The invention relates to a XPS imaging analysis method for characterizing the distribution of elements on the surface of materials, belonging to the technical field of surface analysis of materials. According to the requirements of the preparation include the need for XPS imaging of the sample and sample loading; open the monochromatic X ray gun, spot diameter range: 200 m ~ 500 m; imaging area range: 200 m * 200 m ~ 2000 m * 2000 m, XPS collection of elements of narrow spectrum. Collect all the elements of X ray photoelectron spectroscopy, can pass the same requirements; data processing and imaging: the removal of the bottom; transformation of fitting; calculation of the relative content of the elements and image transformation. The advantage is that the analysis data is visual and accurate.
【技术实现步骤摘要】
一种表征材料表面元素分布的XPS成像分析方法
本专利技术属于材料表面分析
,特别是涉及一种表征材料表面元素分布的XPS成像分析方法。尤其涉及一种表征材料表面元素及不同价态元素分布的XPS成像分析方法。适用于材料表面缺陷、腐蚀、氧化、褪色等领域分析。技术背景X射线光电子能谱仪(X-rayPhotoelectronSpectroscopy,缩写XPS),主要用于研究材料极表面的元素及元素不同价态组成等信息。它是利用X射线激发样品表面元素的内层能级电子信号,再用电子能谱仪检测光电子的动能及强度,进而确定元素的种类及价态等信息。而进一步对光电子能谱进行去除本底、图谱拟合、对峰面积进行灵敏度因子法修正等数据处理则可以对元素的相对含量进行计算。在传统技术中,XPS主要用来对材料表面进行点分析表征,这是因为X射线的光斑直径通常较大(几十μm以上),因此通过XPS进行表面元素成像的应用非常少,平行成像法是XPS成像应用的方法之一。1)如文献[刘芬,邱丽美,赵良仲.分析化学研究简报.vol.31(2003),No.9,pp.1082-1084.]所述,通过平行成像技术对AgCl和Na2S2O3进行XPS成像,其用于计算元素相对含量的峰面积为光电子谱峰面积与低于谱峰7~8eV结合能处谱峰面积的差值。2)如文献[MartinF,LopezMC,Carrera,etal.Surfaceandinterfaceanalysis,vol.36(2004),pp.8-16.]所述,通过XPS平行成像技术研究了ZrO2/304SS(873K)材料在经Ar离子刻蚀之后Zn,O,F ...
【技术保护点】
一种表征材料表面元素分布的XPS成像分析方法,其特征在于,具体步骤及参数如下:1)制备需要进行XPS成像的待测样品,进行装样;2)开启单色化X射线枪,对需要成像的区域进行XPS点分析,确定需要进行成像的元素;设置成像区域及扫描节点;逐点对各个节点采集所需元素XPS窄谱;最后,运用XPS分析软件对各元素的光电子能谱窄谱进行数据处理及成像转化;单色化X射线枪光斑直径设置范围为:200μm~500μm;成像区域设置范围为:200μm×200μm~2000μm×2000μm;扫描节点的数量设置范围为3×3~64×64;3)采集元素XPS窄谱,选取元素的X射线光电子能谱最强峰,当元素的X射线光电子能谱最强峰与其他元素谱峰重合,则选取次强峰或与其他元素谱峰不重合的最强峰;采集各个元素X射线光电子能谱时,要求通能相同,通能设置范围为10~50eV;4)数据处理及成像转化过程:①去除本底:XPS分析软件有三种本底类型为:Linear、Shirley、Tougaard,本底选择范围以能将光电子能谱峰面积定义出来为准;②图谱拟合:在出现光电子谱峰重叠情况时采用图谱拟合,选择存在重叠的光电子谱峰,点击图谱拟 ...
【技术特征摘要】
1.一种表征材料表面元素分布的XPS成像分析方法,其特征在于,具体步骤及参数如下:1)制备需要进行XPS成像的待测样品,进行装样;2)开启单色化X射线枪,对需要成像的区域进行XPS点分析,确定需要进行成像的元素;设置成像区域及扫描节点;逐点对各个节点采集所需元素XPS窄谱;最后,运用XPS分析软件对各元素的光电子能谱窄谱进行数据处理及成像转化;单色化X射线枪光斑直径设置范围为:200μm~500μm;成像区域设置范围为:200μm×200μm~2000μm×2000μm;扫描节点的数量设置范围为3×3~64×64;3)采集元素XPS窄谱,选取元素的X射线光电子能谱最强峰,当元素的X射线光电子能谱最强峰与其他元素谱峰重合,则选取次强峰或与其他元素谱峰不重合的最强峰;采集各个元素X射线光电子能谱时,要求通能相同,通能设置范围为10~50eV;4)数据处理及成像转化过程:①去除本底:XPS分析软件有三种本底类型为:Linear、Shirley、Tougaard,本底选择范围以能将光电子能谱峰面积定义出来为准;②图谱拟合:在出现光电子谱峰重叠情况时采用图谱拟合,选择存在重叠的光电子谱峰,点击图谱拟合功能Peakfit,添加各峰位对应的谱峰进行拟合,同时对各峰位对应的谱峰进行分别命名,确定该光电子谱峰的归属;③元素相对含量的...
【专利技术属性】
技术研发人员:王文昌,蔡宁,王泽阳,鹿宪宝,其其格,
申请(专利权)人:首钢总公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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