体层边缘的第二导电类型JTE区,形成在第二导电类型JTE区上的绝缘层以及与绝缘层相邻的形成在第一导电类型半导体层以及第二导电类型JTE区之上的阳极金属 ...
【技术保护点】
一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管,包括:第一导电类型衬底,形成在第一导电类型半导体衬底上的第一导电类型半导体层,形成在第一导电类型半导体层边缘的第二导电类型JTE区,形成在第二导电类型JTE区上的绝缘层以及与绝缘层相邻的形成在第一导电类型半导体层以及第二导电类型JTE区之上的阳极金属层,其特征在于:所述第二导电类型JTE区上形成多个斜沟槽,所述第二导电类型JTE区围绕所述斜沟槽,靠近阳极金属层的第一个斜沟槽内填充第一导电材料,其余斜沟槽内填充第二导电材料,所述第二导电材料与所述第二导电类型JTE区形成肖特基接触。
【技术特征摘要】
1.一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管,包括:第一导电类型衬底,形成在第一导电类型半导体衬底上的第一导电类型半导体层,形成在第一导电类型半导体层边缘的第二导电类型JTE区,形成在第二导电类型JTE区上的绝缘层以及与绝缘层相邻的形成在第一导电类型半导体层以及第二导电类型JTE区之上的阳极金属层,其特征在于:所述第二导电类型JTE区上形成多个斜沟槽,所述第二导电类型JTE区围绕所述斜沟槽,靠近阳极金属层的第一个斜沟槽内填充第一导电材料,其余斜沟槽内填充第二导电材料,所述第二导电材料与所述第二导电类型JTE区形成肖特基接触。2.根据权利要求1所述的具有结终端延伸结构的肖特基二极管,其特征在于:所述第一导电材料与阳极金属层不接触。3.根据权利要求1所述的具有结终端延伸结构的肖特基二极管,其特征在于:所述第一导电材料与阳极金属层接触。4.根据权利要求3所述的具有结终端延...
【专利技术属性】
技术研发人员:李风浪,
申请(专利权)人:东莞市联洲知识产权运营管理有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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