一种低介电常数碳膜电阻制造技术

技术编号:15332095 阅读:188 留言:0更新日期:2017-05-16 15:13
本发明专利技术公开了一种低介电常数碳膜电阻,包括如下组分及重量份数:40~50石墨;18~30PA6;20~25滑石粉;8~20增韧剂;12~18阻燃剂;30~40Mn

A low dielectric constant carbon film resistor

The invention discloses a low dielectric constant carbon film resistor, comprising the following components and a weight fraction: 40~50 graphite; 18 to 30PA6; 20~25 talc; 8~20 toughening agent; 12~18 flame retardant; 30 to 40Mn

【技术实现步骤摘要】
一种低介电常数碳膜电阻
本专利技术涉及一种电阻材料,特别是涉及一种低介电常数碳膜电阻。
技术介绍
碳膜电阻器是膜式电阻中的一种。它是采用高温真空镀膜技术将碳紧密附在瓷棒表面形成碳膜,然后加适当接头切割,并在其表面涂上环氧树脂密封保护而成的。其表面常涂以绿色保护漆。碳膜的厚度决定阻值的大小,通常用控制膜的厚度和刻槽来控制电阻器。当前,随着电子线路高频化的发展,各种高速数据传输线路及接口如:HDMI、USB3.0等得到了越来越广泛的使用。为了减少此类线路中传输信号的损耗,需要尽可能减小其中所使用电阻的电容量,但是电阻的介电常数与电压梯度呈反增长关系,降低介电常数的同时会使得电压梯度超出正常范围,因此,现有电阻的介电常数一般都高于300。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题,本专利技术提供了一种具有良好性能的低介电常数碳膜电阻。为了解决上述问题,本专利技术所采取的技术方案是:一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:包括如下组分及重量份数:40~50石墨;18~30PA6;20~25滑石粉;8~20增韧剂;12~18阻燃剂;30~40Mn2O3;3~11Al2O3;3~8AgNO3;2~4B2O3;1~3Bi2O3;1~2SiO2。前述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述AgNO3为6份。前述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述石墨为45份。前述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述增韧剂为15份。前述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述滑石粉为23份。前述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述PA6为26份。前述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述Mn2O3为35份。前述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述Al2O3为7份。前述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述Bi2O3为2份。前述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述SiO2为1.5份。本专利技术所达到的有益效果:本专利技术低介电常数碳膜电阻,采用此配方能做到高阻值、低B值之配方组合:可在较宽温度范围内使用,即可在高、低温时同时使用;电性能、机械性能及可靠性方面的性能均有明显的提升,并可以将电阻瓷体的相对介电常数控制在50-100以内,电位梯度也保持在正常500-900v/mm之间,具有优良的综合性能。具体实施方式以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案,而不能以此来限制本专利技术的保护范围。一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:包括如下组分及重量份数:45份石墨;26份PA6;23份滑石粉;15份增韧剂;15份阻燃剂;35份Mn2O3;7份Al2O3;6份AgNO3;3份B2O3;2份Bi2O3;1.5份SiO2。综上所述:本专利技术低介电常数碳膜电阻,采用此配方能做到高阻值、低B值之配方组合:可在较宽温度范围内使用,即可在高、低温时同时使用;电性能、机械性能及可靠性方面的性能均有明显的提升,并可以将电阻瓷体的相对介电常数控制在50-100以内,电位梯度也保持在正常500-900v/mm之间,具有优良的综合性能。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解,本专利技术不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理,在不脱离本专利技术精神和范围的前提下,本专利技术还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:包括如下组分及重量份数:40~50石墨;18~30PA6;20~25滑石粉;8~20增韧剂;12~18阻燃剂;30~40Mn

【技术特征摘要】
1.一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:包括如下组分及重量份数:40~50石墨;18~30PA6;20~25滑石粉;8~20增韧剂;12~18阻燃剂;30~40Mn2O3;3~11Al2O3;3~8AgNO3;2~4B2O3;1~3Bi2O3;1~2SiO2。2.根据权利要求1所述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述AgNO3为6份。3.根据权利要求2所述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述石墨为45份。4.根据权利要求3所述的一种低介电常数碳膜电阻,其特征在于:所述增韧剂为15...

【专利技术属性】
技术研发人员:李文武
申请(专利权)人:昆山福烨电子有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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