一种侧抽气孔式空腔控温盘制造技术

本发明专利技术涉及一种侧抽气孔式空腔控温盘，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。包括上盘体、下盘体以及位于上盘体与下盘体之间的设置稳流板将孔温盘分为上下两个腔室，其中上腔室为热媒循环空腔，下腔室为稳流室，上盘体上设置多个热传导气体孔，每个气热传导气体孔通过管件通入至稳流室内，在上盘体上均匀设置有抽气孔通入至稳流室内，下盘体上设置热传导气体进气孔通入至稳流室内。本发明专利技术设有抽气孔，将多余的气体有抽气孔抽走，不仅能有效的够控制晶圆的温度，还能保证晶圆的稳定性。

The utility model relates to a side suction hole type cavity temperature control disk

The invention relates to a side suction cavity type temperature control disk, belonging to the technical field of semiconductor film deposition, application and manufacture. Including upper body, lower plate body and is positioned between the upper body and the lower body is provided a steady flow plate hole Wenpan will be divided into two chambers, wherein the upper chamber is the heat medium circulation cavity chamber for steady flow chamber, the upper plate body is provided with a plurality of heat conduction gas holes, each gas gas heat conduction through the fitting through hole into the current indoor smoke vent into the current indoor are uniformly arranged on the upper tray body, a gas inlet hole set heat conduction body to flow into a room. The invention is provided with an air extracting hole, and the excess gas is drawn out by an air suction hole, so that the temperature of the wafer can be effectively controlled, and the stability of the wafer can be ensured.

【技术实现步骤摘要】
一种侧抽气孔式空腔控温盘
本专利技术涉及一种侧抽气孔式空腔控温盘，属于半导体薄膜沉积应用及制造

技术介绍
半导体设备在进行沉积反应时往往需要使晶圆及腔室加热或维持在沉积反应所需要的温度，所以加热盘必需具备加热结构以满足给晶圆预热的目的。多半半导体薄膜沉积设备，在沉积过程中还会有等离子体参与沉积反应，因等离子体能量的释放以及化学气体间反应的能量释放，加热盘及晶圆的温度会随着射频及工艺时间的增加温度会不断的上升；如果在进行相同温度下的工艺，需要等待加热盘降到相同的温度后才能进行，这样会耗费大量的时间，设备的产能相对比较低。如果晶圆和加热盘的温度升温过快，晶圆和加热盘的温度会超出薄膜所需承受的温度，致使薄膜失败。为了解决工艺过程中加热盘温升过快降温慢的问题，需要有能够自动调节加热盘温度的系统，来保证加热盘的温度。为了更好的控制晶圆的温度，需要将晶圆的温度传递到加热盘上，通过控制加热盘的温度来控制晶圆表面的温度。但半导体薄膜沉积反应多是在真空条件下进行，真空条件热传导主要靠辐射，热传导效率低，热量会在晶圆表面聚集。为了更好的将晶圆上的热量传递到加热盘上，加热盘与晶圆间需要通入一层导热介质，以便加热盘与晶圆间快速的进行热交换，同时能更好的改善晶圆温度的均匀性,不过，在热传导气体不断的通入过程中，气体会充满晶圆之间。如果气体量过大，晶圆会产生抖动现象，
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种有效的够控制晶圆的温度，还能保证晶圆的稳定性的侧抽气孔式空腔控温盘。本专利技术是这样实现的，一种侧抽气孔式空腔控温盘，包括上盘体、下盘体以及位于上盘体与下盘体之间的设置稳流板将孔温盘分为上下两个腔室，其中上腔室为热媒循环空腔，下腔室为稳流室，上盘体上设置多个热传导气体孔，每个热传导气体孔通过管件通入至稳流室内，在上盘体上均匀设置有抽气孔通入至稳流室内，下盘体上设置热传导气体进气孔通入至稳流室内。进一步地，所述热传导气体孔在上盘体上以上盘体圆心为中心向外发散将上盘体均匀分为4～8块。进一步地，上盘体分成的4～8块部分上，均设置一个抽气孔。进一步地，上盘体的下表面的边缘具有凸台，下盘体的上表面具有凸台，下盘体通过其自身的凸台与稳流板焊接后再与上盘体的凸台焊接。进一步地，所述稳流板上开设与抽气孔对应的稳流板抽气孔，稳流板对应热媒循环空腔的盘面打孔后透入到稳流室，再由稳流板的圆柱面沿径向打孔，与盘面打的孔交汇，形成直角通道。进一步地，在上盘体上设置上盘体中心凸台，所示上盘体中心凸台上开设上盘体媒介进口端、上盘体媒介出口端与热媒循环空腔相通，在下盘体上设置下盘体中心凸台，所示下盘体中心凸台上开设进口通道与出口通道通过稳流板上相应的开口后分别与上盘体中心凸台上开设的上盘体媒介进口端与上盘体媒介出口端相通。进一步地，在所述下盘体中心凸台上开设热传导气体进气孔。进一步地，所述热传导气体孔成“米”字分布、在“米”字分布的热传导气体孔之间分布有8个抽气孔。进一步地，在上盘体中心凸台以及下盘体中心凸台中设置热电偶螺纹孔，从控温盘外部通过热电偶螺纹孔将热电偶通入至于上盘体接触。进一步地，上盘体、下盘体以及稳流板三者之间通过陶瓷柱贯穿后通过固定螺母固定。本专利技术与现有技术相比，有益效果在于：本专利技术控温盘采用媒介质进行冷却和加热，利用媒介的循环，对控温盘进行温度的控制，媒介通道分布在加热盘内部。为了更好的控制晶圆的温度，控温盘内部还有热传导气体通道，能够将晶圆的温度传递给加热盘，更有效的控制晶圆的温度。本专利技术设有抽气孔，将多余的气体有抽气孔抽走，不仅能有效的够控制晶圆的温度，还能保证晶圆的稳定性。附图说明图1是加热盘结构爆炸图；图2加热盘上盘面结构视图；图3加热盘稳流板结构视图；图4稳流板抽气孔刨面视图；图5加热盘热下盘结构视图；1、上盘体；2、陶瓷柱；3、稳流板；4、下盘体；5、固定螺母；6、通孔；7、稳流板陶瓷柱孔；8、热传导气体孔；9、抽气孔；10、陶瓷柱孔；11、热媒通道进口端；12、热媒通道出口端；13、热电偶孔；14气体通孔；15、稳流板媒介进口；16、稳流板媒介出口；17、稳流板热电偶孔，18、稳流板抽气孔；19、下盘体媒介进口；20、热传导气体进气孔；21、下盘体媒介出口；22、热电偶螺纹孔。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例参见图1，一种侧抽气孔式空腔控温盘，主要由五部分组成，控温盘上盘体1；陶瓷柱2；稳流板3；下盘体4；固定螺母5。每个部分的相应特征加工完成之后，在进行焊接。完成整个控温盘的加工。具体为：包括上盘体1、下盘体4以及位于上盘体1与下盘体4之间的设置稳流板3将孔温盘分为上下两个腔室，其中上腔室为热媒循环空腔，下腔室为稳流室，上盘体1上设置多个热传导气体孔8，每个热传导气体孔8通过管件通入至稳流室内，在上盘体1上均匀设置有抽气孔9通入至稳流室内，下盘体1上设置热传导气体进气孔20通入至稳流室内。上盘体1、下盘体4以及稳流板3三者之间通过陶瓷柱2贯穿后设置的通孔6通过固定螺母5固定。参见图2结合图1所示，上盘体1的下表面的边缘有一圈凸台，上盘体1的中心位置、热传导气体孔8以中心位置为发散点将上盘体分为六个部分、在六个部分分布的热传导气体孔8之间分布有6个抽气孔9，抽气孔9的周围均有凸台，各凸台的高度是相同的。在中心凸台上分别开有上盘体媒介进口端11、上盘体媒介出口端12、热电偶孔13。上盘体媒介进口端11与上盘体媒介出口端12与热媒循环空腔相通。参见图3结合图4与图1，稳流板3，分别是与热传导气体孔8对应的气体通孔14，与热媒通道进口端11、热媒通道出口端12对应的稳流板媒介进口15、稳流板媒介出口16，与热电偶孔13对应的稳流板热电偶孔17，以及与上盘体上的陶瓷柱孔10对应的稳流板陶瓷柱孔7，与抽气孔9对应的稳流板抽气孔18，稳流板抽气孔18的刨面结构如图4所示，首先由稳流板3的盘面打孔，但不打透，再由稳流板3的圆柱面沿径向打孔，与盘面打的小孔交汇，形成直角通道。参见图5、下盘体4的盘面有些凸台，目的是为了与稳流板3进行焊接，在下盘体表面的边缘有一圈凸台、在下盘体通孔6的位置周围也有同样高度的凸台、在上盘体1的中心位置仍有相同高度的中心凸台，用于与稳流板3进行密封。在中心凸台上分别开有下盘体媒介进口19、下盘体媒介出口21、热电偶螺纹孔22、热传导气体进气孔20，热传导气体进气孔20通入至稳流室内，下盘体媒介进口19、下盘体媒介出口21分别与上盘体媒介进口端11与上盘体媒介出口端12相通。在上盘体上设置的上盘体中心凸台，上盘体中心凸台上开设的上盘体媒介进口端11、上盘体媒介出口端12与热媒循环空腔相通，在下盘体上设置下盘体中心凸台，下盘体中心凸台上开设进口通道与出口通道通过稳流板上相应的开口后分别与上盘体中心凸台上开设的上盘体媒介进口端与上盘体媒介出口端相通。在上盘体中心凸台以及下盘体中心凸台中设置热电偶螺纹孔22，从控温盘外部通过热电偶螺纹孔22将热电偶通入至于上盘体接触，。加工时，稳流板3和下盘体4焊接后中间形成空腔，成为稳流室，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种侧抽气孔式空腔控温盘，其特征在于，包括上盘体、下盘体以及位于上盘体与下盘体之间的设置稳流板将孔温盘分为上下两个腔室，其中上腔室为热媒循环空腔，下腔室为稳流室，上盘体上设置多个热传导气体孔，每个气热传导气体孔通过管件通入至稳流室内，在上盘体上均匀设置有抽气孔通入至稳流室内，下盘体上设置热传导气体进气孔通入至稳流室内。

【技术特征摘要】
1.一种侧抽气孔式空腔控温盘，其特征在于，包括上盘体、下盘体以及位于上盘体与下盘体之间的设置稳流板将孔温盘分为上下两个腔室，其中上腔室为热媒循环空腔，下腔室为稳流室，上盘体上设置多个热传导气体孔，每个气热传导气体孔通过管件通入至稳流室内，在上盘体上均匀设置有抽气孔通入至稳流室内，下盘体上设置热传导气体进气孔通入至稳流室内。2.按照权利要求1所述的侧抽气孔式空腔控温盘，其特征在于，所述热传导气体孔在上盘体上以上盘体圆心为中心向外发散将上盘体均匀分为4～8块。3.按照权利要求2所述的侧抽气孔式空腔控温盘，其特征在于，上盘体分成的4～8块部分上，均设置一个抽气孔。4.按照权利要求1所述的侧抽气孔式空腔控温盘，其特征在于，上盘体的下表面的边缘具有凸台，下盘体的上表面具有凸台，下盘体通过其自身的凸台与稳流板焊接后再与上盘体的凸台焊接。5.按照权利要求1所述的侧抽气孔式空腔控温盘，其特征在于，所述稳流板上开设与抽气孔对应的稳流板抽气孔，稳流板对应热媒循环空腔的盘面打孔后透入到稳流室，再由稳流板的圆柱面沿径向打...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕光泉，吴凤丽，郑英杰，张建，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21