电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统制造方法及图纸

一种电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统。该电子装置的每个像素单元包括霍尔效应工作电极、薄膜晶体管、栅线、第一公共线、第二公共线、数据线和感测线。霍尔效应工作电极包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，并且第一接触位置和第二接触位置的连线与第三接触位置和第四接触位置的连线相交；薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，漏极与第一接触位置电连接；栅线与栅极电连接；第一公共线通过第三接触位置与霍尔效应工作电极电连接；第二公共线通过第四接触位置与霍尔效应工作电极电连接；数据线与源极电连接；感测线与第二接触位置电连接。该电子装置实现了书写信息的图像化。

Electronic device, method for manufacturing the same, operation method, and electronic copy system

An electronic device, a method of manufacturing the same, an operation method, and an electronic copy system. Each pixel unit of the electronic device comprises a Holzer effect, a working electrode, a thin film transistor, a grid line, a first common line, a second common line, a data line and a sensing line. Holzer effect of the working electrode includes a first contact position, the contact position, the contact position second third and fourth contact positions, and connect with the third contact position and the fourth position of the first contact and the second contact position of the contact position of the line of intersection; thin film transistor includes a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, a drain connected to the first contact position of the electric grid; the line is connected with the electric grid; the first public line connected by the third contact position and Holzer effect working electrode; second common line is connected by fourth contact position and Holzer effect working electrode and the source line data; electric connection; sense of connection line and second electric contact position. The electronic device realizes the visualization of the writing information.

【技术实现步骤摘要】
电子装置及其制造方法和操作方法、电子复写系统
本公开的实施例涉及一种电子装置及其制造方法、电子复写系统和电子装置的操作方法。
技术介绍
尽管手机和平板电脑等电子设备得到了广泛的应用，但是很多人仍保持着书写的习惯。这是由于在纸张上书写的体验是触摸屏和手写板无法替代的。此外，在纸张上书写方便修改和注释附图等。然而，纸质文件的存储需要占据大量空间，并且不易携带和运输。因此，将书写在纸张上的文字图像电子化是亟需解决的一个问题。
技术实现思路
本公开的一个实施例提供了一种电子装置，该电子装置包括按阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括霍尔效应工作电极、薄膜晶体管、栅线、第一公共线、第二公共线、数据线和感测线。霍尔效应工作电极包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，其中，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线相交；薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，其中，所述漏极与所述第一接触位置电连接；栅线与所述栅极电连接；第一公共线通过所述第三接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；第二公共线通过所述第四接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；数据线与所述源极电连接；以及感测线与所述第二接触位置电连接。本公开的另一个实施例提供了一种电子装置的操作方法，该操作方法包括向所述栅线施加扫描电压，并导通与之相连的所述像素单元中的所述薄膜晶体管；通过所述第一公共线和所述第二公共线向所述霍尔效应工作电极施加第一电流；通过所述数据线和所述感测线检测所述霍尔效应工作电极的霍尔电压信号，其中根据所述霍尔电压信号判断所述像素单元是否被操作。本公开的再一个实施例提供了一种电子复写系统，该电子复写系统包括磁性笔和上述的电子装置。本公开的再一个实施例提供了一种电子装置的制造方法，该制造方法包括形成霍尔效应工作电极，所述霍尔效应工作电极包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线相交；形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述漏极与所述第一接触位置电连接；形成栅线，所述栅线与所述栅极电连接；形成第一公共线，其中，所述第一公共线通过所述第三接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；形成第二公共线，所述第二公共线通过所述第四接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；形成数据线，所述数据线与所述源极电连接；以及形成感测线，所述感测线与所述第二接触位置电连接。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，并非对本公开的限制。图1是本公开一个实施例提供的一种电子装置的平面示意图；图2是图1所示的电子装置沿A-A’线的剖面示意图；图3是本公开一个实施例提供的一种电子装置的另一种结构的平面示意图；图4是本公开一个实施例提供的一种电子装置的再一种结构的平面示意图；图5是本公开一个实施例提供的一种电子装置的再一种结构的平面示意图；图6是本公开一个实施例提供的一种电子装置的再一种结构的平面示意图；图7是图6所示的电子装置沿A-A’线的剖面示意图；图8是本公开另一个实施例提供的一种电子装置操作方法的流程图；图9是本公开再一个实施例提供的一种电子复写系统的示意图；以及图10是本公开再一个实施例提供的一种制造电子装置的工艺的剖面示意图。图11是本公开再一个实施例提供的一种电子装置的制作方法的流程图。具体实施方式下面将结合附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述参考在附图中示出并在以下描述中详述的非限制性示例实施例，更加全面地说明本公开的示例实施例和它们的多种特征及有利细节。应注意的是，图中示出的特征不是必须按照比例绘制。本公开省略了已知材料、组件和工艺技术的描述，从而不使本公开的示例实施例模糊。所给出的示例仅旨在有利于理解本公开示例实施例的实施，以及进一步使本领域技术人员能够实施示例实施例。因而，这些示例不应被理解为对本公开的实施例的范围的限制。除非另外特别定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。此外，在本公开各个实施例中，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。本公开的实施例提供了一种电子装置及其制造方法、电子复写系统和电子装置的操作方法，利用霍尔效应实现了书写信息的图像化。本公开的至少一个实施例提供了一种电子装置，该电子装置包括按阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括霍尔效应工作电极、薄膜晶体管、栅线、第一公共线、第二公共线、数据线和感测线。霍尔效应工作电极包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，并且第一接触位置和第二接触位置的连线与第三接触位置和第四接触位置的连线相交；薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，漏极与第一接触位置电连接；栅线与栅极电连接；第一公共线通过第三接触位置与霍尔效应工作电极电连接；第二公共线通过第四接触位置与霍尔效应工作电极电连接；数据线与源极电连接；感测线与第二接触位置电连接。例如，图1和图2分别示出了本公开一个实施例的电子装置的平面示意图和剖面示意图，图2示出的剖面示意图是沿图1所示的A-A’线剖切得到。如图1和图2所示，该电子装置100包括在衬底基板上按阵列排布的多个像素单元300，每个像素单元300包括设置在衬底基板190上的薄膜晶体管110、霍尔效应工作电极120、栅线141、第一公共线142、第二公共线143、数据线151和感测线152。这些像素单元300可以看做由彼此交叉的栅线141和数据线151界定。霍尔效应工作电极120包括第一接触位置121、第二接触位置122、第三接触位置123和第四接触位置124，并且第一接触位置121和第二接触位置122的连线与第三接触位置123和第四接触位置124的连线相交；薄膜晶体管110包括栅极111、栅绝缘层112、半导体图案113、源极114和漏极115；漏极115与第一接触位置121电连接；栅线141与栅极111电连接；第一公共线142通过第三接触位置123与霍尔效应工作电极120电连接；第二公共线143通过第四接触位置124与霍尔效应工作电极120电连接；数据线151与源极114电连接；感测线152与第二接触位置122电连接。例如，在本公开的实施例中，通过第一公共线142和第二公共线143向霍尔效应工作电极120施加第一电流，当霍尔效应工作电极120所在区域存在垂直于第一电流I方向(即第三接触位置123和第四接触位置124的连线方向)的磁场分量B(即垂直于纸面的方向)，在垂直于第一电流I和磁场分量B方向的方向上会产生霍尔电压V。因此，第一接触位置121和第二接触位置122之间会存在电压差。当向栅线141施加扫描电压，并导通与之相连的像素单元300中的薄膜晶体管110后，可以通过数据线151和感测线152检测霍尔效应工作电极120上产生的霍尔电压信号，并可以根据霍尔电压信号判断像素单元300是否被操作(即霍尔工作区是否被施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置，包括按阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括：霍尔效应工作电极，包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，其中，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线相交；薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中，所述漏极与所述第一接触位置电连接；栅线，与所述栅极电连接；第一公共线，通过所述第三接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；第二公共线，通过所述第四接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；数据线，与所述源极电连接；以及感测线，与所述第二接触位置电连接。

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，包括按阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括：霍尔效应工作电极，包括第一接触位置、第二接触位置、第三接触位置和第四接触位置，其中，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线相交；薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，其中，所述漏极与所述第一接触位置电连接；栅线，与所述栅极电连接；第一公共线，通过所述第三接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；第二公共线，通过所述第四接触位置与所述霍尔效应工作电极电连接；数据线，与所述源极电连接；以及感测线，与所述第二接触位置电连接。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一接触位置和所述第二接触位置的连线与所述第三接触位置和所述第四接触位置的连线垂直。3.根据权利要求1项所述的电子装置，还包括磁性材料层，其中，所述电子装置包括工作面，所述磁性材料层相对于所述霍尔效应工作电极设置在与所述工作面相反的一侧。4.根据权利要求1-3任一项所述的电子装置，还包括第一连接线和第二连接线，其中，所述第一连接线的两端分别与所述第一接触位置和所述漏极电连接，所述第二连接线的两端分别与所述第二接触位置和所述感测线电连接。5.根据权利要求1-3任一项所述的电子装置，其中，所述霍尔效应工作电极由导体材料或半导体材料形成。6.根据权利要求5所述的电子装置，其中，所述薄膜晶体管还包括半导体图案，由所述半导体材料形成的所述霍尔效应工作电极与所述半导体图案同层形成。7.根据权利要求5所述的电子装置，其中，由所述导体材料形成的所述霍尔效应工作电极与所述源极、所述漏极同层形成。8.根据权利要求1-3、6-7任一项所述的电子装置，还包括第三连接线和第四连接线，其中，所述第三连接线的两端分别与所述第三接触位置和所述第一公共线电连接，所述第四连接线的两端分别与所述第四接触位置和所述第二公共线...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英伟，陈宁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11