The utility model relates to a temperature stabilizing chamber temperature control plate, which comprises a heating plate, an upper disk surface, a ceramic column, a heating plate, a steady flow plate and a heating plate base. The upper end of the ceramic column is fixed on the lower end of the disk plate on the heating plate, and the lower end of the ceramic column passes through the heating plate, the steady flow plate and the heating plate base and is fixed at the lower end of the base of the heating plate. Each component has a different structure to form a media channel and a heat conducting gas passage for the heating plate, thereby controlling the temperature of the heating plate. The heating plate adopts the medium for cooling and heating, and the temperature of the heating plate is controlled by the circulation of the medium, and the medium channel is arranged inside the heating plate. In order to better control the temperature of the wafer, there is also a heat conducting gas channel inside the heating plate, which can transfer the wafer temperature to the heating plate, which can control the temperature of the wafer more effectively.
【技术实现步骤摘要】
一种稳流室控温盘
本专利技术涉及一种半导体镀膜设备可控温加热盘结构,尤其是一种稳流室控温盘,属于半导体薄膜沉积
技术介绍
半导体设备在进行沉积反应时往往需要使晶圆及腔室加热或维持在沉积反应所需要的温度,所以加热盘必需具备加热结构以满足给晶圆预热的目的。多半半导体薄膜沉积设备,在沉积过程中还会有等离子体参与沉积反应,因等离子体能量的释放以及化学气体间反应的能量释放,加热盘及晶圆的温度会随着射频及工艺时间的增加温度会不断的上升;如果在进行相同温度下的工艺,需要等待加热盘降到相同的温度后才能进行,这样会耗费大量的时间,设备的产能相对比较低。如果晶圆和加热盘的温度升温过快,晶圆和加热盘的温度会超出薄膜所需承受的温度,致使薄膜失败。为了解决工艺过程中加热盘温升过快降温慢的问题,我们需要有能够自动调节加热盘温度的系统,来保证加热盘的温度。为了更好的控制晶圆的温度,我们需要将晶圆的温度传递到加热盘上,通过控制加热盘的温度来控制晶圆表面的温度。但半导体薄膜沉积反应多是在真空条件下进行,真空条件热传导主要靠辐射,热传导效率低,热量会在晶圆表面聚集。为了更好的将晶圆上的热量传递到加热盘上,加热盘与晶圆间需要通入一层导热介质,以便加热盘与晶圆间快速的进行热交换,同时能更好的改善晶圆温度的均匀性。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足,本专利技术提供了一种稳流室控温盘。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种稳流室控温盘,包括加热盘上盘面、陶瓷柱、加热盘稳流板和加热盘基座。陶瓷柱的上端固定在加热盘上盘面的下端,陶瓷柱的下端穿过加热盘稳流板和加热盘基座并与加热盘基 ...
【技术保护点】
一种稳流室控温盘,其特征在于:包括加热盘上盘面、陶瓷柱、加热盘稳流板和加热盘基座。陶瓷柱的上端固定在加热盘上盘面的下端,陶瓷柱的下端穿过加热盘稳流板和加热盘基座并与加热盘基座的下端固定;所述加热盘上盘面下表面开有热媒通道、米字分布的热传导气体孔、一个热电偶孔、陶瓷柱孔、热媒通道进口端和热媒通道出口端;所述加热盘稳流板上全部是通孔,分别是与热传导气体孔对应的气体通孔;与热媒通道进口端、热媒通道出口端对应的稳流板媒介进口、稳流板媒介出口;与热电偶孔对应的稳流板热电偶孔,以及与陶瓷柱孔对应的稳流板陶瓷柱孔;所述加热盘下盘体的盘面上设有凸台,在加热盘下盘体表面的边缘有一圈凸台、在通孔的位置周围也有同样高度的凸台,在加热盘上盘体的中心位置仍有相同高度的凸台,用于与稳流板进行密封。在中心凸台上分别开有下盘体媒介进口、下盘体媒介出口、热电偶螺纹孔及热传导气体进气孔;稳流板和加热盘下盘体焊接后中间形成空腔,成为稳流室。
【技术特征摘要】
1.一种稳流室控温盘,其特征在于:包括加热盘上盘面、陶瓷柱、加热盘稳流板和加热盘基座。陶瓷柱的上端固定在加热盘上盘面的下端,陶瓷柱的下端穿过加热盘稳流板和加热盘基座并与加热盘基座的下端固定;所述加热盘上盘面下表面开有热媒通道、米字分布的热传导气体孔、一个热电偶孔、陶瓷柱孔、热媒通道进口端和热媒通道出口端;所述加热盘稳流板上全部是通孔,分别是与热传导气体孔对应的气体通孔;与热媒通道进口端、热媒通道出口端对应...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕光泉,吴凤丽,郑英杰,张建,
申请(专利权)人:沈阳拓荆科技有限公司,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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