The invention discloses a semiconductor processing equipment, comprising: a reaction chamber; cylindrical ceramic window, the window is a hollow cylindrical ceramic structure, which is communicated with the reaction chamber; the bearing window is arranged between the reaction cavity and the cylindrical ceramic window, carrying the window is provided with a through hole, and the cylindrical reaction chamber communicated with the air inlet ring, and ceramic window; the relative bearing window, is arranged at the other end of the cylindrical ceramic window; on the cover, the cylindrical ceramic window oppositely arranged at another side of the inlet ring; Faraday shielding device set in outer cylindrical ceramic window, and the window is arranged between the bearing and the air inlet ring; a coil assembly, a lateral shielding device is located in Faraday, and set the between the window and the air bearing ring; the guide ring, is arranged in the cylindrical ceramic window, and the bottom surface and the inlet ring connection. In the invention, a guiding ring is arranged on the bottom surface of the air inlet ring to effectively change the intake path of the etching gas, thereby improving the uniformity of the radio frequency coupling and effectively improving the dissociation degree of the etching gas.
【技术实现步骤摘要】
一种半导体加工设备
本专利技术涉及ICP装置
,具体涉及一种半导体加工设备。
技术介绍
在感应耦合等离子体刻蚀过程中,法拉第屏蔽装置被用于提高射频耦合的均一性。现有技术中,法拉第屏蔽装置的样式多种多样,在设计法拉第屏蔽装置的样式时主要考虑以下三点:(1)、屏蔽率容易调整,这样有助于寻找最适宜的参数;(2)、法拉第屏蔽装置作为圆柱形陶瓷窗的主要支撑部件及真空密封组件,但是由于陶瓷材料的易脆性,因此,如何有效结合这两项功能显得尤为重要;(3)、法拉第屏蔽装置设置在圆柱形陶瓷窗和线圈组件之间,线圈组件需要经常改变和替换,因此,减少线圈缠绕步骤及拆卸步骤显得尤为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体加工设备,通过在进气环的底表面设置导向环,有效改变刻蚀气体的进气路径,提高射频耦合的均一性,有效提高刻蚀气体的解离程度。为了达到上述目的,本专利技术通过以下技术方案实现:一种半导体加工设备,其特点是,包含:反应腔,所述反应腔内设置有载片台,所述载片台上放置待刻蚀晶圆;圆柱形陶瓷窗,所述圆柱形陶瓷窗为中空结构,其一端与所述反应腔联通;承载窗,设置在所述反应腔与圆柱形陶瓷窗之间,所述承载窗设有通孔,连通所述反应腔与圆柱形陶瓷窗;进气环,与所述承载窗相对,设置在圆柱形陶瓷窗的另一端,所述进气环上设有若干通孔;上盖,与所述圆柱形陶瓷窗相对设置在所述进气环的另一侧,所述进气环与上盖之间留有气体扩散腔,所述上盖上设有进气孔,其中进气环上的若干通孔及上盖的进气孔与进气环和上盖之间的气体扩散腔相联通;法拉第屏蔽装置,套设在所述圆柱形陶瓷窗的外侧,且设置在所述承载窗与 ...
【技术保护点】
一种半导体加工设备,其特征在于,包含:反应腔,所述反应腔内设置有载片台,所述载片台上放置待刻蚀晶圆;圆柱形陶瓷窗,所述圆柱形陶瓷窗为中空结构,其一端与所述反应腔联通;承载窗,设置在所述反应腔与圆柱形陶瓷窗之间,所述承载窗设有通孔,连通所述反应腔与圆柱形陶瓷窗;进气环,与所述承载窗相对,设置在圆柱形陶瓷窗的另一端,所述进气环上设有若干通孔;上盖,与所述圆柱形陶瓷窗相对设置在所述进气环的另一侧,所述进气环与上盖之间留有气体扩散腔,所述上盖上设有进气孔,其中进气环上的若干通孔及上盖的进气孔与进气环和上盖之间的气体扩散腔相联通;法拉第屏蔽装置,套设在所述圆柱形陶瓷窗的外侧,且设置在所述承载窗与进气环之间;线圈组件,套设在所述法拉第屏蔽装置的外侧,且设置在所述承载窗与进气环之间;导向环,设置在所述圆柱形陶瓷窗内,且与所述进气环的底表面连接,所述导向环与圆柱形陶瓷窗之间留有等离子发生空间,所述的等离子发生空间一端与进气环上的通孔联通,另一端与反应腔联通。
【技术特征摘要】
1.一种半导体加工设备,其特征在于,包含:反应腔,所述反应腔内设置有载片台,所述载片台上放置待刻蚀晶圆;圆柱形陶瓷窗,所述圆柱形陶瓷窗为中空结构,其一端与所述反应腔联通;承载窗,设置在所述反应腔与圆柱形陶瓷窗之间,所述承载窗设有通孔,连通所述反应腔与圆柱形陶瓷窗;进气环,与所述承载窗相对,设置在圆柱形陶瓷窗的另一端,所述进气环上设有若干通孔;上盖,与所述圆柱形陶瓷窗相对设置在所述进气环的另一侧,所述进气环与上盖之间留有气体扩散腔,所述上盖上设有进气孔,其中进气环上的若干通孔及上盖的进气孔与进气环和上盖之间的气体扩散腔相联通;法拉第屏蔽装置,套设在所述圆柱形陶瓷窗的外侧,且设置在所述承载窗与进气环之间;线圈组件,套设在所述法拉第屏蔽装置的外侧,且设置在所述承载窗与进气环之间;导向环,设置在所述圆柱形陶瓷窗内,且与所述进气环的底表面连接,所述导向环与圆柱形陶瓷窗之间留有等离子发生空间,所述的等离子发生空间一端与进气环上的通孔联通,另一端与反应腔联通。2.如权利要求1所述的半导体加工设备,其特征在于,所述的上盖的进气孔、进气环与上盖之间的气体扩散腔、进气环上...
【专利技术属性】
技术研发人员:龚岳俊,何乃明,吴狄,倪图强,
申请(专利权)人:中微半导体设备上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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