一种微电子芯片封装处理材料制造技术

技术编号:15319167 阅读:13 留言:0更新日期:2017-05-16 01:48
本发明专利技术涉及一种微电子芯片封装处理材料,由以下组分组成:聚氨基甲酸酯、尿素甲醛树脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛树脂、甲基异丁基甲醇、牛脂基二羟乙基氧化胺、N‑甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸钙、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸铵、白云石粉末、氮化钛粉末、二氟化铅粉末、二氧化钛粉末、氟化钙粉末、锡酸锌、聚噻吩、聚磷酸铵、对甲苯酚、三甘醇二异辛酸酯、硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰柠檬酸三丁酯、乙二醇一异丁醚、次磺酰胺类促进剂、2‑硫醇基苯骈噻唑。本发明专利技术的方法制备得到的微电子芯片封装材料邵氏硬度为74A至86A,粘结强度为7.8MPa至8.6MPa。

Microelectronic chip packaging and processing material

The present invention relates to a microelectronic chip packaging material, which consists of the following components: poly urethane, urea formaldehyde resin, butyl acrylate, methyl methacrylate, modified phenolic resin, methyl isobutyl carbinol, tallow amine oxide, N two hydroxyethyl methyl pyrrolidone, isoamyl propionate, boric acid, diethylene glycol ethyl ether calcium, two benzofuran, sixteen alkyl bromide, imidazoline, ammonium fluorosilicate, dolomite powder, titanium nitride powder, two lead fluoride powder, titanium dioxide powder, calcium fluoride powder, zinc stannate, polythiophene, ammonium polyphosphate, p-cresol, three glycol two Ethylhexanoate, stearic acid, polyethylene glycol, acetyl ester three citric acid ester, ethylene glycol butyl ether, sulphenamides accelerator, 2 thiol benzothiazole. The microelectronic chip encapsulation material prepared by the method of the invention has a shore hardness of 74A to 86A and a bonding strength of 7.8MPa to 8.6MPa.

【技术实现步骤摘要】
一种微电子芯片封装处理材料
本专利技术涉及一种微电子芯片封装处理材料,属于微电子芯片封装

技术介绍
微电子技术是随着集成电路,尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术,微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。微电子芯片安装过程中,有必要采用合适的方式改善其封装处理效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种微电子芯片封装处理材料,以便更好地实现微电子芯片封装处理材料的使用功能,使产品具有更好的封装性能,改善产品使用性能。为了实现上述目的,本专利技术的技术方案如下。一种微电子芯片封装处理材料,由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯18~22份、尿素甲醛树脂16~20份、丙烯酸丁酯16~20份、甲基丙烯酸甲酯14~18份、改性酚醛树脂16~20份、甲基异丁基甲醇16~20份、牛脂基二羟乙基氧化胺14~18份、N-甲基吡咯烷酮16~20份、丙酸戊酯16~20份、二乙二醇乙醚14~18份、硼酸钙14~18份、二苯并呋喃14~18份、十六烷基溴16~20份、咪唑啉14~18份、氟硅酸铵12~16份、白云石粉末16~20份、氮化钛粉末14~18份、二氟化铅粉末12~16份、二氧化钛粉末14~18份、氟化钙粉末12~16份、锡酸锌12~16份、聚噻吩12~16份、聚磷酸铵10~14份、对甲苯酚6~10份、三甘醇二异辛酸酯4~8份、硬脂酸聚乙二醇酯4~8份、乙酰柠檬酸三丁酯4~8份、乙二醇一异丁醚4~8份、次磺酰胺类促进剂4~8份、2-硫醇基苯骈噻唑4~8份。进一步地,上述微电子芯片封装处理材料,由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯18份、尿素甲醛树脂16份、丙烯酸丁酯16份、甲基丙烯酸甲酯14份、改性酚醛树脂16份、甲基异丁基甲醇16份、牛脂基二羟乙基氧化胺14份、N-甲基吡咯烷酮16份、丙酸戊酯16份、二乙二醇乙醚14份、硼酸钙14份、二苯并呋喃14份、十六烷基溴16份、咪唑啉14份、氟硅酸铵12份、白云石粉末16份、氮化钛粉末14份、二氟化铅粉末12份、二氧化钛粉末14份、氟化钙粉末12份、锡酸锌12份、聚噻吩12份、聚磷酸铵10份、对甲苯酚6份、三甘醇二异辛酸酯4份、硬脂酸聚乙二醇酯4份、乙酰柠檬酸三丁酯4份、乙二醇一异丁醚4份、次磺酰胺类促进剂4份、2-硫醇基苯骈噻唑4份。进一步地,上述微电子芯片封装处理材料,由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯20份、尿素甲醛树脂18份、丙烯酸丁酯18份、甲基丙烯酸甲酯16份、改性酚醛树脂18份、甲基异丁基甲醇18份、牛脂基二羟乙基氧化胺16份、N-甲基吡咯烷酮18份、丙酸戊酯18份、二乙二醇乙醚16份、硼酸钙16份、二苯并呋喃16份、十六烷基溴18份、咪唑啉16份、氟硅酸铵14份、白云石粉末18份、氮化钛粉末16份、二氟化铅粉末14份、二氧化钛粉末16份、氟化钙粉末14份、锡酸锌14份、聚噻吩14份、聚磷酸铵12份、对甲苯酚8份、三甘醇二异辛酸酯6份、硬脂酸聚乙二醇酯6份、乙酰柠檬酸三丁酯6份、乙二醇一异丁醚6份、次磺酰胺类促进剂6份、2-硫醇基苯骈噻唑6份。进一步地,上述微电子芯片封装处理材料,由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯22份、尿素甲醛树脂20份、丙烯酸丁酯20份、甲基丙烯酸甲酯18份、改性酚醛树脂20份、甲基异丁基甲醇20份、牛脂基二羟乙基氧化胺18份、N-甲基吡咯烷酮20份、丙酸戊酯20份、二乙二醇乙醚18份、硼酸钙18份、二苯并呋喃18份、十六烷基溴20份、咪唑啉18份、氟硅酸铵16份、白云石粉末20份、氮化钛粉末18份、二氟化铅粉末16份、二氧化钛粉末18份、氟化钙粉末16份、锡酸锌16份、聚噻吩16份、聚磷酸铵14份、对甲苯酚10份、三甘醇二异辛酸酯8份、硬脂酸聚乙二醇酯8份、乙酰柠檬酸三丁酯8份、乙二醇一异丁醚8份、次磺酰胺类促进剂8份、2-硫醇基苯骈噻唑8份。进一步地,上述微电子芯片封装处理材料制备方法步骤如下:(1)将所述质量份数的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛树脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛树脂、甲基异丁基甲醇、牛脂基二羟乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸钙、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸铵、白云石粉末、氮化钛粉末、二氟化铅粉末、二氧化钛粉末、氟化钙粉末予以混合,超声高速分散,超声波频率为20~40KHz,分散速度5000~5400r/min左右,分散时间为30~60min;(2)加入所述质量份数的锡酸锌、聚噻吩、聚磷酸铵、对甲苯酚、三甘醇二异辛酸酯,超声高速分散,超声波频率为20~35KHz,分散速度4800~5200r/min左右,分散时间为30~50min;(3)加入所述质量份数的硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰柠檬酸三丁酯、乙二醇一异丁醚、次磺酰胺类促进剂、2-硫醇基苯骈噻唑,超声高速分散,超声波频率为20~30KHz,分散速度4600~4800r/min左右,分散时间为20~40min;混合均匀后制得本品。该专利技术的有益效果在于:本专利技术中的微电子芯片封装处理材料,由以下组分组成:聚氨基甲酸酯、尿素甲醛树脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛树脂、甲基异丁基甲醇、牛脂基二羟乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸钙、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸铵、白云石粉末、氮化钛粉末、二氟化铅粉末、二氧化钛粉末、氟化钙粉末、锡酸锌、聚噻吩、聚磷酸铵、对甲苯酚、三甘醇二异辛酸酯、硬脂酸聚乙二醇酯、乙酰柠檬酸三丁酯、乙二醇一异丁醚、次磺酰胺类促进剂、2-硫醇基苯骈噻唑。本专利技术通过对微电子芯片的封装材料进行优化,显著的提高了微电子芯片封装材料的折射率、硬度和粘结强度。本专利技术的方法制备得到的微电子芯片封装材料邵氏硬度为74A至86A,粘结强度为7.8MPa至8.6MPa。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术的具体实施方式进行描述,以便更好的理解本专利技术。实施例1本实施例中的微电子芯片封装处理材料,由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯18份、尿素甲醛树脂16份、丙烯酸丁酯16份、甲基丙烯酸甲酯14份、改性酚醛树脂16份、甲基异丁基甲醇16份、牛脂基二羟乙基氧化胺14份、N-甲基吡咯烷酮16份、丙酸戊酯16份、二乙二醇乙醚14份、硼酸钙14份、二苯并呋喃14份、十六烷基溴16份、咪唑啉14份、氟硅酸铵12份、白云石粉末16份、氮化钛粉末14份、二氟化铅粉末12份、二氧化钛粉末14份、氟化钙粉末12份、锡酸锌12份、聚噻吩12份、聚磷酸铵10份、对甲苯酚6份、三甘醇二异辛酸酯4份、硬脂酸聚乙二醇酯4份、乙酰柠檬酸三丁酯4份、乙二醇一异丁醚4份、次磺酰胺类促进剂4份、2-硫醇基苯骈噻唑4份。上述微电子芯片封装处理材料制备方法步骤如下:(1)将所述质量份数的聚氨基甲酸酯、尿素甲醛树脂、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、改性酚醛树脂、甲基异丁基甲醇、牛脂基二羟乙基氧化胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酸戊酯、二乙二醇乙醚、硼酸钙、二苯并呋喃、十六烷基溴、咪唑啉、氟硅酸铵、白云石粉末、氮化钛粉末、二氟化铅粉末、二氧化钛粉末、氟化钙粉末予以混合,超声高速分散,超声波频率为20kHz,分散速度5400r/mi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微电子芯片封装处理材料,其特征在于:由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯18~22份、尿素甲醛树脂16~20份、丙烯酸丁酯16~20份、甲基丙烯酸甲酯14~18份、改性酚醛树脂16~20份、甲基异丁基甲醇16~20份、牛脂基二羟乙基氧化胺14~18份、N‑甲基吡咯烷酮16~20份、丙酸戊酯16~20份、二乙二醇乙醚14~18份、硼酸钙14~18份、二苯并呋喃14~18份、十六烷基溴16~20份、咪唑啉14~18份、氟硅酸铵12~16份、白云石粉末16~20份、氮化钛粉末14~18份、二氟化铅粉末12~16份、二氧化钛粉末14~18份、氟化钙粉末12~16份、锡酸锌12~16份、聚噻吩12~16份、聚磷酸铵10~14份、对甲苯酚6~10份、三甘醇二异辛酸酯4~8份、硬脂酸聚乙二醇酯4~8份、乙酰柠檬酸三丁酯4~8份、乙二醇一异丁醚4~8份、次磺酰胺类促进剂4~8份、2‑硫醇基苯骈噻唑4~8份。

【技术特征摘要】
1.一种微电子芯片封装处理材料,其特征在于:由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯18~22份、尿素甲醛树脂16~20份、丙烯酸丁酯16~20份、甲基丙烯酸甲酯14~18份、改性酚醛树脂16~20份、甲基异丁基甲醇16~20份、牛脂基二羟乙基氧化胺14~18份、N-甲基吡咯烷酮16~20份、丙酸戊酯16~20份、二乙二醇乙醚14~18份、硼酸钙14~18份、二苯并呋喃14~18份、十六烷基溴16~20份、咪唑啉14~18份、氟硅酸铵12~16份、白云石粉末16~20份、氮化钛粉末14~18份、二氟化铅粉末12~16份、二氧化钛粉末14~18份、氟化钙粉末12~16份、锡酸锌12~16份、聚噻吩12~16份、聚磷酸铵10~14份、对甲苯酚6~10份、三甘醇二异辛酸酯4~8份、硬脂酸聚乙二醇酯4~8份、乙酰柠檬酸三丁酯4~8份、乙二醇一异丁醚4~8份、次磺酰胺类促进剂4~8份、2-硫醇基苯骈噻唑4~8份。2.根据权利要求1所述的微电子芯片封装处理材料,其特征在于:所述微电子芯片封装处理材料由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯18份、尿素甲醛树脂16份、丙烯酸丁酯16份、甲基丙烯酸甲酯14份、改性酚醛树脂16份、甲基异丁基甲醇16份、牛脂基二羟乙基氧化胺14份、N-甲基吡咯烷酮16份、丙酸戊酯16份、二乙二醇乙醚14份、硼酸钙14份、二苯并呋喃14份、十六烷基溴16份、咪唑啉14份、氟硅酸铵12份、白云石粉末16份、氮化钛粉末14份、二氟化铅粉末12份、二氧化钛粉末14份、氟化钙粉末12份、锡酸锌12份、聚噻吩12份、聚磷酸铵10份、对甲苯酚6份、三甘醇二异辛酸酯4份、硬脂酸聚乙二醇酯4份、乙酰柠檬酸三丁酯4份、乙二醇一异丁醚4份、次磺酰胺类促进剂4份、2-硫醇基苯骈噻唑4份。3.根据权利要求1至2所述的微电子芯片封装处理材料,其特征在于:所述微电子芯片封装处理材料由以下质量份数的组分组成:聚氨基甲酸酯20份、尿素甲醛树脂18份、丙烯酸丁酯18份、甲基丙烯酸甲酯16份、改性酚醛树脂18份、甲基异丁基甲醇18份、牛脂基二羟乙基氧化胺16份、N-甲基吡咯烷酮18份、丙酸戊酯18份、二乙二醇乙醚16份、硼酸钙16份、二苯并呋喃16份、十六烷基溴18份、咪唑啉16份、氟硅酸铵14份、白云石粉末18份...

【专利技术属性】
技术研发人员:邓云卫
申请(专利权)人:华蓥旗邦微电子有限公司
类型:发明
国别省市:四川,51

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