The present invention provides a test wire structure on a wafer. First, the test pads are formed on the wafer scribing. Second test pads are formed in the line. The transistor to be measured is formed in the scribe line and is connected between the first test pad and the second test pad. The device is formed in the scribe line and is connected between the first test pad and the transistor to be measured. Third the test pads are formed in the scribe line and are connected between the device and the transistor to be measured. When the first voltage is applied to the first test pad, via second test pads or the first test pad measurement to measure the current flowing through the transistor, which determines a first voltage according to the voltage from the second third test pads. The invention also provides a method for performing wafer acceptance testing.
【技术实现步骤摘要】
测试线结构以及用于执行晶圆验收测试的方法
本专利技术总体涉及半导体领域,更具体地,涉及晶圆上的测试结构以及用于执行晶圆验收测试的方法。
技术介绍
在标准的半导体工艺中,为了评估每道工序的效率以及确定在各道工序之后器件的性能,对晶圆执行验收测试(WAT)。晶圆验收测试的主要目的是确定半导体工艺的稳定性以及提高器件的产量。通过晶圆验收测试,在某种程度上确保了晶圆的质量和稳定性。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面,提供了一种晶圆上的测试线结构,包括:第一测试焊盘,形成在所述晶圆的划线中;第二测试焊盘,形成在所述划线中;待测晶体管,形成在所述划线中并且连接在所述第一测试焊盘与所述第二测试焊盘之间;器件,形成在所述划线中并且连接在所述第一测试焊盘与所述待测晶体管之间;以及第三测试焊盘,形成在所述划线中并且连接在所述器件与所述待测晶体管之间,其中,当向所述第一测试焊盘施加第一电压时,经由所述第二测试焊盘或所述第一测试焊盘测量流经所述待测晶体管的电流,其中,根据来自所述第三测试焊盘的第二电压来确定所述第一电压。根据本专利技术的另一方面,提供了一种用于执行晶圆验收测试的方法,包括:提供形成在晶圆的划线中的测试线结构,其中,所述测试线结构包括:第一测试焊盘;第二测试焊盘;待测晶体管,连接在所述第一测试焊盘与所述第二测试焊盘之间;器件,连接在所述第一测试焊盘与所述待测晶体管之间;和第三测试焊盘,连接在所述器件与所述待测晶体管之间;当向所述第一测试焊盘施加第一电压时,经由所述第二测试焊盘或所述第一测试焊盘获得流经所述待测晶体管的电流,其中,根据来自所述第三测试焊盘的第二电压来 ...
【技术保护点】
一种晶圆上的测试线结构,包括:第一测试焊盘,形成在所述晶圆的划线中;第二测试焊盘,形成在所述划线中;待测晶体管,形成在所述划线中并且连接在所述第一测试焊盘与所述第二测试焊盘之间;器件,形成在所述划线中并且连接在所述第一测试焊盘与所述待测晶体管之间;以及第三测试焊盘,形成在所述划线中并且连接在所述器件与所述待测晶体管之间,其中,当向所述第一测试焊盘施加第一电压时,经由所述第二测试焊盘或所述第一测试焊盘测量流经所述待测晶体管的电流,其中,根据来自所述第三测试焊盘的第二电压来确定所述第一电压。
【技术特征摘要】
2015.10.30 US 14/927,8161.一种晶圆上的测试线结构,包括:第一测试焊盘,形成在所述晶圆的划线中;第二测试焊盘,形成在所述划线中;待测晶体管,形成在所述划线中并且连接在所述第一测试焊盘与所述第二测试焊盘之间;器件,形成在所述划线中并且连接在所述第一测试焊盘与所述待测晶体管之间;以及第三测试焊盘,形成在所述划线中并且连接在所述器件与所述待测晶体管之间,其中,当向所述第一测试焊盘施加第一电压时,经由所述第二测试焊盘或所述第一测试焊盘测量流经所述待测晶体管的电流,其中,根据来自所述第三测试焊盘的第二电压来确定所述第一电压。2.根据权利要求1所述的测试线结构,其中,所述器件是在所述划线中的迹线,并且所述迹线具有寄生电阻。3.根据权利要求1所述的测试线结构,其中,所述器件是第一开关,并且当所述第一开关导通时,测量流经所述待测晶体管的电流。4.根据权利要求3所述的测试线结构,还包括:第四测试焊盘,形成在所述划线中,向所述第四测试焊盘施加第三电压;第二开关,形成在所述划线中并且连接在所述第四测试焊盘与所述待测晶体管的栅极之间;以及第三开关,形成在所述划线中并且连接在所述第二测试焊盘与所述待测晶体管的栅极之间。5.根据权利要求4所述的测试线结构,其中,当所述第一开关和所述第二开关导通而所述第三开关断开时,测量流经所述晶体管的电流。6.一种用于执行晶圆验收测试的方法,包括:提供形成在晶圆的划线中的测试线结构,其中,所述测试线结构包括:第一测试焊盘;第二测试焊盘;待测晶体管,连接在所述第一测试焊盘与所述第二测试焊盘之间;器件,连接在所述第一测试焊盘与所述待测晶体管之间;和第三测试焊盘,连接在所述器件与所述待测...
【专利技术属性】
技术研发人员:李岳川,陈嘉展,金秉颉,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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