半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。

Semiconductor device

Provided is a semiconductor device, the semiconductor device comprises a first fin pattern includes a first side surface and a second side surface opposite to each other; the first groove depth first, and the first side surface of the adjacent second; second groove depth, and the second side surface of the adjacent, second different depth and depth first; the first insulating film in part, filling the first trench; and the second insulating film, partially fill the second trench. The first fin type pattern has an upper portion with a lower and narrower width than the lower portion and has a first stepped portion located at the boundary between the upper portion and the lower portion. The first insulating film includes a first end insulating film contacting with the lower part and a first insulating film in contact with the upper part.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置本申请要求于2015年11月3日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0153700号韩国专利申请的优先权和所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
多栅晶体管已经用于增大半导体装置的密度，在所述多栅晶体管中，鳍或纳米线形状的硅主体形成在基底上，随后栅极形成在硅主体的表面上。由于这样的多栅晶体管使用三维沟道，因此其允许容易的缩小(scaling)。另外，在不需要增大多栅晶体管的栅极长度的情况下，可以增强电流控制能力。此外，可有效地抑制短沟道效应(SCE)，即，沟道区的电势受到漏极电压影响的现象。
技术实现思路
在此描述的主题的示例性实施方式的技术目的是提供一种半导体装置，其中，可以使用鳍型图案之间的沟槽的深度和/或宽度来调整鳍型图案的位置。本公开意图提出的目的不限于上面描述的，本领域技术人员可以基于以下提供的描述清楚地理解以上没有提到的其它目的。根据示例性实施方式，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括第一侧表面和相对的第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面接触；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面接触，其中，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽，其中，第一鳍型图案包括下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部，第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。根据另一示例性实施方式，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，从基底的平坦的表面延伸并包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面，其中，基底与第一鳍型图案的上表面之间的距离是第一距离；第二鳍型图案，从基底突出并包括彼此相对的第三侧表面和第四侧表面，其中，基底与第二鳍型图案的上表面之间的距离是第二距离；第一沟槽，与第一侧表面接触并具有第一宽度和第一深度；第二沟槽，与第二侧表面和第三侧表面接触，位于第一鳍型图案和第二鳍型图案之间，并具有第二宽度和第二深度，其中，第一宽度和第二宽度彼此不同，并且/或者第一深度和第二深度彼此不同。根据又一示例性实施方式，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括第一侧表面和相对的第二侧表面；第二鳍型图案，包括第三侧表面和相对的第四侧表面，并朝向第三侧表面倾斜；第一沟槽，与第一侧表面接触并具有第一宽度和第一深度；第二沟槽，分别与第二侧表面和第三侧表面接触，位于第一鳍型图案和第二鳍型图案之间，并具有第二宽度和第二深度；第三沟槽，与第四侧表面接触并具有第三宽度和第三深度；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽；以及第三场绝缘膜，部分地填充第三沟槽，其中，第二场绝缘膜包括第二下场绝缘膜和形成在第二下场绝缘膜上的第二上场绝缘膜。根据再一示例性实施方式，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；第一鳍型图案，形成在基底上，包括第一侧表面和相对的第二侧表面，并相对于基底的上表面方向在第一方向上倾斜；第二鳍型图案，形成在基底上，包括第三侧表面和相对的第四侧表面，并相对于基底的上表面方向在与第一方向相反的方向上倾斜；第一沟槽，与第一侧表面接触；第二沟槽，分别与第二侧表面和第三侧表面接触；以及第三沟槽，与第四侧表面接触，其中，第一沟槽至第三沟槽的深度彼此不同。根据再一示例性实施方式，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一至第三鳍型图案，均包括下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并在上部与下部之间的边界上均具有台阶部；第一沟槽，形成在第一鳍型图案与第二鳍型图案之间；第二沟槽，形成在第二鳍型图案与第三鳍型图案之间；下场绝缘膜，形成在第一沟槽和第二沟槽内，并与第一至第三鳍型图案的下部接触；以及上场绝缘膜，形成在第一沟槽和第二沟槽内，并与第一至第三鳍型图案的上部的一部分接触，其中，第一鳍型图案的下部和第二鳍型图案的下部之间的距离与第二鳍型图案的下部和第三鳍型图案的下部之间的距离彼此相同，第一鳍型图案的上部和第二鳍型图案的上部之间的距离与第二鳍型图案的上部和第三鳍型图案的上部之间的距离彼此不同，第一沟槽的深度和第二沟槽的深度彼此不同。根据再一示例性实施方式，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括第一侧表面和相对的第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，其中，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽，其中，第一鳍型图案包括下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并在上部与下部之间的边界处具有曲线拐点，第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第二上场绝缘膜。附图说明通过参照附图对本公开的示例性实施方式进行详细地描述，对本领域普通技术人员来说，本公开的以上和其它目的、特征和优点将变得更加明显，在附图中：图1是为了解释根据一些示例性实施方式的半导体装置而提供的布局图；图2是沿图1的线A-A'截取的剖视图；图3是沿图1的线B-B'截取的剖视图；图4是沿图1的线C-C'截取的剖视图；图5是沿图1的线D-D'截取的剖视图；图6A是为了解释根据一些示例性实施方式的半导体装置而提供的剖视图；图6B是为了解释根据一些示例性实施方式的半导体装置而提供的剖视图；图7是为了解释根据一些示例性实施方式的半导体装置而提供的剖视图；图8是为了解释根据一些示例性实施方式的半导体装置而提供的剖视图；图9是为了解释根据一些示例性实施方式的半导体装置而提供的剖视图；图10是为了解释根据一些示例性实施方式的半导体装置而提供的剖视图；图11是为了解释根据一些示例性实施方式的半导体装置而提供的剖视图；图12是为了解释根据一些示例性实施方式的半导体装置而提供的布局图；图13是沿图12的线E-E'截取的剖视图；图14是沿图12的线F-F'截取的剖视图；以及图15是根据一些示例性实施方式的包括半导体装置的电子系统的框图。具体实施方式在下文中，现在将参照附图更充分地描述在这里公开的主题的给出的示例性实施方式。然而，本专利技术可以以不同的形式实施，并且不应解释为限于在这里所阐述的示例性实施方式。相反，提供这些示例性实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并将把专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。同样的附图标记在整个说明书中表示同样的组件。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区的厚度。将理解的是，当元件或层被称作“连接到”或“结合到”另一元件或层或者“在”另一元件或层“上”时，该元件或层可以直接连接到或结合到所述另一元件或层或者直接在所述另一元件或层上，或者可以存在中间元件或层。相反，当元件被称作“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层或者“直接在”另一元件或层“上”时，不存在中间元件或层。然而，除非上下文另外指出，否则术语“接触”、其变形或“与……接触”指的是直接连接(即，触摸)。同样的标记始终指同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意组合和所有组合。将理解的是，尽管可以在此使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。除非上下文另外指出，否则这些术语仅用于将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括第一侧表面和相对的第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面接触；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面接触，其中，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽，其中，第一鳍型图案包括下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部；第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。

【技术特征摘要】
2015.11.03 KR 10-2015-01537001.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括第一侧表面和相对的第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面接触；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面接触，其中，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽，其中，第一鳍型图案包括下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部；第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一沟槽的宽度比第二沟槽的宽度小。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二场绝缘膜包括：第二下场绝缘膜，与下部接触；第二上场绝缘膜，与上部接触。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一下场绝缘膜的应力特性与第一上场绝缘膜的应力特性彼此不同。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一下场绝缘膜具有拉应力特性，以及第一上场绝缘膜具有压应力特性。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一鳍型图案朝向第一侧表面倾斜。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二场绝缘膜的应力特性与第一下场绝缘膜和第一上场绝缘膜中的任一个的应力特性相同。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第二场绝缘膜具有拉应力特性，以及第一鳍型图案朝向第二侧表面倾斜。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第二场绝缘膜具有压应力特性，以及第一鳍型图案朝向第一侧表面倾斜。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一下场绝缘膜和第一上场绝缘膜包括彼此相同的材料。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，鳍型图案的上部包括第一上部和位于第一上部上具有比第一上部的宽度窄的宽度的第二上部，并具有位于第一上部与第二上部之间的边界处的第二台阶部。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，第一场绝缘膜围绕第一上部，同时暴露第二上部。13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在第一侧表面上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成洙，朴起宽，金松伊，柳庚玟，闵宣基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR