The present invention is a method for sintering high temperature co fired AlN Ceramics, the method comprises the following steps: (1) the use of aluminum nitride ceramic raw and metal slurry according to the production process of multilayer ceramic production of aluminum nitride ceramic raw; (2) aluminum nitride ceramic raw in discharging furnace removed glue (3); students after the porcelain discharging into the double closed burning device; (4) the burning device in high temperature sintering atmosphere sintering furnace with aluminum nitride green ceramic products. The invention has the advantages of: 1) this method can prepare high temperature cofired aluminum nitride ceramics, applied to the MCM substrate and packaging of high power devices, substrate, shell, high power LED package and other fields; 2) using sintering method of the invention can avoid excessive volatility in the second phase of aluminum nitride, thermal conductivity the co firing of aluminum nitride ceramic ratio, the flexural strength and strength of metal meet the requirements of the use of electronic ceramics.
【技术实现步骤摘要】
一种高温共烧氮化铝陶瓷的烧结方法
本专利技术涉及的是一种高温共烧氮化铝(AlN)陶瓷的烧结方法,属于电子陶瓷
,主要应用于多芯片组件(MCM)和大功率陶瓷基板及外壳等领域。
技术介绍
高温共烧陶瓷(HTCC)按照材料体系可分为氧化铝和氮化铝等。氮化铝高温共烧陶瓷的主要优点是热导率高、机械强度高、电性能好、无毒以及热膨胀系数与硅匹配等,主要应用于MCM基板和封装、大功率器件的基板、外壳、大功率LED封装外壳等领域。氮化铝陶瓷烧结温度很高,一般在1600℃~2000℃,因此与之共烧的金属浆料必须耐高温,一般采用金属钨作为氮化铝共烧的金属化浆料。氮化铝的高温共烧烧结由于有金属化钨,必须在还原性气氛下烧结,防止钨氧化。纯氮化铝的烧结温度很高,因此难以共烧。一般在氮化铝中加入少量的烧结助剂等来降低陶瓷的烧结温度,同时烧结助剂不应大幅度降低氮化铝陶瓷的热导率和抗折强度。但是烧结助剂在烧结时形成的第二相在高温下容易挥发,从而对陶瓷的强度和金属化的强度造成很大影响,导致陶瓷烧结质量下降。因此烧结时控制第二相的挥发是高温共烧氮化铝陶瓷烧结的关键技术。
技术实现思路
本专利技术提出的是一种高温共烧氮化铝陶瓷的烧结方法,其目的在于克服氮化铝陶瓷烧结时的不足之处,使用合理的烧结装置,减少烧结时第二相的挥发,从而使得烧结出的氮化铝共烧陶瓷热导率、抗折强度和金属化强度满足陶瓷基板、封装外壳等的使用要求。本专利技术的技术解决方案:一种高温共烧氮化铝陶瓷的烧结方法,包括以下步骤:(1)使用氮化铝生瓷和金属化浆料按照多层陶瓷生产工艺制作氮化铝生瓷件;(2)将氮化铝生瓷件在排胶炉中排胶;( ...
【技术保护点】
一种高温共烧氮化铝陶瓷的烧结方法,其特征是包括以下步骤:(1)使用氮化铝生瓷和金属化浆料按照多层陶瓷生产工艺制作氮化铝生瓷件;(2)将氮化铝生瓷件在排胶炉中排胶;(3)排胶后的氮化铝瓷件放入双重密闭承烧装置中;(4)将装入氮化铝瓷件产品的承烧装置放入高温气氛烧结炉中烧结。
【技术特征摘要】
1.一种高温共烧氮化铝陶瓷的烧结方法,其特征是包括以下步骤:(1)使用氮化铝生瓷和金属化浆料按照多层陶瓷生产工艺制作氮化铝生瓷件;(2)将氮化铝生瓷件在排胶炉中排胶;(3)排胶后的氮化铝瓷件放入双重密闭承烧装置中;(4)将装入氮化铝瓷件产品的承烧装置放入高温气氛烧结炉中烧结。2.根据权利要求1所述高温共烧氮化铝陶瓷的烧结方法,其特征是所述的氮化铝生瓷件组成包括AlN粉、助烧剂、粘结剂和增塑剂,它们间的重量比是助烧剂占总重量的3%~6%,粘结剂占总重量的5%~10%,增塑剂占总重量的3%~8%,余量是AlN粉。3.根据权利要求1所述高温共烧氮化铝陶瓷的烧结方法,其特征是所述的金属化浆料组成包括钨粉、粘结剂和溶剂,它们间的重量比是钨粉80-90%、粘结剂5-8%,溶剂5-8%。4.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:夏庆水,陈寰贝,程凯,庞学满,张智旻,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。