The invention discloses a starting circuit for ultra low power reference source, relative to the starting circuit of the traditional reference source module, the reasonable use of a negative threshold voltage NMOS, skillfully solve the drawbacks of starting circuit work moment will produce a larger transient current reference source module, application of the the startup circuit can be widely extremely strict in some of the power requirements.
【技术实现步骤摘要】
一种用于超低功耗基准源的启动电路
本专利技术用于集成电路设计领域,具体涉及一种用于超低功耗基准源的启动电路。
技术介绍
近年来,随着各种便携式电子产品广泛发展和应用,如手机、数码相机、移动音/视频设备等,如何降低功耗、延长电池的使用时间已成为产品设计首要考虑的问题之一。尤其对于USB接口芯片,在其未进行通信时,芯片处于睡眠状态,在这种状态下,全芯片的功耗只有几uA且需要严格控制瞬态大电流。基准电压源作为USB接口芯片唤醒功能重要的模块之一,对功耗的要求是极其严格的,既要保证超低的功耗,也不能产生大的瞬态电流,因此,传统的启动电路结构很难满足要求,因为启动电路在开启的一瞬间是极易产生一个较大的电流来使基准电压源摆脱“锁死”的状态,其非常典型的一个启动电路如图1所示,当偏置电流产生电路被“锁死”,即NMOS管N3的栅极为低电平,PMOS管P3的栅极为高电平,PMOS管P1处于关断状态,同时,NMOS管N1也处于关断状态,那么,PMOS管P2的栅极为低,P2将被完全开启,NMOS管N3的栅极会接收到一个高电平,NMOS管N3和N4都将被完全开启,虽然偏置电流产生电路会摆脱被“锁死”的状态,这也必然会在各自的对地通路上产生一个较大的瞬态电流,增加功耗。虽然这个瞬态电流在一些电源模块中并不十分关心,但在一些有着超低功耗要求的芯片中却十分重要。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题在于:针对常规的基准源中启动电路易产生较大的瞬态功耗的弊端,提出了一种用于超低功耗基准源的启动电路,本专利技术的主要特征在于:所述的电路包括PMOS管P1,PMOS管P2,NMOS管N1和一个负 ...
【技术保护点】
一种用于超低功耗基准源的启动电路,其特征在于:包括PMOS管P1,PMOS管P2,NMOS管N1和一个负阈值NMOS管N2,PMOS管P1的源极接电源VDD,PMOS管P1的漏极接NMOS管N1的漏极和PMOS管P2的栅极,PMOS管P1的栅极接外部电路的输出端,NMOS管N1的栅极与NMOS管N1的源极相接并接到地VSS,PMOS管P2的源极接电源VDD,PMOS管P2的漏极接负阈值NMOS管N2的漏极,负阈值NMOS管N2的栅极与源极相接并与连接到外部电路的输入端,典型情况下,该外部电路通常为偏置电流产生电路。
【技术特征摘要】
1.一种用于超低功耗基准源的启动电路,其特征在于:包括PMOS管P1,PMOS管P2,NMOS管N1和一个负阈值NMOS管N2,PMOS管P1的源极接电源VDD,PMOS管P1的漏极接NMOS管N1的漏极和PMOS管P2的栅极,PMOS管P1的栅极接外部电路的输...
【专利技术属性】
技术研发人员:王志鹏,
申请(专利权)人:长沙景美集成电路设计有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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